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最新专利技术
  • 存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具
    存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具_北京超弦存储器研究院_202410551790.6
    本申请提供了一种存储器及其制造方法、电子设备和光刻胶模具。该存储器的制造方法包括：在衬底上依次形成堆叠层、第一停止层、掩模层、第二停止层和包含n个分区结构的光刻胶结构；在第i刻蚀区域的第二停止层，刻蚀出与第i分区结构的第一通孔对齐的第二通孔...
    2025-12-04
  • 一种晶圆清洗及干燥方法
    一种晶圆清洗及干燥方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511211933.X
    本发明提供了一种晶圆清洗及干燥方法，将待清洗晶圆放入清洗设备的腔室内，设置有喷头的摆臂置于所述待清洗晶圆上方；所述喷头上设置有三个喷嘴，依次为两端的第一喷嘴、第三喷嘴以及中间的第二喷嘴；所述第一喷嘴喷洒异丙醇溶液与氮气的混合流体，所述第二喷...
    2025-12-04
  • 一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件
    一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件_晶芯成(北京)科技有限公司_202511144106.3
    本申请公开了一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法及半导体器件一种防止半导体器件被电化学腐蚀的方法，所述半导体器件包括半导体层以及位于半导体层第一表面的第一导电通道和第二导电通道，在半导体层的第二表面形成牺牲金属层，所述牺牲金属层的金属活动性...
    2025-12-04
  • 先进制程节点下晶背研磨清洗的方法
    先进制程节点下晶背研磨清洗的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066169.1
    本申请提供一种先进制程节点下晶背研磨清洗的方法，包括：步骤一，对晶背进行抛光处理，改善晶背表面平整度；步骤二，对晶背进行清洗处理，去除晶背表面颗粒缺陷。除去晶背表面颗粒的同时使晶背表面达到一定平整度，避免后续对晶圆进行光刻处理时Focus ...
    2025-12-04
  • 半导体芯片清洗的方法
    半导体芯片清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548821.2
    本发明提供一种使用不超过40度制程水，能温和而有效地去除污垢，同时减少热应力对芯片的损害和化学反应的风险，并有效降低能源消耗及成本的半导体芯片清洗的方法，包括：步骤一：放置待喷洗物，所述待喷洗物至少包括有一基板及多个间隔排列设置的芯片；以及...
    2025-12-04
  • 半导体芯片倾斜清洗的方法
    半导体芯片倾斜清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548805.3
    本发明提供一种半导体芯片倾斜清洗的方法，其包括下列步骤：步骤一：治具朝向输送带输送方向的一侧往下倾斜；步骤二：至少两喷头分别对准清洁区域内芯片的间隙；步骤三：喷头沿着芯片的排列方向，对间隙进行清洗；步骤四：清洗完后，若无邻近清洁区域，则结束...
    2025-12-04
  • 半导体芯片指向式清洗的方法
    半导体芯片指向式清洗的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548798.7
    本发明提供一种能够深入芯片间的每个间隙进行彻底清洁，从而提高清洁效果与效率，同时缩短清洁时间的半导体芯片指向式清洗的方法，其包括下列步骤：步骤一：设定至少两喷头分别对准于清洁区域内芯片的间隙；步骤二：前述喷头沿着前述芯片的排列方向，同步移动...
    2025-12-04
  • 清洗半导体芯片间隙的方法
    清洗半导体芯片间隙的方法_苏州芯钛半导体科技有限公司_202410548781.1
    本发明提供一种能够深入芯片间的每个间隙进行彻底清洁，从而提高清洁效果与效率，同时缩短清洁时间的清洗半导体芯片间隙的方法，用于对以助焊剂固定在基板上，经切割后于外围四周形成边缘路径，且于内形成棋盘状的间隔路径的多个芯片的间隙，其包括下列步骤：...
    2025-12-04
  • 一种长寿命高压放电灯
    一种长寿命高压放电灯_江苏载曜光电科技有限公司_202511110897.8
    本发明公开了一种长寿命高压放电灯，包括高压放电灯本体和可拆卸辅助灯本体，高压放电灯本体包含放电灯发光单元和波纹结构金属箔供电单元，金属箔表面涂覆铂/银基抗氧化涂层，缓解热应力并延长寿命；辅助灯本体内设多层介质反射膜及抛物面反射面，结合微棱镜...
    2025-12-04
  • 质谱仪用真空馈通装置、加工方法及质谱仪
    质谱仪用真空馈通装置、加工方法及质谱仪_上海航天裕达科技有限公司_202510825979.4
    本发明提供了一种质谱仪用真空馈通装置、加工方法及质谱仪，包括：金属电极、陶瓷板和PCB板；所述陶瓷板连接在所述PCB板的表面；其中，所述陶瓷板和所述PCB板上对应开设有DIP焊盘；所述金属电极穿过在所述陶瓷板和所述PCB板的DIP焊盘，并焊...
