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最新专利技术
  • 芯片封装结构及其制备方法、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511746638.4
    本申请提供了一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备，解决了现有技术中芯片封装结构散热能力较差的问题。其中，芯片封装结构包括：芯片，包括依次叠置的基底、电路层和多个芯片引脚，电路层包括叠置的多个导电层和至少一个绝缘层，绝缘层位于相邻导电层之间...
    2026-01-23
  • 芯片封装及其形成方法
    芯片封装及其形成方法_上海纳矽微电子有限公司_202511630509.9
    本申请公开了一种芯片封装及其形成方法，该封装包括塑封体，散热基板，绝缘基板，第一芯片和第二芯片，其中塑封体具有上表面和下表面，散热基板具有第一表面和第二表面，其中散热基板的第一表面从塑封体的上表面或者下表面暴露。绝缘基板具有第三表面和第四表...
    2026-01-23
  • 一种无陶瓷基板直接液冷绝缘封装的功率模块及其制备方法
    一种无陶瓷基板直接液冷绝缘封装的功率模块及其制备方法_长沙永擎新材料科技有限公司_202511511380.X
    本发明公开了一种无陶瓷基板直接液冷绝缘封装的功率模块及其制备方法，属于功率半导体封装技术领域。该模块包括半导体功率芯片、金属块、多个连接层与金属结构件、绝缘密封结构及密封液冷装置。芯片下表面电极通过第一连接层与金属块相连，金属块直接与绝缘冷...
    2026-01-23
  • 半导体器件和形成用于FCBGA-H封装的具有表面等离子体处理的散热器的方法
    半导体器件和形成用于FCBGA-H封装的具有表面等离子体处理的散热器的方法_星科金朋私人有限公司_202510877094.9
    半导体器件和形成用于FCBGA‑H封装的具有表面等离子体处理的散热器的方法。一种半导体器件具有衬底和布置在衬底上方的电组件。具有等离子体增强表面的散热器布置在电组件上方。TIM布置在电组件和散热器的等离子体增强表面之间。TIM可以沉积在电组...
    2026-01-23
  • 晶圆结构及接触结构的制作方法
    晶圆结构及接触结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511500353.2
    本发明提供一种晶圆结构及接触结构的制作方法，该接触结构的制作方法包括以下步骤：提供一包括器件区及边缘区的半导体结构，器件区中形成有多个器件结构，器件区的上表面高于边缘区的上表面，边缘区上表层形成有边缘缓冲层；依次形成覆盖边缘缓冲层上表面的中...
    2026-01-23
  • 一种多芯片高密度三维互联的板级封装结构及封装方法
    一种多芯片高密度三维互联的板级封装结构及封装方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511473873.9
    本发明提供了一种多芯片高密度三维互联的板级封装结构，其能够避开高深宽比互联微孔制作及其金属化的困难制程，并且适配不同尺寸规格的多芯片封装。其包括：上层芯片组，其包括有上层分布线路层、上层塑封层、上层铜柱、排布设置的若干上层芯片；下层芯片组，...
    2026-01-23
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510380912.4
    本公开涉及半导体器件及形成方法。在半导体器件的接触结构上形成半导体器件的导电结构之前，执行使用金属前体的预清洁操作以从接触结构的顶表面去除金属氧化物层。针对预清洁操作使用金属前体作为预清洁剂使得能够完全去除原生氧化物(而不仅是诸如氧之类的组...
    2026-01-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410912169.8
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成互连线，用于与互连结构电连接；形成覆盖互连线顶面的生长层，生长层的材料与互连结构的材料相同；在生长层上形成互连结构，互连结构通过生长层与互连线电连接。本发明有利于保障半导体结构的性...
    2026-01-23
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202511497011.X
    本申请涉及半导体装置。一种半导体装置包括：第一半导体结构，其包括存储器阵列；与第一半导体结构间隔开的第二半导体结构，该第二半导体结构包括第一晶体管；在第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一绝缘层；在第二半导体结构和第一绝缘层之间的第二绝缘...
    2026-01-23
  • 一种光电共封装结构及方法
    一种光电共封装结构及方法_湖北江城实验室_202511560119.9
    本申请提供了一种光电共封装结构，所述光电共封装结构包括：重构晶圆、光芯片和电芯片。所述重构晶圆包括：第一虚拟芯片和第二虚拟芯片。所述第一虚拟芯片位于所述第二虚拟芯片沿第一方向的一侧；其中，所述第一虚拟芯片被配置为与所述光芯片实现光学互连，所...
