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最新专利技术
  • 一种阵列LED芯片及其制备方法
    一种阵列LED芯片及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202511125838.8
    本发明公开了一种阵列LED芯片及其制备方法，涉及LED制造技术领域，阵列LED芯片包括堆叠的N型硅衬底、绝缘层、键合金属层、发光结构层和保护层，N型硅衬底中设置有多个P型掺杂区，P型掺杂区与四周的N型硅衬底区域构成齐纳二级管结构；键合金属层...
    2025-11-23
  • 一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法
    一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511454468.2
    本申请公开了一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法，包括S1，蓝光Micro LED芯片预处理；S2，光刻工艺处理；S3，涂覆硅胶荧光粉混合物；S4，真空静置与高温固化；S5，高精度研磨减薄；S6，光刻胶去除；可选S7，增设挡光结...
    2025-11-23
  • 一种基于晶圆键合的全彩micro-LED显示器件制备方法
    一种基于晶圆键合的全彩micro-LED显示器件制备方法_闽都创新实验室_202511085925.5
    本公开属于显示器件技术领域，涉及一种基于晶圆键合的全彩micro‑LED显示器件制备方法，包括：制备至少一个micro‑LED晶圆，其包含与驱动基板部分或全部像素排布位置相对应的micro‑LED；同一所述micro‑LED晶圆上的micr...
    2025-11-23
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_天津三安光电有限公司_202510926504.4
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，本申请的发光二极管的电流扩展层形成有凹陷区以及位于凹陷区周围的平台区，透明绝缘层覆盖电流扩展层并且不完全覆盖其中的平台区。透明导电层覆盖透明绝缘层以及未被透明绝缘层覆盖的平台区，并且透明导电层远离电流扩展...
    2025-11-23
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511065970.4
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括基板、半导体叠层、第一金属保护层和第二金属保护层；半导体叠层设置于基板的第一表面上方；第一金属保护层设置于基板与半导体叠层之间，与第二半导体层电连接；第二金属保护层围绕第一金属保护层的周向...
    2025-11-23
  • 多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片
    多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511476365.6
    本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及双色发光LED芯片，多量子阱层包括周期性层叠设置的第一发光多量子阱层、插入层以及第二发光多量子阱层；其中，第一发光多量子阱层当中的阱层的In组分含量不同于第二发光多量子阱层当中的阱层的In组分含...
    2025-11-23
  • 一种抗热衰红光Micro LED外延结构及制备方法
    一种抗热衰红光Micro LED外延结构及制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511450447.3
    本申请公开了一种抗热衰红光Micro LED外延结构及其制备方法，所述外延结构从下至上依次包括衬底层、n型缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型欧姆接触层、n型限制层、量子阱结构、p型间隔层、p型电子阻挡层及p型欧姆接触层；其中量子阱结构由1–5对I...
    2025-11-23
  • 一种发光二极管剥料设备
    一种发光二极管剥料设备_如皋市思晶源电子有限公司_202511467304.3
    本申请公开了一种发光二极管剥料设备，属于二极管技术领域。包括机架，机架一端设置有用于输送带有LED的载体的送料机构，送料机构出料端设置有用于对载体上的LED进行精确定位的定位机构，定位机构外部设置有弹性刀片组件及用于收集剥离后的LED和载体...
    2025-11-23
  • 一种降低红光Micro LED功耗的方法
    一种降低红光Micro LED功耗的方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511454446.6
    本申请公开了一种降低红光Micro LED功耗的方法，包括：S1，片源准备；S2，预处理清洗；S3，光刻成型；S4，残胶去除；S5，氧化层清除；S6，复合金属沉积；S7，去胶脱附；S8，外观筛选；S9，退火处理；还可增设S10，性能验证；核...
    2025-11-23
  • 一种图形化蓝宝石衬底的离子注入和外延工艺
    一种图形化蓝宝石衬底的离子注入和外延工艺_福建中晶科技有限公司_202410585651.5
    本发明涉及图形化蓝宝石衬底的离子注入技术领域，尤其涉及一种基于图形化蓝宝石衬底离子注入及外延工艺。其技术方案包括：在图形化蓝宝石衬底上涂胶，通过工艺降低光刻胶厚度使其漏出图形化蓝宝石衬底侧壁，对图形化蓝宝石衬底侧壁进行离子注入，去除剩余光刻...
