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最新专利技术
  • 半导体装置的检查方法
    半导体装置的检查方法_株式会社东芝_202510099694.7
    提供能够防止由BPD引起的半导体装置的特性的降低的半导体装置的检查方法。实施方式包含下面的工序。准备包含碳化硅的半导体基板。通过透射偏振图像取得装置，生成所述半导体基板的透射偏振图像的图像数据。通过透射偏振图像处理装置对图像数据进行图像处理...
    2026-01-30
  • 测试结构及其形成方法
    测试结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202410705025.5
    一种测试结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底，包括第一区和至少一个第二区；在第一区形成第一器件结构；在第二基底上形成介质结构和位于介质结构内的天线结构，天线结构与第一器件结构电...
    2026-01-30
  • 一种芯片键合方法、系统、电子设备及存储介质
    一种芯片键合方法、系统、电子设备及存储介质_广州市艾佛光通科技有限公司_202511268072.9
    本申请提供了一种芯片键合方法、系统、电子设备及存储介质，涉及半导体技术领域。通过获取键合头当前的压力信息和位置信息，并根据这些信息调整键合头的压力输出和升降运动，以使键合头按照预设的降压曲线进行压力释放。该方法有效解决了现有技术中键合压力瞬...
    2026-01-30
  • 键合压盘冷却装置及键合设备
    键合压盘冷却装置及键合设备_智慧星空(上海)工程技术有限公司_202510121322.X
    本申请公开了一种键合压盘冷却装置及键合设备，涉及键合设备相关技术领域。本申请提供的键合压盘冷却装置包括壳体，壳体内形成有安装腔，安装腔内设有吸附组件、加热组件、支撑组件和冷却组件；吸附组件具有在第一方向相对而设的第一侧和第二侧，第一侧用于承...
    2026-01-30
  • 一种Bump芯片抛平方法及Bump芯片
    一种Bump芯片抛平方法及Bump芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511588818.4
    本发明公开了一种Bump芯片抛平方法及Bump芯片，涉及半导体技术领域，所述方法包括：建立抛平过程中凸点剖面轮廓的抛物线模型；依据抛物线模型得到凸点穹顶高度h与凸点底面跨度d的关系；得到凸点底面跨度d的范围，并作为焊盘尺寸范围I；依据芯片推...
    2026-01-30
  • 一种改进的键合工艺方法
    一种改进的键合工艺方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511188727.1
    本发明涉及半导体制备与键合工艺领域，提出一种改进的键合工艺方法，其中包括湿法刻蚀、等离子活化和键合等工艺。所述方法包括测量材料表面的氧化膜层厚度；对键合材料的表面进行湿法刻蚀；对键合材料进行等离子活化；对键合材料进行键合操作；以及对键合材料...
    2026-01-30
  • 管芯接合装置和使用管芯接合装置的管芯定位方法
    管芯接合装置和使用管芯接合装置的管芯定位方法_艾塔尔公司_202510544915.7
    本发明涉及使用管芯接合装置的管芯定位方法，装置包括：滑架；线性编码器，包括编码器标尺以及第一和第二编码器头。滑架包括接合头和相机。接合头的中心轴和相机的光轴沿着行进方向彼此相距第一距离。第一和第二编码器头沿着行进方向彼此相距第二距离，第二距...
    2026-01-30
  • 覆晶封装制程
    覆晶封装制程_印能科技股份有限公司_202410695610.1
    一种覆晶封装制程，包含有：制备多个芯片，各该芯片设置多个导电凸块；制备多个线路载板，各该线路载板对应于各该导电凸块分别配置一焊垫；将各该芯片翻覆并对位，各该芯片及各该线路载板运送至一批量式回焊炉内，进行金属熔接作业，制成多个覆晶封装结构；填...
    2026-01-30
  • 一种用于CSP产品塑封治具
    一种用于CSP产品塑封治具_乐安博特半导体有限公司_202511276465.4
    一种用于CSP产品塑封治具，下治具总成包括底部治具及其支架，底部治具通过安装底板安装在支架上，底部治具采用一模两腔结构，用于同时容纳两个CSP封装体，底部治具设有物料放置台，物料放置台的短边两端设有物料压边机构，物料放置台长边的一侧也设有物...
    2026-01-30
  • 形成封装结构的方法、以及封装结构
    形成封装结构的方法、以及封装结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511102298.1
    方法包括：形成封装组件，包括形成延伸穿过衬底的热通孔；和将管芯接合至热通孔；将封装组件的热通孔附接至封装衬底的第一导电焊盘，其中封装衬底包括位于第一导电焊盘下方的热管；以及将支撑结构附接至封装衬底的第二导电焊盘，其中热管位于第二导电焊盘下方...
