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一种激光3D打印潜孔钻头硬质涂层及其制备方法
本发明提供一种激光3D打印潜孔钻头硬质涂层及其制备方法。该潜孔钻头硬质涂层为刃型倒角结构的耐磨涂层。本发明新型结构硬质涂层通过增材制造,在潜孔钻头表面附着倒角结构的涂层,既保证钻头在硬质层本身具备优异的耐磨性能作用下使得潜孔钻头在进行坚硬矿...
一种激光熔覆修复方法
本发明涉及激光设备修复技术领域,尤其涉及一种激光熔覆修复方法,包括以下步骤:A、构建待修复滚压刀具x‑z截面与变位机转动角度ω的数据分析空间;B、利用激光扫描仪获取待修复滚压刀具的分析空间数据;C、将所述分析空间数据导入计算机,与待修复滚压...
一种小内孔激光熔覆装置
本发明涉及激光熔覆技术领域,具体涉及一种小内孔激光熔覆装置,其管状主体包括由后至前依次连接的入光接头、准直模块、介质输入模块、延长杆模块、聚焦模块和输出模块;管状主体内设有前后贯通的激光通道,激光通道的轴心线向上偏离管状主体的轴心线;激光通...
激光熔覆刀具路径规划方法、装置、存储介质及电子设备
本申请公开了一种激光熔覆刀具路径规划方法,涉及增材制造加工领域,该方法包括:获取待加工刀具刃口的三维几何数据;基于三维几何数据提取刃口的几何特征,几何特征包括刃口中线及曲率分布;根据几何特征规划激光熔覆路径,激光熔覆路径包括沿刃口中线的主轨...
一种冷喷涂锅具及其制作工艺
本发明公开了一种冷喷涂锅具及其制作工艺,涉及锅具技术领域,包括以下步骤:S1、金属粉末原料的准备与筛分;S2、对锅具基材表面进行丙酮清洗和喷砂处理;S3、粉末混合与供料系统设定;S4、冷喷涂工艺实施,采用高纯氮气为工质,粉末加速至600–9...
一种解决镀锌耐指纹板冲压开裂的方法
本发明公开了一种解决镀锌耐指纹板冲压开裂的方法,其特征在于:涂覆时30次往复动摩擦系数均值<0.10,同时膜厚控制在1.0~1.3μm。本发明的目的是提供一种解决镀锌耐指纹板冲压开裂的方法,确保耐指纹钝化涂层在冲压变形过程中不发生脆裂脱落现...
一种镁合金表面兼具腐蚀防护和油水分离功能的水热膜层制备方法
本发明公开了一种镁合金表面兼具腐蚀防护和油水分离功能的水热膜层制备方法,属于镁合金表面处理技术领域,本发明将镁合金基体置于磷酸钠水热液中进行水热处理,得到水热镀膜样品;再将覆有水热膜层的样品(即水热镀膜样品)置于全氟癸基三乙氧基硅烷‑乙醇溶...
一种镁合金表面碳酸钙膜层的水热钝化方法
本发明公开了一种镁合金表面碳酸钙膜层的水热钝化方法,属于镁合金表面处理技术领域,本发明采用水热的方法对水浴镀膜镁合金进行钝化处理,在原有存在缺陷的碳酸钙沉积膜下形成一层新的致密层,实现镀膜镁合金的“内钝化”,显著增强了镀膜镁合金的耐蚀性。
一种超声辅助CO2增压法制备AZ31B镁合金原位LDHs转化膜提高腐蚀性能的方法
本发明提供了一种超声辅助CO₂增压法制备AZ31B镁合金原位LDHs(层状双氢氧化物,LayeredDoubleHydroxides)转化膜提高耐腐蚀性能的方法,涉及镁合金表面处理技术领域。本发明提供的表面耐腐蚀处理方法包括以下步骤:首先进...
一种激光还原沉积金属与透明基底的界面调控方法
本发明属于激光制造技术领域,涉及一种激光还原沉积金属与透明基底的界面调控方法,将前驱体材料涂覆在透明基底表面,采用超短脉冲激光透过透明基底辐照在前驱体材料与透明基底界面,所述超短脉冲激光按照预设路径在前驱体材料与透明基底界面多次扫描进行激光...
