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  • 本发明涉及PCB检测技术领域,且公开了PCB不良单元自动识别方法,包括以下步骤:图像获取与预识别:通过面阵相机采集待测PCB整板图像,基于模板匹配算法将采集图像与标准良品图像进行仿射变换对齐,对各单元的预设标识区域执行线条特征提取,判定各单...
  • 本发明提供了一种晶圆级惯性器件动静态测试系统及方法,属于惯性器件测试技术领域,系统包括:控制器,被配置为生成测试控制指令;测试信号切换开关,与所述控制器电性连接,响应于测试控制指令选择性地连接至动态测试子系统或静态测试子系统;动态测试子系统...
  • 本发明提供一种晶振批量测试装置,该装置包括真空罐体,用于提供晶振测试环境;位于真空罐体内的晶振批量测试板,用于承载固定多个待测晶振样品;以及位于真空罐体外的稳压电源和频率计数器;所述真空罐体上设置有电源转换头和信号转换头;所述晶振批量测试板...
  • 本发明提供一种元器件检测方法及装置,其中检测方法包括以下步骤:基于元器件的预设检测需求,对元器件的结构特征和可靠性进行检测,以获得所述元器件的结构特征和可靠性的检测结果;拆卸元器件上壳及线圈,以显露出芯片盖板和封装基板上表面;对所述芯片盖板...
  • 本发明属于手机主板技术领域,具体的说是一种手机主板与触摸屏导通测试治具, 包括触摸屏导通测试治具本体,弹性置物组件位于触摸屏导通测试治具本体上;伸缩组件用于挤压弹性置物组件上放置的手机主板;将需要测试的手机主板放置在弹性置物组件上,通过控制...
  • 本发明涉及二极管故障检测领域,尤其涉及一种用于二极管综合性能的故障检测系统,本发明通过获取整流电路对应整桥模块的工作运行数据,以提取整桥模块对应二极管的纹波断失特征;基于纹波断失特征评估二极管的运行失稳表征参数,以对整桥模块进行标记;响应于...
  • 本发明涉及逆变器技术领域,特别是一种桥臂自检电路及方法、存储介质;包括电源模块、采样控制模块、主控模块以及至少一个自检模块;每一自检模块均包括继电器、运算放大器以及桥臂MOS管,继电器的电压输入端与电源模块的电压输出端连接,继电器的电压输出...
  • 本申请涉及半导体检测技术领域,具体涉及半导体晶圆检测方法及系统。本申请在应用时,全流程自动执行,即实现探针自动化校准、自动化矢网校准、自动化视觉校准和自动化示教,最终实现对待检测晶圆的各个待检测芯片的自动化检测。通过参数配置、多维度校准、视...
  • 本申请涉及一种IGBT器件的栅氧寿命测试方法、设备及终端设备,该方法包括获取周期开关栅极氧化后待测试器件的初始数据和周期性测试数据;根据周期性测试数据对待测试器件施加栅压应力获取第一测量数据;根据周期性测试数据对待测试器件进行退火处理,获取...
  • 本申请涉及器件测试技术领域,提供了一种功率MOSFET开关特性的动态测试方法及其相关设备。通过根据温度点集测试功率MOSFET器件的静态电气特性生成温度关联数据集,通过双脉冲测试方式根据温度关联数据集进行仿真测试获得瞬态波形数据集,并对瞬态...
  • 本发明公开了一种自适应LED电压检测电路,包括:由多个相同阻值的第一电阻串联形成的第一电阻串、由多个相同阻值的第二电阻串联形成的第二电阻串、第一开关元件、第三电阻、高压MOS器件、比较器和选择器;本发明采用时分复用配合动态调整检测电阻分压比...
  • 本发明涉及半导体器件测试技术领域,具体为一种半导体器件高速直流对接测试机构、系统,包括内衬矩条以及设置在内衬矩条外部,能够围绕着内衬矩条转动的橡胶带,所述内衬矩条和橡胶带对称设置有两组,且两组之间设置有能够进行高度调节的底托板,半导体器件放...
  • 本申请属于测试设备技术领域,公开了一种IGBT功率模块测试设备,包括安装架,包括安装架,所述安装架上设置有用于放置IGBT功率模块的检测空腔,所述安装架上滑动设置有升降板,所述升降板上设置有排风箱,所述排风箱上设置有出风口,所述排风箱的出风...
  • 本发明公开了一种功率器件的测试方法及系统。该方法包括:确定当前电压相角和当前电流相角;根据陪测功率变换电路的拓扑结构、陪测功率变换电路的实际电压、参考电压、当前电压相角和第一比例积分控制策略输出第一调制比,根据第一调制比输出第一控制信号至陪...
  • 本申请公开了一种功率半导体器件测试装置,属于半导体测试装置的技术领域,其包括安装架,所述安装架上固定有用于放置待测器件的放置板,所述安装架上沿竖向滑移安装有浮动框,所述安装架上设置有用于推动所述浮动框向上移动的弹性件,所述浮动框的顶面铰接有...
  • 本发明公开了一种玻钝贴片二极管功能测试机,涉及晶圆功能测试技术领域,其用于基于晶圆制造的玻钝贴片二极管的极性测试,以确定其极性朝向,并对放反的二极管进行调整,避免后续印字等加工工序因二极管放反而导致二极管不达标的问题。使用时,供料机构将二极...
  • 本发明涉及一种片上可寻址的晶体管测试电路及方法、装置、芯片和介质,所述片上可寻址的晶体管测试电路设置在产品芯片的输入输出区域中;所述测试结构包括多个晶体管和寻址电路,每个所述晶体管包括多个测试端;所述测试端通过对应的开关模块连接至测试引脚,...
  • 本发明提供一种SLD光源位移损伤评估方法、系统及电子设备,涉及半导体器件检测技术领域,所述方法包括:获取SLD光源的光功率随实测注量的变化数据,并根据变化数据,确定光功率退化比;根据每个粒子的能量与种类,确定粒子在SLD光源的芯片敏感区内的...
  • 本发明公开了一种基于滑模变的储能变流器IGBT结温观测方法,属于IGBT模块检测技术领域。包括:通过参数拟合,得到IGBT稳态结温与储能变流器交流侧电流有效值之间的关系式以及IGBT稳态结温与IGBT模块的NTC温度之间的关系式;实时采集储...
  • 本发明提供一种低杂散电感的测试系统,包括检测区域,检测区域内至少搭载有一个待检测功率器件;检测模块,用于检测待检测功率器件输出的电平信号;连接模块,连接模块通过焊接连接搭载于检测区域内的其中一个待检测功率器件的输出端检测模块,用于形成检测回...
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