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最新专利技术
  • 一种高性能聚丙烯腈原丝、高性能碳纤维及其制备方法
    一种高性能聚丙烯腈原丝、高性能碳纤维及其制备方法_中国石油化工股份有限公司_202411165729.4
    本发明提供了一种高性能聚丙烯腈原丝、高性能碳纤维及其制备方法。所述高性能聚丙烯腈原丝制备得到的碳纤维的断面经GB/T 3362～2017测试，包括有凹陷面积的纤维和有沟槽的纤维，所述有凹陷面积的纤维的根数占纤维总根数的比例X％不大于25％；...
    2026-05-04
  • 一种机械磨解制备纳米尺度特氟龙纤维的方法
    一种机械磨解制备纳米尺度特氟龙纤维的方法_珠海菲伯过滤材料有限公司_202512058494.X
    本发明提供了一种机械磨解制备纳米尺度特氟龙纤维的方法，属于纳米纤维技术领域。本发明通过优化化学处理与机械解纤的协同作用，突破纳米尺度特氟龙纤维制备的技术瓶颈，具体的，本发明对PTFE粉末进行碱处理，通过氢氧化钠和尿素的溶胀作用，破坏PTFE...
    2026-05-04
  • 一种生产具备吸湿排汗功能复合纤维的喷丝组件
    一种生产具备吸湿排汗功能复合纤维的喷丝组件_江苏立新化纤科技有限公司_202511850734.3
    本发明涉及纺织技术领域，具体的说是一种生产具备吸湿排汗功能复合纤维的喷丝组件，包括自动适配调节部和喷丝组件主体，所述自动适配调节部设置在所述喷丝组件主体的底部一侧，所述喷丝组件主体包括连接固定法兰、固定外框、第一固定安装螺栓、固定孔、辅助检...
    2026-05-04
  • 聚丙烯腈基碳纤维原丝及其制备方法和应用
    聚丙烯腈基碳纤维原丝及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202411172471.0
    本发明涉及碳纤维制备领域，具体涉及一种聚丙烯腈基碳纤维原丝及其制备方法和应用。该制备方法包括对聚丙烯腈纤维进行蒸汽牵伸；所述蒸汽牵伸的步骤包括先将聚丙烯腈纤维进行牵伸比≤1的第一蒸汽牵伸获得碳纤维原丝前驱体，再将碳纤维原丝前驱体进行牵伸比＞...
    2026-05-04
  • 聚丙烯腈基碳纤维原丝的制备方法及聚丙烯腈基碳纤维原丝
    聚丙烯腈基碳纤维原丝的制备方法及聚丙烯腈基碳纤维原丝_中国石油化工股份有限公司_202411169230.0
    本发明提供了一种聚丙烯腈基碳纤维原丝的制备方法及聚丙烯腈基碳纤维原丝。本发明提供的聚丙烯腈基碳纤维原丝的制备方法，其采用湿法纺丝工艺，包括蒸汽牵伸的步骤，所述蒸汽牵伸中，在1.8‑3.0，优选2.0‑2.5的牵伸倍率下，蒸汽牵伸张力y cN...
    2026-05-04
  • 一种大豆牛奶复合蛋白纤维的制备系统及工艺
    一种大豆牛奶复合蛋白纤维的制备系统及工艺_上海全宇生物科技遂平有限公司_202511891921.6
    本发明涉及一种大豆牛奶复合蛋白纤维的制备系统及工艺；复合制备筒体的上部连通有抽液泵，抽液泵与进液计量器相连通，复合制备筒体内设置有加热仓，加热仓内设置有电加热管，复合制备筒体另一端设置有带有出液泵的排液管，在排液管内侧的复合制备筒体内壁安装...
    2026-05-04
  • 一种可视化体内医用静电纺丝装置及系统
    一种可视化体内医用静电纺丝装置及系统_上海市第一人民医院_202512008584.8
    本发明提供一种可视化体内医用静电纺丝装置及系统，涉及医疗器械领域。本发明包括体外喷注控制机构、可视化机构和溶液喷注机构；溶液喷注机构包括绝缘保护套管，绝缘保护套管的内腔中设有喷注组件，绝缘保护套管和喷注组件之间还设有环周导电片，环周导电片用...
    2026-05-04
  • 一种表面改性氢氧化镁晶须的制备方法及其应用
    一种表面改性氢氧化镁晶须的制备方法及其应用_河北镁神科技股份有限公司_202511784850.X
    本发明涉及无机功能材料技术领域，提出了一种表面改性氢氧化镁晶须的制备方法及其应用。一种表面改性氢氧化镁晶须的制备方法，包括以下步骤：向溶剂中加入改性剂，搅拌，得到改性剂溶液；取氢氧化镁晶须加入改性剂溶液，超声、搅拌、离心、洗涤、干燥，得到表...
    2026-05-04
  • 大尺寸单晶硅的拉晶方法
    大尺寸单晶硅的拉晶方法_宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司_202511575525.2
    本发明提供一种大尺寸单晶硅的拉晶方法，属于半导体材料领域。包括：将硅料放入合成砂坩埚中进行熔料；在安定、引晶、放肩、转肩、等径及收尾工序中施加磁场，并对应调节不同的拉速，以抑制熔体对流。本发明通过采用合成砂坩埚进行拉晶，减少由坩埚引入的外部...