石墨粉的表面镀铜方法
本发明公开了一种石墨粉的表面镀铜方法,包括:称取五水硫酸铜、氯化铜和硝酸铜中的一种,加去离子水溶解配制成浓度为30‑50g/L的溶液;在溶液中加入主络合剂柠檬酸铵、乙二胺四乙酸钠、酒石酸钾钠中的一种,浓度为30‑50g/L;醇胺类辅助络合剂...
一种在晶圆铝焊盘上无需UBM层直接选择性化学镀凸块的方法
本发明公开了一种在晶圆铝焊盘上无需UBM层直接选择性化学镀凸块的方法,涉及半导体制造技术领域,该在晶圆铝焊盘上无需UBM层直接选择性化学镀凸块的方法,包括以下步骤:晶圆选择、碱性除油、酸洗活化、微蚀粗化、活化处理、化学镀镍、清洗干燥以及退火...
钯胶体活化液的制备方法以及化学镀铜的方法
本发明公开一种钯胶体活化液的制备方法以及化学镀铜的方法,涉及化学镀技术领域。钯胶体活化液的制备方法包括以下步骤:将A液与部分B液混合,经第一搅拌反应后,得到中间液;将中间液与剩余B液混合,经第二搅拌反应后,得到D液;将C液与D液混合,得到E...
挡片组件和化学气相沉积系统
本申请提供了一种挡片组件和化学气相沉积系统。该挡片组件包括:至少两个挡片组,分别对应设置于立式炉的至少两个温度不同的装填区内;每一挡片组均包括至少一个挡片;不同挡片组内的挡片的厚度不同;挡片组所在的装填区的温度越高,挡片组内的挡片的厚度越小...
一种基于气相沉积法的硅碳负极材料撬装生产系统及其生产方法
本发明公开了一种基于气相沉积法的硅碳负极材料撬装生产系统及其生产方法,包括撬块及集成于所述撬块上的预热器、进料罐、反应器、储料罐、进料罐用反吹气A储罐、进料罐用反吹气B储罐、缓冲罐、气化器、管道阀门仪表和电控系统,本发明中撬块化集成将分散单...
一种远程与本位双源等离子体辅助化学气相沉积镀膜设备
本发明公开了一种远程与本位双源等离子体辅助化学气相沉积镀膜设备,通过整合远程等离子体源与本位等离子体源构成双源协同系统,搭配真空反应单元、独立气体供给单元、高精度加热控温单元及真空抽排单元,解决传统PECVD设备等离子体分布不均、高能离子轰...
制造半导体装置的系统及其相关方法
提供一种制造半导体装置的系统及其相关方法,系统包含处理器,制程反应腔体,载台和加热器。制程反应腔体是用以维持低压环境,系统是用以在设置于低压环境的晶圆上沉积膜层。载台是用以在沉积膜层的期间支撑晶圆。加热器电性耦接至处理器,且加热器是借由载台...
一种液体原子级镀膜方法
本申请提供了一种液体原子级镀膜方法,涉及镀膜技术领域。通过对衬底的表面处理确保了前驱体分子的均匀吸附和反应活性。随后,将稀释后的液体前驱体通过涂覆等工艺形成均匀的单分子层,并通过172nm准分子紫外光源在室温下裂解前驱体分子,产生第一活性物...
一种气流分布装置
本申请涉及沉积镀膜设备技术领域,具体公开了一种气流分布装置,包括:主盖板、多孔布气板与盖板;主盖板的顶面设置有上安装槽,底面设置有下安装槽;盖板覆盖于上安装槽;多孔布气板设置于下安装槽;多孔布气板上设置有多个第一流道和多个第二流道;第一流道...
半导体工艺设备及其进气组件、分气件
本申请公开一种半导体工艺设备及其进气组件、分气件,属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括腔室本体、基座以及支撑轴,基座设置于腔室本体内,支撑轴贯穿腔室本体并与基座相连,用于半导体工艺设备的分气件为环状结构,分气件用于套设于支撑轴的外部,且分...
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