    2025-11-23
  • 一种可自主控温的光伏发电板及光伏发电装置
    一种可自主控温的光伏发电板及光伏发电装置_阿坝水电开发有限公司_202510870593.5
    本发明涉及光伏发电技术领域，特别是一种可自主控温的光伏发电板及光伏发电装置，其中光伏发电板包括第一换热层，在第一换热层上依次层叠有温度控制层、光伏板层和第二换热层；温度控制层包括半导体控温材料板和换热膜，半导体控温材料板与换热膜之间填充有多...
    2025-11-23
  • 光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511483564.X
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件，光伏电池包括：基底；第一保护层，位于所述基底的表面；氧化铝层，位于所述第一保护层远离所述基底的表面；第二保护层，位于所述氧化铝层远离所述第一保护层的表面。本公开实施...
    2025-11-23
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511486743.9
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，第一边缘与第三边缘的交叉位置处形成有第一倒角；若干第一串接区包括最靠近第一边缘的第一边缘串接区，第一边缘串接区与第一边缘之间不具有第二串接区，在第一细栅...
    2025-11-23
  • 太阳能电池、光伏组件以及印刷网版组件
    太阳能电池、光伏组件以及印刷网版组件_天合光能股份有限公司_202511486629.6
    本申请涉及一种太阳能电池、光伏组件以及印刷网版组件，包括电池片和栅线结构；电池片包括第一表面；栅线结构设于第一表面；栅线结构包括多条第一栅线；多条第一栅线沿第一方向延伸，且沿与第一方向相交的第二方向间隔排布；第一方向和第二方向均垂直于电池片...
    2025-11-23
  • 背接触电池片、光伏组件和光伏系统
    背接触电池片、光伏组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511470800.4
    本申请涉及光伏技术领域，提供一种背接触电池片、光伏组件和光伏系统，背接触电池片包括：硅基体，包括第一表面；第一表面设置有隔离部、交替间隔排列的第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域和第二掺杂区域通过隔离部隔离；第一掺杂区域上设置有第一掺杂...
    2025-11-23
  • 光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法
    光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511483513.7
    本公开涉及太阳能电池技术领域，提供一种光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法。该制造方法包括：提供基底，基底的第二面包括第一区域和第二区域；在第二面上形成隧穿层；采用第一沉积工艺在隧穿层表面形成第一多晶硅层；采用第二沉积工艺在第一多晶硅...
    2025-11-23
  • 一种整片结构及硅片装卸系统
    一种整片结构及硅片装卸系统_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202511268219.4
    本发明提供一种整片结构及硅片装卸系统，其中整片结构包括两个运动装置，运动装置包括在第一方向上间隔设置的第一整片臂和第二整片臂，第一整片臂和第二整片臂沿垂直于第一方向的第二方向延伸，两个运动装置中对应的第二整片臂在同时垂直于第一方向和第二方向...
    2025-11-23
  • 背接触光伏电池及其制备方法、光伏组件
    背接触光伏电池及其制备方法、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511178630.2
    本申请涉及一种背接触光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的背接触光伏电池的制备方法，包括：提供电池预成品，电池预成品的第一表面上间隔设置有正极栅线以及负极栅线；于第一预设区域对电池预成品施加小于击穿电压的反向电压；使用激光光源于第二预设区...
    2025-11-23
  • 一种串联肖特基结的光电探测器及制备方法
    一种串联肖特基结的光电探测器及制备方法_郑州炜盛电子科技有限公司_202511161200.X
    本发明涉及一种串联肖特基结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器具有Si/MSe₂/Se的串联肖特基结结构，其中M为钯、铂或钼。其制备方法为：将金属M膜在富硒的生长条件下生长MSe2薄膜的同时将过量的硒蒸汽物理沉积到MSe2的表面，从而获...
    2025-11-23
  • 一种背接触电池表面结构的制备方法
    一种背接触电池表面结构的制备方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511106314.4
    本发明提供一种背接触电池表面结构的制备方法，涉及背接触电池技术领域，包括如下步骤：S1、对硅片表面进行双面抛光：先粗抛，去除硅片表面损伤层，再用酸和臭氧清洗，再精抛，而后用双氧水和碱的混合液清洗，再用臭氧和酸洗，而后用酸和双氧水混合液清洗，...
    2025-11-23
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