    2026-01-23
  • 阻挡层及其形成方法、半导体器件
    阻挡层及其形成方法、半导体器件_重庆芯联微电子有限公司_202511291096.6
    本发明提供了一种阻挡层及其形成方法、半导体器件，属于半导体领域。该阻挡层形成方法包括提供一半导体结构。通入前驱体，并使用惰性气体作为载气，在设定温度范围下，在所述半导体结构的表面形成阻挡层。采用设定波长的紫外线照射所述阻挡层。本发明通过设置...
    2026-01-23
  • 针对顶部逻辑半导体系统的直通电力输送
    针对顶部逻辑半导体系统的直通电力输送_美光科技公司_202510900211.9
    本申请涉及针对顶部逻辑半导体系统的直通电力输送。半导体系统可经配置有直通堆叠的半导体组件(例如，通过一或多个存储器堆叠)的电力输送导体的二维图案，从而向与所述堆叠接合的逻辑组件提供更分布式的电力输送。所述电力输送导体可包含绕过所述堆叠的电路...
    2026-01-23
  • 芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备
    芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备_华为技术有限公司_202410881783.2
    本申请提供一种芯片及其制作方法、芯片封装结构、电子设备，涉及半导体技术领域，能够阻断衬底背面引入的金属污染。该芯片包括衬底结构、有源器件、硅通孔。其中，衬底结构包括：第一衬底、第二衬底、介质层。介质层位于第一衬底和第二衬底之间，且介质层能够...
    2026-01-23
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510427582.X
    本申请公开了半导体器件及其形成方法。在半导体器件的互连层中的互连结构的最底层上方形成导电材料的层，并且蚀刻导电材料的层以从导电材料的层限定金属化结构的最底层。为了降低独立式金属化结构塌陷的可能性，独立式金属化结构的暴露侧壁表面可以被氧化以形...
    2026-01-23
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861159.7
    本发明提出一种半导体结构的制备方法，属于半导体领域，包括步骤：在衬底上依次形成掺杂层、垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氮化层、所述垫氧化层、所述掺杂层和部分所述衬底，形成浅沟槽后，在所述浅沟槽内沉积绝缘材料，直至所述浅沟槽内的所述绝缘材料突出...
    2026-01-23
  • 一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
    一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511597339.9
    本申请公开一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供衬底；刻蚀衬底，形成具有第一深度的深沟槽；在深沟槽内填充隔离材料；刻蚀隔离材料外周的衬底，形成具有第二深度的环状槽，第二深度小于...
    2026-01-23
  • 一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
    一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511597319.1
    本申请公开一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构，包括衬底、深沟槽、浅沟槽和应力调节层，浅沟槽自衬底上表面向衬底的下表面凹陷，深沟槽自浅沟槽的底壁向衬底的下表面凹陷，深沟槽与浅沟槽相连通，浅沟槽的直...
    2026-01-23
  • 深沟槽隔离结构及其制作方法
    深沟槽隔离结构及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511432075.1
    本发明提供一种深沟槽隔离结构及其制作方法，包括衬底及由深入衬底的隔离沟槽隔离形成的条形结构，条形结构包括柱体及柱体两侧交错设置的凸起。本发明改变原有硅柱的结构设计，在硅柱的两侧间隔设置凸起，凸起相当于增加了DTI硅柱的宽度，避免硅柱倒掉或侧...
    2026-01-23
  • 一种STI填充方法
    一种STI填充方法_重庆芯联微电子有限公司_202511279721.5
    一种STI填充方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有沟槽，半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层以及刻蚀阻挡层，沟槽表面形成有衬垫氧化层；沉积氧化硅，形成第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖刻蚀阻挡层；对半导体衬底进行氮气退火处理；刻...
    2026-01-23
  • 消除深沟槽隔离结构中多晶硅锥形缺陷的方法
    消除深沟槽隔离结构中多晶硅锥形缺陷的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511240608.6
    本发明提供一种消除深沟槽隔离结构中多晶硅锥形缺陷的方法，该方法包括：提供半导体衬底，并在衬底中形成深沟槽；在深沟槽内表面形成隔离介质层后，采用多晶硅填充深沟槽；关键在于，在对衬底进行化学机械平坦化之前，增加一步对填充了多晶硅的衬底进行退火处...
    2026-01-23
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