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最新专利技术
  • 一种API流量数据风险预测方法、装置、设备及介质
    一种API流量数据风险预测方法、装置、设备及介质_天翼安全科技有限公司_202510330425.7
    本申请实施例提供了一种API流量数据风险预测方法、装置、设备及介质，用以解决现有在面对复杂的数据安全攻击时，无法及时发现风险的问题。该方法中，确定API流量数据是否存在风险的候选结果；基于API流量数据携带的信息及候选结果，更新社区网络拓扑...
    2025-12-28
  • 一种风险检测方法、装置及设备
    一种风险检测方法、装置及设备_天翼安全科技有限公司_202510331243.1
    本申请提供一种风险检测方法、装置及设备，涉及网络安全技术领域，用于提高数据的安全性。该方法包括：对来自目标服务器的第一流量数据进行解析，得到第一流量特征，第一流量数据为出栈流量数据；根据第一流量特征中的数字证书、请求信息和通信地址，确定第一...
    2025-12-28
  • 基于工业互联网标识解析体系的数据安全保障方法及装置
    基于工业互联网标识解析体系的数据安全保障方法及装置_佛山市联科发信息科技有限公司_202510331944.5
    本申请提供了基于工业互联网标识解析体系的数据安全保障方法及装置，应用于工业互联网技术领域，通过接收数据访问请求，获取用户身份和请求访问的数据属性；通过预先配置的安全策略规则对访问请求进行多维度安全检查；通过采集系统安全状态和负载状态等实时信...
    2025-12-28
  • 一种基于操作系统指令层级的网络流量威胁分析方法
    一种基于操作系统指令层级的网络流量威胁分析方法_广东电网有限责任公司_202510333590.8
    本发明公开了一种基于操作系统指令层级的网络流量威胁分析方法，涉及网络安全技术领域，包括实时监测操作系统指令数据，构建动态行为矩阵并生成指令级流量图；解析指令级流量图，计算指令数据的首位数字分布并与Benford’s Law期望分布进行对比，...
    2025-12-28
  • GPU Roce网络监控采集方法、设备、介质及产品
    GPU Roce网络监控采集方法、设备、介质及产品_上海阶跃纪元智能科技有限公司_202510333082.X
    本申请实施例涉及GPU流量监控技术领域，公开了一种GPU Roce网络监控采集方法、设备、介质及产品。在交换机上配置Erspan功能，对经过交换机的数据包进行捕获，所述数据包包含特定的RDMA Opcode信息；对所述数据包进行截断处理，保...
    2025-12-28
  • 一种基于ERSpan技术的GPU通信路径监控方法及相关设备
    一种基于ERSpan技术的GPU通信路径监控方法及相关设备_上海阶跃纪元智能科技有限公司_202510333307.1
    本申请提供一种基于ERSpan技术的GPU通信路径监控方法及相关设备，方法包括：基于ERSpan技术对数据中心的交换机上的RoCE v2网络流量进行数据采样，截取数据包的头部信息；将采样到的头部信息镜像至处理服务器；解析头部信息，得到数据包...
    2025-12-28
  • 一种数据缓存方法及装置
    一种数据缓存方法及装置_天翼安全科技有限公司_202510331375.4
    本申请公开一种数据缓存方法及装置，涉及数据处理领域，用于解决在进行数据缓存时存在内存浪费或内存不足的问题。其中方法包括：接收数据缓存请求，数据缓存请求中包括数据包，根据数据包的数据量，从缓存池组的N个第一缓存池中确定出数据包对应的目标第一缓...
    2025-12-28
  • 一种智能推荐的远程宣传分发系统
    一种智能推荐的远程宣传分发系统_江苏经贸职业技术学院_202510334316.2
    本发明涉及数字电视技术领域，具体为一种智能推荐的远程宣传分发系统，系统包括：内容解析模块，计算视频画面中的运动速度值、色彩对比值、纹理复杂值，生成场景特征指数。本发明中，通过细化视频画面中的运动速度值、色彩对比值、纹理复杂值，综合生成场景特...
    2025-12-28
  • 音视频回溯方法和装置、存储介质及电子设备
    音视频回溯方法和装置、存储介质及电子设备_湖南快乐阳光互动娱乐传媒有限公司_202510340414.7
    本申请公开了一种音视频回溯方法和装置、存储介质及电子设备。其中，该方法包括：确定与回溯目标点匹配的逆向增量数据；确定与逆向增量数据匹配的目标节点以及在回溯目标点下与目标节点匹配的参考版本信息，其中，目标节点为工程状态树中存在状态变化的节点，...