    2026-01-30
  • 可降解模具辅助的超声波指纹芯片超薄金属化封装方法
    可降解模具辅助的超声波指纹芯片超薄金属化封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511268847.2
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及可降解模具辅助的超声波指纹芯片超薄金属化封装方法，包括如下步骤：S1：玻璃基板上形成底部电极；S2：均匀铺设PVDF高分子压电薄膜；S3：形成顶部电极图形；S4：形成钝化层；S5：芯片的集成安装；S6：安...
    2026-01-30
  • 一种晶圆对解键合方法
    一种晶圆对解键合方法_宁波美慎电子有限公司_202511252062.6
    本申请公开了一种晶圆对解键合方法，包括如下步骤：将器件晶圆和载体晶圆键合形成的晶圆对放置于特定位置，所述器件晶圆和所述载体晶圆之间通过粘合剂形成有用于键合的粘合剂层；执行通过溶剂对所述粘合剂层的边缘进行溶解消除的预解键合工序，使得所述粘合剂...
    2026-01-30
  • 一种Al/AlN/AlSiC散热模块及其一体化制备方法和IGBT器件
    一种Al/AlN/AlSiC散热模块及其一体化制备方法和IGBT器件_哈尔滨工业大学_202511271616.7
    本发明涉及材料加工的技术领域，具体而言，涉及一种Al/AlN/AlSiC散热模块及其一体化制备方法和IGBT器件。其中，Al/AlN/AlSiC散热模块的一体化制备方法包括：将Al层、AlN层和AlSiC层依次叠放形成三明治结构，并在每相邻...
    2026-01-30
  • 一种芯片封装结构中的中介层及其制备方法
    一种芯片封装结构中的中介层及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511244008.7
    本发明公开了一种芯片封装结构中的中介层及其制备方法，该方法包括以下步骤：提供中介层，在中介层上刻蚀制备多个微通孔；预制高铜柱，提供载体晶圆，在载体晶圆的第一表面键合中介层；将高铜柱精准配合至微通孔内，使微通孔金属化，高铜柱和微通孔之间的空隙...
    2026-01-30
  • 一种氮化铝覆铜衬板制作方法
    一种氮化铝覆铜衬板制作方法_浙江德汇电子陶瓷有限公司_202511185084.5
    本发明公开了一种氮化铝覆铜衬板制作方法，包括激光切割、保护膜印刷、副产物清洗、焊料印刷、烧结、覆膜曝光显影、铜蚀刻、焊料蚀刻和分板步骤。本发明通过对工艺路线优化与整合，无需由基板供应商定制有“切割缝”的氮化铝基板，降低采购成本；其次减少11...
    2026-01-30
  • 一种基于金刚石基的热管理封装基板的制备方法
    一种基于金刚石基的热管理封装基板的制备方法_深圳市故里半导体科技有限公司_202511184806.5
    本发明公开一种基于金刚石基的热管理封装基板的制备方法，包括S100，对金刚石片的部分表面进行激光打孔处理；S200，对金刚石片进行高温氧化处理，以去除打孔过程中金刚石片表面附着的石墨；S300，对金刚石片使用DPC工艺，使其表面形成导通线路...
    2026-01-30
  • 一种超薄复合毛细结构的制作方法
    一种超薄复合毛细结构的制作方法_北京中石伟业科技宜兴有限公司_202511022059.5
    本发明公开了一种超薄复合毛细结构的制作方法，所述复合毛细结构主要由铜网与铜粉复合烧结而成；所述制作方法主要包括以下步骤：步骤1)、准备好厚度为0.05mm~0.1mm的铜网；步骤2)、配制铜浆，将铜粉、粘结剂和造孔剂按一定比例混合均匀后得到...
    2026-01-30
  • 制造半导体器件的方法以及对应的半导体器件
    制造半导体器件的方法以及对应的半导体器件_意法半导体国际公司_202510713408.1
    本公开涉及制造半导体器件的方法以及对应的半导体器件。半导体管芯布置在基板的表面的第一区域处。附加材料被施予到基板的表面的第二区域上以提供凸起构造的浮雕图案。电绝缘材料被模制到基板的表面上，半导体管芯布置在基板的表面的第一区域处。电绝缘材料封...
    2026-01-30
  • 制造半导体集成电路封装的方法
    制造半导体集成电路封装的方法_安世有限公司_202510690131.5
    本公开公开了一种利用焊料可润湿镀覆制造半导体集成电路封装的方法，所述方法包括以下步骤：提供放置在单体化带上的无引线封装的阵列，其中所述阵列包括引线框架，各引线框架具有在下侧处的接触垫、和包封层，所述集成电路被包封在所述包封层中；在底侧处将导...
    2026-01-30
  • 一种离子注入方法
    一种离子注入方法_济南晶正电子科技有限公司_202511192144.6
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种离子注入方法。所述方法包括以下步骤：准备待注入晶圆，所述待注入晶圆具有离子注入面；在所述待注入晶圆的离子注入面上制备导电层；自所述导电层向待注入晶圆进行离子注入，离子注入期间保持导电层接地，得到离子注入...
    2026-01-30
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