    2025-12-04
  • 一种基于轴向电势差的四极杆碰撞池离子清洗方法
    一种基于轴向电势差的四极杆碰撞池离子清洗方法_上海爱柯锐科技有限公司_202510997978.8
    本发明公开了一种基于轴向电势差的四极杆碰撞池离子清洗方法，该方法在四极杆碰撞池内建立恒定的轴向电势差，形成从入口到出口的连续电位梯度；样品经电离和质量选择后，特定质荷比的初级离子进入碰撞池，与碰撞气体发生碰撞诱导解离产生产物离子，产物离子在...
    2025-12-04
  • 一种用于ICP-MS的进样装置
    一种用于ICP-MS的进样装置_四川国检检测有限责任公司_202511430833.6
    本发明公开了仪器分析技术领域的一种用于ICP‑MS的进样装置，包括进液机构和雾化机构；进液机构用于将液体样品输入至雾化机构，雾化机构包括同心雾化器和雾化室，同心雾化器与雾化室连通，雾化室连通有废液桶和ICP炬管；同心雾化器与雾化室连通路径上...
    2025-12-04
  • 质谱分析装置和方法
    质谱分析装置和方法_宁波华仪宁创智能科技有限公司_202410554184.X
    本发明提供了质谱分析装置和方法，质谱分析装置包括电喷雾模块、质谱分析仪和底座，所述质谱分析仪设置在所述底座上；所述电喷雾模块包括毛细管、基座和导电探针，所述毛细管插入所述基座内，基座的外径大于毛细管的外径；支架包括：第一承载部上具有多个并列...
    2025-12-04
  • 一种抑制高温预反应的混合腔体
    一种抑制高温预反应的混合腔体_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202511103154.8
    本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种抑制高温预反应的混合腔体。旨在优化混合腔体的温场调控结构从而抑制副反应的发生。混合腔体包括混合腔主体和匀气件底座。混合腔主体设于匀气件底座上。混合腔主体包括进气口、多个注水端、多个出水端、通道隔板和...
    2025-12-04
  • 一种硅三维蚀刻装置及蚀刻方法
    一种硅三维蚀刻装置及蚀刻方法_河南芯睿电子科技有限公司_202511044349.X
    本发明公开了一种硅三维蚀刻装置及蚀刻方法，涉及硅刻蚀技术领域。本发明包括预输送组件，包括加工箱，刻蚀组件，包括固定在加工箱外侧壁的刻蚀箱，安装定位组件，包括固定在加工箱下端面的操作箱，锁紧吸附组件，包括固定在刻蚀箱外底部位置且与之内部相接通...
    2025-12-04
  • 一种扫描电子显微镜以及其使用方法
    一种扫描电子显微镜以及其使用方法_屹东光学技术(苏州)有限公司_202511034449.4
    本发明公开了一种扫描电子显微镜以及其使用方法，属于电子显微镜领域，聚光镜的第一永磁体位于第一外极靴内部，第一内极靴与第一外极靴之间形成第一开口以及第二开口，第一开口以及第二开口沿聚光镜的光轴设置，物镜的第二永磁体安装于第二外极靴以及第二内极...
    2025-12-04
  • 用于离子注入机引出电极的双反馈控制系统及控制方法
    用于离子注入机引出电极的双反馈控制系统及控制方法_青岛思锐智能科技股份有限公司_202511101440.0
    本发明公开了一种用于离子注入机引出电极的双反馈控制系统及控制方法。用于离子注入机引出电极的双反馈控制系统，包括：控制模组；驱动器，驱动器与控制模组连接；移动机构，包括移动平台和驱动装置，驱动装置与移动平台驱动连接，驱动装置包括电机、传动机构...
    2025-12-04
  • 电子束量测设备的物镜对准方法与电子束量测设备
    电子束量测设备的物镜对准方法与电子束量测设备_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202510984373.5
    本发明提供了一种电子束量测设备的物镜对准方法与电子束量测设备。其中电子束量测设备的物镜对准方法包括：在预设的各偏转线圈的电流情况下，在物镜的起始电流值的基础上添加周期振荡电流以获取电子束所生成的图像的实际图像偏移量；根据预设的各偏转线圈的电...
    2025-12-04
  • 一种离子注入机及控制方法
    一种离子注入机及控制方法_青岛思锐智能科技股份有限公司_202511101404.4
    本发明公开了一种离子注入机及控制方法。离子注入机包括：材料源，用于提供气态反应物；离子源弧室，用于使气态反应物形成等离子体；引出电极，用于从离子源弧室引出离子束；供气系统，包括气源和出气管，气源与出气管相连，气源与出气管之间设置有第一流量计...
    2025-12-04
  • 一种慢波结构、太赫兹行波管装置以及通信装置
    一种慢波结构、太赫兹行波管装置以及通信装置_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202511049973.9
    本发明提供了一种慢波结构、太赫兹行波管装置以及通信装置。本发明提供的慢波结构通过将第一子慢波结构与第二子慢波结构巧妙结合，能够有效解决现有技术中输出功率不足的技术问题。具体地，第一子慢波结构通过预设的强耦合阻抗对电子束进行群聚调制，从而提高...
    2025-12-04
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