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最新专利技术
  • 一种晶体生长托杆设计方法及托杆
    一种晶体生长托杆设计方法及托杆_成都天一晶能半导体有限公司_202511626826.3
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种晶体生长托杆设计方法，包括如下步骤：步骤S1、对托杆的几何参数进行设计，避免托杆在随长晶炉一起旋转时发生振动现象；步骤S2、对托杆的实物结构进行设计，使得籽晶粘接炭化后产生的气体排出。本发明通过对托杆的...
    2026-02-14
  • 一种在1823K快速生长致密SiC单晶的方法
    一种在1823K快速生长致密SiC单晶的方法_四川大学_202511112831.2
    本发明涉及一种在1823K快速生长致密SiC单晶的方法，属于半导体材料技术领域。采用电弧炉在微负压的惰性气氛下将特定配比的硅、稀土金属RE、过渡族金属添加剂M和金属铝预熔成Si‑RE‑Al‑M合金锭；将预熔的Si‑RE‑Al‑M合金锭放置在...
    2026-02-14
  • 一种具有高压电响应的低成本无铅压电单晶及制备方法
    一种具有高压电响应的低成本无铅压电单晶及制备方法_四川饶玉新材料科技有限公司_202511323866.0
    本发明涉及单晶材料制备技术领域，特别是涉及一种具有高压电响应的低成本无铅压电单晶及制备方法，所述无铅压电单晶为无铅钙钛矿结构，其化学通式为xBi0.5Na0.5TiO3‑yBi0.5K0.5TiO3‑(1‑x‑y)Bi0.5Li0.5TiO...
    2026-02-14
  • 一种单晶硅的拉晶放肩方法及降低放断率的单晶硅拉晶方法
    一种单晶硅的拉晶放肩方法及降低放断率的单晶硅拉晶方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511480517.X
    本发明公开了一种单晶硅的拉晶放肩方法及降低放断率的单晶硅拉晶方法，属于单晶技术领域，包括以下步骤：S1, 建立放肩晶体模型，模型参数为放肩高度值，放肩角度值；S2, 放肩阶段中，计算出当前晶体的直径生长速率，与预设的放肩晶体模型比较，如果当...
    2026-02-14
  • 减少12寸红磷硅单晶外延层错的热场、方法、产品及单晶炉
    减少12寸红磷硅单晶外延层错的热场、方法、产品及单晶炉_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511342943.7
    本发明属于半导体材料加工设备技术领域，具体涉及一种减少12寸红磷硅单晶外延层错的装置、方法、产品及单晶炉，装置包括主加热器、双层液冷组件及辅助加热组件，冷却液注入双层液冷组件内可形成双螺旋通道，以对单晶实施极冷，辅助加热组件位于主加热器与双...
    2026-02-14
  • 一种基于功率反向调节的大直径单晶硅放肩控制方法及其应用
    一种基于功率反向调节的大直径单晶硅放肩控制方法及其应用_重庆臻宝半导体材料有限公司_202511334479.7
    本申请公开了一种基于功率反向调节的大直径单晶硅放肩控制方法及其应用，属于单晶硅棒制备技术领域。该方法保留原有单晶硅生长设备及32英寸热场，仅更换适配目标大直径晶棒的导流筒，在放肩阶段实施主加热器功率降低与底部加热器功率增加的协同控制策略，形...
    2026-02-14
  • 一种聚晶金刚石的制备方法
    一种聚晶金刚石的制备方法_河南四方达超硬材料股份有限公司_202511184970.6
    本发明提供一种聚晶金刚石的制备方法，涉及聚晶金刚石技术领域。本发明提供的聚晶金刚石的制备方法，包括以下步骤：将合成棒原料进行烧结制备聚晶金刚石；所述合成棒原料包括一个或两个以上上下间隔布置的原料单元，所述原料单元包括金属杯和盛装在金属杯内的...
    2026-02-14
  • 一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器
    一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器_中石化南京工程有限公司_202511087573.7
    本发明公开了一种梯度加热和分级进气的颗粒硅流化床反应器，反应器筒体上部为晶种进料区，晶种进料区下部为反应区，反应区下方设有流化气进气管和反应气进气管，流化气进气管的上方设有气体分布器，反应气进气管从气体分布器中向上穿过通入到反应区内，反应气...
    2026-02-14
  • 多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法
    多型SiC异质外延生长制备3C-SiC方法_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511426601.3
    本申请公开了一种多型SiC异质外延生长制备3C‑SiC方法，其包括如下步骤：将多型SiC衬底置于反应腔室中，从第一预设温度开始升温至第二预设温度，采用第一气源以第一流量对多型SiC衬底进行蚀刻处理；维持第二预设温度，控制第一气源为第二流量，...