    2026-05-04
  • 一种石墨基碳化硅涂层气体分流盘的制备方法
    一种石墨基碳化硅涂层气体分流盘的制备方法_浙江芯之纯半导体材料有限公司_202511799865.3
    本发明涉及一种石墨基碳化硅涂层气体分流盘的制备方法，包括以下步骤：利用纯度≥99.9%的石墨制备成石墨托盘；而后将石墨托盘放入处理炉内进行高温纯化处理，得纯化后高纯石墨托盘；在纯化后高纯石墨托盘的外表面设置碳化硅层(厚度为5~10μm)，所...
    2026-05-04
  • 一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法
    一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202511796604.6
    本发明公开了一种改善重掺As衬底薄层高阻硅外延片厚度平区的外延方法，包括以下步骤：S1、准备掺As衬底材料，将衬底材料装入外延炉；S2、向外延炉腔体内通入HCl进行刻蚀；S3、向外延炉腔体内通入PH3和SiH2Cl2，在生长温度1060‑1...
    2026-05-04
  • 生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法
    生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411541765.6
    本发明涉及生长系统和用于控制碳化硅晶体生长的方法。该生长系统可包括至少部分地被绝缘层包封的坩埚、位于该坩埚内并且被配置为保持碳化硅(SiC)籽晶的生长区、位于该坩埚内并且被配置为保持SiC源材料的源材料区。该生长系统还可包括位于该坩埚内并且...
    2026-05-04
  • 晶体直径测量装置
    晶体直径测量装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511796776.3
    本发明涉及一种晶体直径测量装置。所述晶体直径测量装置包括：固定组件，用于固定于单晶炉的视窗上，所述单晶炉用于生长单晶硅晶棒；移动组件，包括连接于所述固定组件上的导轨和安装于所述导轨上的滑块，所述导轨呈直线型，且所述滑块能够沿所述导轨滑动；测...
    2026-05-04
  • 一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备
    一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511750596.1
    本申请公开了一种隔离环、工艺腔室及半导体工艺设备，隔离环采用透明材料制作，用于设置在工艺腔室的侧壁内侧，以进行隔热，所述隔离环包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面用于靠近所述工艺腔室的底部设置，所述第二面用于靠近所述工艺腔室的顶部设置；...
    2026-05-04
  • 单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质
    单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质_四川高景太阳能科技有限公司_202511745094.X
    本申请实施例提供一种单晶硅拉制功率自动调整方法、装置、设备及介质，涉及单晶硅技术领域。首先获取历史拉晶数据；再根据历史拉晶数据，确定单晶炉当前工艺阶段的参考功率和总偏移量；最后根据参考功率和总偏移量，确定当前工艺阶段的功率调整策略。该方法通...
    2026-05-04
  • 直拉单晶硅及其制备方法
    直拉单晶硅及其制备方法_恒利晶硅新材料(内蒙古)有限公司_202511682943.1
    本发明公开了一种直拉单晶硅及其制备方法。本发明的直拉单晶硅的制备方法，包括以下步骤：1)熔料；2)引晶：将籽晶浸入硅液中，将硅液拉伸生长为颈部晶体；3)放肩：将颈部晶体拉伸生长为放肩晶体；4)转肩：将放肩晶体拉伸生长至晶体直径为等径生长直径...
    2026-05-04
  • 摩擦学材料及其制备
    摩擦学材料及其制备_香港城市大学_202511191748.9
    本发明公开了一种摩擦学材料，诸如一种摩擦学固体润滑材料，所述摩擦学材料包括具有零维纳米结构的Ti‑MXene复合材料。本发明还公开了制备所述摩擦学材料的方法。
    2026-05-04
  • 锑化镓多晶的合成方法及装置
    锑化镓多晶的合成方法及装置_广东晶智光电科技有限公司_202511931021.X
    本发明公开了一种锑化镓多晶的合成方法及装置，涉及半导体材料合成技术领域；本发明在石英安瓿管中设置第二敞口容器装入高纯锑作为锑补偿源，第二敞口容器与作为主反应容器的第一敞口容器间隔放置，在加热第一敞口容器中的原料进行合成反应之前，先加热锑补偿...
    2026-05-04
  • 一种提纯铯铅溴多晶料的方法
    一种提纯铯铅溴多晶料的方法_西南技术物理研究所_202511685208.6
    本发明属于定向凝固提纯技术领域，公开了一种提纯铯铅溴多晶料的方法，包括以下步骤：步骤一：石英坩埚预处理；步骤二：装料并真空封装：步骤三：合料得到待提纯铯铅溴多晶料；步骤四：待提纯铯铅溴多晶料熔融；第五步：定向凝固直至完全结晶；第六步：降温冷...
    2026-05-04
  • 氧化镓的制备与掺杂方法
    氧化镓的制备与掺杂方法_苏州镓港半导体有限公司_202511859418.2
    本发明公开了一种氧化镓的制备与掺杂方法，所述制备与掺杂方法包括：在衬底上外延生长III‑V族半导体层，其中，所述III‑V族半导体层包括GaPN，且所述III‑V族半导体层中氮原子的密度大于或等于1E20 atoms/cm3；对III‑V族...
    2026-05-04
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