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最新专利技术
  • 碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法
    碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511129099.X
    本发明公开了一种碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法，其中，碳化硅外延片包括：碳化硅衬底；位于碳化硅衬底的碳面一侧的缓冲层；缓冲层为在第一预设压力下形成；位于缓冲层远离碳化硅衬底一侧的漂移层；漂移层为在第二预设压力下形成。本发明可有...
    2025-11-24
  • 一种氧化镓基异质结及其生长方法
    一种氧化镓基异质结及其生长方法_中山大学_202510907465.3
    本发明公开一种氧化镓基异质结及其生长方法，涉及半导体异质结技术，针对现有技术中缺乏高质量单畴氧化镓异质结的问题提出本方案。在衬底上利用第一掩膜以图形化氧化镓的指定生长区域，并在其上侧向生长ε相氧化镓晶体再愈合；利用第二掩膜隔离混畴部分，对外...
    2025-11-24
  • 一种基于单掩膜的氧化镓薄膜及其生长方法
    一种基于单掩膜的氧化镓薄膜及其生长方法_中山大学_202510907468.7
    本发明公开一种基于单掩膜的氧化镓薄膜及其生长方法，涉及半导体薄膜技术，针对现有技术中缺乏高质量单畴氧化镓薄膜的问题提出本方案。在衬底上设置缓冲层，并在其上侧向生长ε相氧化镓晶体并愈合；利用阻挡层隔离混畴部分，对外露的单畴部分进行二次生长，得...
    2025-11-24
  • 一种基于双掩膜的氧化镓薄膜及其生长方法
    一种基于双掩膜的氧化镓薄膜及其生长方法_中山大学_202510907467.2
    本发明公开一种基于双掩膜的氧化镓薄膜及其生长方法，涉及半导体薄膜技术，针对现有技术中缺乏高质量单畴氧化镓薄膜的问题提出本方案。在衬底上利用第一掩膜以选择图形化缓冲层上的生长区域，并在其上侧向生长ε相氧化镓晶体再愈合；利用第二掩膜隔离混畴部分...
    2025-11-24
  • 一种功率半导体器件及其制备方法
    一种功率半导体器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511146494.9
    本发明公开了一种功率半导体器件及其制备方法，其中，功率半导体器件包括：衬底；缓冲层和沟道层，缓冲层位于衬底的一侧，沟道层位于缓冲层远离衬底的一侧；第一势垒层，位于沟道层远离衬底的一侧；阻挡层，位于第一势垒层远离衬底的一侧；第二势垒层，位于阻...
    2025-11-24
  • 半导体功率器件的终端结构及其制备方法
    半导体功率器件的终端结构及其制备方法_清纯半导体(宁波)有限公司_202510952801.6
    本申请提供一种半导体功率器件的终端结构及其制备方法，半导体功率器件的终端结构包括：衬底层；位于衬底层一侧的外延层，外延层包括有源区和包围有源区的终端区；主结，位于终端区中；场限环，位于终端区中，多个场限环沿有源区至终端区的方向上间隔排布；结...
    2025-11-24
  • 半导体设备
    半导体设备_瑞萨电子株式会社_202510477445.7
    本公开的实施例涉及半导体设备。提供一种宽带隙半导体设备，该宽带隙半导体设备对栅极电极(沟槽)与穿通阻止层之间的错位具有较高的鲁棒性。一种技术概念是，以在建立平面的X方向和Y方向中的Y方向上延伸的沟槽在X方向上以预定间隔被布置为前提，由在建立...
    2025-11-24
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410598791.6
    本申请实施例提供的一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层包括栅极区域、以及位于栅极区域两侧的源极区域和漏极区域；第一P型半导体层，第一P型半导体层位于栅极区域、并位于势垒层远离衬底的...
    2025-11-24
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_苏州晶湛半导体有限公司_202410598763.4
    本申请提供了一种半导体结构，包括依次层叠设置的衬底、沟道层和势垒层，位于栅极区域的P型半导体层用以实现增强型器件；P型半导体层上依次设置结晶层、SiN层和非晶层，结晶层与P型半导体层形成结，阻挡载流子注入，减少漏电流，其次结晶层能增强极化，...
    2025-11-24
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410598227.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层、势垒层和第一P型半导体层，沟道层和势垒层构成异质结，第一P型半导体层耗尽沟道处2DEG、实现增强型器件；在栅极区域的势垒层上方依次设置侧壁对齐的第一P型半...