    2026-02-14
  • 在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法
    在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511110757.0
    本发明涉及半导体外延生长技术领域，且公开了一种在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法，该在大尺寸复杂碳化硅结构件上实现快速CVD涂层的方法，包括以下步骤：S1、表面预处理与活性位点构建，预处理碳化硅结构件表面，通过物理或化学修饰...
    2026-02-14
  • 一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法
    一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511707452.8
    本发明涉及一种用于外延炉厚膜生长的石英轴结构及其工艺的操作方法，包括由石英材料制成的轴体，轴体的一端用于连接驱动机构，另一端设有用于支撑晶圆基座的轴支架；其中，外延炉内设有用于顶升晶圆基座的圆柱形升降销，轴支架上设有供升降销贯穿并升降运动的...
    2026-02-14
  • 一种半导体晶圆外延炉用基座
    一种半导体晶圆外延炉用基座_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511520748.9
    本发明涉及一种半导体晶圆外延炉用基座，包括座体，座体上设置有用于安装晶圆设置的外延空间，座体包括设置在中心位置用于支撑晶圆设置的支撑部以及包围支撑部一周并与支撑部之间形成外延空间的边缘引流部，座体上方设有与外延空间连接且用于气体水平流动的气...
    2026-02-14
  • 一种提高MOCVD砷磷基外延片组分均匀性的卫星石墨盘
    一种提高MOCVD砷磷基外延片组分均匀性的卫星石墨盘_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511327991.9
    本发明涉及一种提高MOCVD砷磷基外延片组分均匀性的卫星石墨盘，属于半导体制造设备生产领域，包括：石墨盘体；至少一个片槽，设在所述石墨盘体正面并用于容纳衬底片放置；内凹槽，位于所述片槽的底部边缘，且与所述片槽之间形成空隙，所述空隙与所述石墨...
    2026-02-14
  • 一种用于厚膜外延生长的一体化高效预热组件及其应用工艺
    一种用于厚膜外延生长的一体化高效预热组件及其应用工艺_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511249947.0
    本发明涉及一种包括反应腔室、设置于反应腔室内的基座及预热环，预热环为无缝一体成型的圆环结构，预热环包括：与反应腔室的下环件内壁匹配固定的下部圆顶集成部以及沿下部圆顶集成部向基座方向水平延伸的预热部，下部圆顶集成部的曲率半径与下环件的曲率半径...
    2026-02-14
  • 一种能够减振的反应室
    一种能够减振的反应室_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511388274.7
    本发明涉及反应室技术领域，公开了一种能够减振的反应室，包括圆筒，其用于盛装反应物料，底座，其设置于圆筒的底部，用于支撑圆筒，若干个第一减振单元，其设置于底座和圆筒之间，用于圆筒的减振，若干个第二减振单元，其设置于底座和圆筒之间，用于圆筒的减...
    2026-02-14
  • 一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备
    一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备_瑶光半导体(浙江)有限公司_202511354564.X
    本发明公开了一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备，涉及半导体制造设备领域。包括上盖，设于所述反应腔顶部；基座，可转动的设于反应腔内且与所述上盖平行间隔设置；多个卫星盘，呈圆周分布在基座上，用于承载待加工件，其中，所述上盖设有第一进气结...
    2026-02-14
  • 一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法
    一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法_合肥致真精密设备有限公司_202511218438.1
    本发明公开了一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法，具体涉及MBE薄膜生长设备技术领域，包括真空腔体系统和传送样系统；真空腔体系统包括通过闸板阀依次连接的快速进样腔、预处理腔、工艺腔和互联腔；传送样系统包括：安装在快速进样腔底部的样品架...
    2026-02-14
  • 基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法
    基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法_哈尔滨工业大学_202511399686.0
    本发明涉及金刚石材料制备技术领域，具体涉及基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法，首先对金刚石基底预处理并利用原子力显微镜扫描获取表面三维形貌，确定凹陷与平整区域，据此设计局域偏压分布图谱，对凹陷区域施加较大负偏压，平整区域施加...
    2026-02-14
  • 一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用
    一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用_北京大学_202511109831.7
    本发明提供一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。本发明的大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜为连续均一硒氧化铋单晶薄膜，且所述大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜的晶圆直径大于等于4英寸。本发明的大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶...
    2026-02-14
  • 一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的AlN单晶PVT生长方法及装置
    一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的AlN单晶PVT生长方法及装置_俞瑞仙_202511361159.0
    本发明公开了一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的氮化铝(AlN)单晶PVT生长方法及装置。该方法在生长过程中分段调节压力：升温过程中将腔体压力维持在0.9Mpa‑大气压。达到生长温度时，气压降低至0.5‑0.8MPa，压力在生长过程中周期性微...
    2026-02-14
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