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  • 本发明涉及一种锂二次电池负极活性材料,其包含天然石墨,所述天然石墨满足式1。在[式1]中,0.04g/cm3≤Dpress‑Dtap≤0.085g/cm3,其中Dpress为在5.5kgf/cm2的外加压力下的天然石墨的压缩密度,并且Dta...
  • 本发明的一个方面涉及的正极活性物质粒子具有第一活性物质粒子和第二活性物质粒子,上述第一活性物质粒子和上述第二活性物质粒子分别包含具有聚阴离子结构的锂过渡金属化合物,上述第一活性物质粒子的破坏试验力为5.0mN以上,上述第二活性物质粒子的破坏...
  • 提供能够提高非水电解质二次电池的耐久性的正极活性物质。该非水电解质二次电池中所含的正极活性物质包含锂过渡金属复合氧化物,锂过渡金属复合氧化物含有Ni、Ca和Sr,并且包含一次颗粒聚集而形成的二次颗粒,在使用飞行时间二次离子质谱法的锂过渡金属...
  • 本公开涉及一种钒氧化物复合体,其具备含有用组成式(1):Li3+x+aV1‑xMxO4+a/2表示的钒氧化物的粒子、和将该粒子的表面的至少一部分覆盖的导电性材料。在此,在组成式(1)中,满足0<a<1、以及0≤x<1,且M为选自4价金属元素...
  • 本发明涉及一种正极材料,其包含多个单颗粒型正极活性材料颗粒,其中所述单颗粒型正极活性材料颗粒包含1至30个一次颗粒,所述一次颗粒的圆度的算术平均值与所述一次颗粒的凸度的算术平均值的乘积为至少0.60,其通过对所述正极材料的扫描电子显微镜(S...
  • 本发明涉及一种正极材料,其包含多个单颗粒型正极活性材料颗粒,其中所述单颗粒型正极活性材料颗粒包含1至30个一次颗粒,所述一次颗粒的坚固度的算术平均值与所述一次颗粒的平均长径比的比率为至少0.58,所述坚固度通过对所述正极材料的扫描电子显微镜...
  • 一种电极形成用浆料,其含有电极活性物质、导电助剂、非水电解液及分散剂,该分散剂由重均分子量1000~15000的聚合物构成,该聚合物含有80~99质量%的由下述式(1)表示的构成成分及合计1~20质量%的由下述式(2)或(3)表示的构成成分...
  • 本发明涉及干电极,包括干电极膜作为电极活性材料层,电极活性材料层包含电极活性材料和粘结剂树脂,其中粘结剂树脂是原纤化的,以及电极活性材料层具有5.0 μm或更大的平均孔径和15体积%至50体积%的孔隙率,并且平均孔径基于最长孔径计算。
  • 作为本公开的一个方式的非水电解质二次电池用正极(11)的特征在于,具有正极芯体和形成于正极芯体的表面的正极合剂层,正极合剂层包含具有层状结构的含锂过渡金属复合氧化物作为正极活性物质,含锂过渡金属复合氧化物是一次颗粒聚集而形成的二次颗粒,在二...
  • 作为本公开的一个方式的非水电解质二次电池用正极(11),其特征在于,具有正极芯体(30)和形成于正极芯体的表面的正极合剂层(31),正极合剂层(31)包含含锂过渡金属复合氧化物作为正极活性物质,在含锂过渡金属复合氧化物的颗粒表面存在式(I)...
  • 本发明可以提供一种防止发生褶皱和鼓胀现象且具有优异的容量保持率和能量密度的电极。此外,本发明可以提供一种包括所述电极的电池电芯、电池模块和电池组,并且可以提供一种包括所述电池电芯、电池模块和电池组中的至少一种以上的电气装置。
  • 本发明涉及一种正极活性材料以及包含该正极活性材料的正极和锂二次电池,其中所述正极活性材料能够同时解决常规二次颗粒的问题和单颗粒的问题的正极活性材料,其中,所述正极活性材料包括:如常规的单颗粒等颗粒作为一次颗粒,并包括由多个一次颗粒聚集形成的...
  • 根据本发明的一实施例的光传感器封装件的制造方法可以包括:在基板带上的每个基板单元上形成隔壁的步骤,在每个基板单元安装如发光部和收光部之类的传感器元件的步骤,以及在每个基板单元上利用封装材料形成模塑构件的步骤;隔壁配置在发光部和收光部之间。
  • 提供电感小的半导体装置。实施方式的半导体装置具有:第一电路基板,具有多个第一半导体元件;第二电路基板,具有多个第二半导体元件;以及输出端子,将第一电路基板的第一输出配线与第二电路基板的第二输出配线连接,具有平面部、第一脚部、第二脚部以及第一...
  • 提供了半导体器件和方法。在一个示例中,一种半导体器件包括有源区,该有源区包括一个或多个有源半导体单元。该半导体器件在有源区上包括金属化结构。该金属化结构包括铍。
  • 一种示例方法(100)包含在引线框架的多层衬底中形成空腔(102)。所述空腔从所述引线框架的第一衬底表面延伸到所述多层衬底中以界定空腔底板,所述空腔底板通过空腔侧壁与所述第一衬底表面间隔开,且至少一个导电端子在所述空腔底板上。所述方法还包含...
  • 本公开提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包含第一半导体裸片及第二半导体裸片。所述第一半导体裸片具有第一介电材料层及安置于所述第一介电材料层的第一开口中的第一导电垫。所述第二半导体裸片具有面向所述第一介电材料层的第二介电材料层,及...
  • 一种元件包括衬底和在衬底上的表面层。表面层包括:至少一个第一区域,其包括光学透明并且电绝缘的第一材料;以及至少一个第二区域,其至少部分地被嵌入至少一个第一区域中。该至少一个第二区域包括光学透明并且导电的第二材料。
  • 本发明描述与具有用于在制造期间检测接合空隙的一或多个电介质结构的半导体设备相关的方法、设备及系统。在一些实施例中,半导体晶片包含所述电介质结构。在将所述晶片接合到另一结构之后,可跨所述电介质结构及所述另一晶片测量电容。所述所测量电容可用于检...
  • 一种探针装置,其具备支撑检测对象的支撑部,和移动所述支撑部,调整所述支撑部的姿态的驱动部,以及控制部,所述控制部执行:(a)处理,控制所述驱动部,从而将所述检测对象定位于预定位置,(b)处理,基于测量所述检测对象的特性的测量结果,检测所述检...
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