    2025-11-24
  • 一种围合式屏蔽栅场效应管及其制作方法
    一种围合式屏蔽栅场效应管及其制作方法_捷捷微电(南通)科技有限公司_202511284228.2
    本申请提供了一种围合式屏蔽栅场效应管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该围合式屏蔽栅场效应管包括硅台面区、屏蔽栅、控制栅以及氧化层，屏蔽栅、控制栅均包围硅台面区设置，屏蔽栅、控制栅以及硅台面区之间均间隔设置，且氧化层填充于屏蔽栅、控制栅以及...
    2025-11-24
  • 一种半导体功率器件及其制备方法
    一种半导体功率器件及其制备方法_恒泰柯半导体(上海)有限公司_202511122700.2
    本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法。该器件包括多个呈阵列排布的元胞结构；其中，各元胞结构的边缘一周设置有沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包围沟道区域；该器件包括：衬底；第一外延层；第二外延层，设置于第一外延层远离衬底的一侧，第二外延层包括...
    2025-11-24
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_恒泰柯半导体(上海)有限公司_202511122698.9
    本发明实施例公开一种半导体器件。包括半导体本体，半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域和第一凹槽；第一凹槽包括连通的第一子凹槽和第二子凹槽；在垂直于第一表面指向第二表面的方向上，第二子凹槽的尺寸大于第一子凹槽的尺寸；沿第一表面指向...
    2025-11-24
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_恒泰柯半导体(上海)有限公司_202511122295.4
    本发明实施例公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域、第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽包括连通的第一子凹槽和第二子凹槽；第二凹槽至少位于阱区和第一凹槽之间；第一绝缘层；屏蔽栅极...
    2025-11-24
  • 垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法
    垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411624501.7
    本发明提供一种垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法，其中垂直扩散金氧半导体晶体管结构包含一基底、一第一导电型外延层、一栅极结构及一第二导电型主体区域。第一导电型外延层配置于基底上。栅极结构配置于第一导电型外延层上，其具有一栅极导电层及一...
    2025-11-24
  • 半导体器件
    半导体器件_深圳平湖实验室_202511494428.0
    本公开提供了一种半导体器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件电场分布不均匀问题；该半导体器件，包括：衬底、外延层、源极、漏极、栅极和电场调制区；外延层设于衬底上；源极、漏极和栅极嵌设于外延层；电场调制区，设于外延层远离衬底的一侧，...
    2025-11-24
  • 碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法
    碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511115600.7
    本发明的目的在于，在碳化硅半导体装置中，对阈值电压的变动进行抑制，对阻挡金属处的裂缝的产生进行抑制。碳化硅半导体装置(101)具有：碳化硅基板(11)；半导体层(12)，其形成于碳化硅基板(11)之上；栅极电极(18)，其隔着栅极绝缘膜(2...
    2025-11-24
  • 半导体器件
    半导体器件_杰华特微电子股份有限公司_202411736949.8
    本公开提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一阱区和第二阱区，分别位于衬底中，且彼此分隔；高压场板，位于第一阱区上方，与第一阱区电连接，并沿第一阱区朝向第二阱区的方向延伸；以及低压场板，位于第二阱区上方，与第二阱区电连接，并沿第二...
    2025-11-24
  • 半导体结构
    半导体结构_联华电子股份有限公司_202410653820.4
    本发明公开一种半导体结构。半导体结构包含基板、第一阱区、第二阱区、第三阱区、隔离结构、漏极区、源极区以及栅极结构。第一阱区在基板中且具有第一侧表面。第二阱区在基板中且具有第二侧表面。第三阱区在基板中。第二阱区介于第一阱区与第三阱区之间。隔离...
    2025-11-24
  • 一种具有电场屏蔽结构的SiC FINFET功率器件及其制造方法
    一种具有电场屏蔽结构的SiC FINFET功率器件及其制造方法_浙江省白马湖实验室有限公司_202511113522.7
    本发明公开了一种具有电场屏蔽结构的SiC FINFET功率器件及其制造方法，涉及半导体器件制造技术领域，旨在解决FINFET功率器件中纳米级沟槽提升沟道迁移率时引发的三维电场集中问题，包括：第一型的重掺杂衬底；形成于衬底上的第一型漂移区；形...
    2025-11-24
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