    2025-12-28
  • 音响
    音响_通力科技股份有限公司_202510333854.X
    本发明公开了一种音响，涉及音响技术领域，该音响包括音响本体、吸尘本体以及振动组件，音响本体的内部形成有设备腔，音响本体的外侧壁开设有连通设备腔的通孔；吸尘组件包括集尘箱和吸尘风机，集尘箱设于音响本体开设有通孔的一侧，集尘箱的内部形成有集尘腔...
    2025-12-28
  • 终端音效测试方法、装置、设备及可读存储介质
    终端音效测试方法、装置、设备及可读存储介质_南昌勤胜电子科技有限公司_202510336129.8
    本申请公开了一种终端音效测试方法、装置、设备及可读存储介质，该方法在目标终端模拟声源于虚拟位置所产生的音效时，采集具耳实体的双耳听觉参数，其中，所述具耳实体戴有所述目标终端；获取位置预测模型；利用所述位置预测模型，基于所述双耳听觉参数，预测...
    2025-12-28
  • 基于工业互联网标识解析体系的数据采集方法及装置
    基于工业互联网标识解析体系的数据采集方法及装置_佛山市联科发信息科技有限公司_202510331943.0
    本申请提供了基于工业互联网标识解析体系的数据采集方法及装置，应用于工业互联网技术领域，通过获取数据和优先级参数，根据优先级参数分配传输队列，实现数据分级处理；对数据进行压缩编码，而后评估无线信道质量并选择传输路径，避开干扰信道，在传输失败时...
    2025-12-28
  • 一种覆盖膜和线路板
    一种覆盖膜和线路板_广州方邦电子股份有限公司_202510332745.6
    本发明公开了一种覆盖膜和线路板，所述覆盖膜包括粘接层和显色层，所述显色层靠近所述粘接层的一侧设有隔离层，且所述隔离层的厚度占覆盖膜总厚度的1/8～2/5。采用本发明的技术手段，在覆盖膜中设置一定厚度的隔离层能够有效防止粘接层与显色层之间的分...
    2025-12-28
  • IGBT器件结构
    IGBT器件结构_上海积塔半导体有限公司_202510338602.6
    本发明涉及一种IGBT器件结构，包括元胞区、终端区、Gate Bus下注入区和Gate Pad下注入区。终端区分为终端拐角区和终端直线区，终端拐角区设置有离子缺陷层作为载流子寿命控制层，通过控制空穴寿命，降低IGBT背面局部空穴发射效率。通...
    2025-12-28
  • 半导体结构制备方法、功率器件及电子设备
    半导体结构制备方法、功率器件及电子设备_广东芯粤能半导体有限公司_202510331882.8
    本申请涉及一种半导体结构制备方法、功率器件及电子设备，方法包括提供包括外延层的衬底；外延层内包括经由第一表面朝向衬底的方向依次排列的第一阱区、第二阱区；对外延层执行离子注入工艺，形成体区；体区沿平行于第一表面的第一方向间隔分布，且沿朝向衬底...
    2025-12-28
  • 半导体器件
    半导体器件_深圳迈巨微电子科技有限责任公司_202510331941.1
    本公开提供了一种半导体器件，包括：半导体层，半导体层具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面；位于第一主表面上的第一金属层；以及位于第二主表面上的第二金属层；半导体层包括：基极层；位于基极层与第一金属层之间的第一掺杂硅层；位于基极层与第...
    2025-12-28
  • 基于衬偏效应的增益可调仿生光感受器及其制备方法
    基于衬偏效应的增益可调仿生光感受器及其制备方法_湖南师范大学_202510333486.9
    本发明公开了一种基于衬偏效应的增益可调仿生光感受器及其制备方法。该器件包括MOS场效应晶体管和光电二极管两部分，其中MOS场效应晶体管的衬底处于悬浮状态，光电二极管则通过感光PN结进行工作。在施加适当的偏置电压条件下，MOS晶体管的导电沟道...
    2025-12-28
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202510334143.4
    本发明提供了太阳能电池的制备方法及太阳能电池，制备方法包括如下步骤：提供硅衬底，所述硅衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面包括交替排布的栅线区和非栅线区；在栅线区的硅衬底中形成第一掺杂层；在硅衬底第二表面形成第一钝化层；在硅衬底的...
    2025-12-28
  • 一种基于InSbSe3常温宽光谱光电探测器的制备方法
    一种基于InSbSe<Sub>3</Sub>常温宽光谱光电探测器的制备方法_河南省科学院物理研究所_202510335903.3
    一种基于InSbSe3常温宽光谱光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。InSbSe3单晶的制备方法包括：采用化学气相输运的方法生长大尺寸InSbSe3单晶，使用机械剥离获...
    2025-12-28
  • 一种切割测试后的四元正极性LED晶片返工方法
    一种切割测试后的四元正极性LED晶片返工方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202510332851.4
    本发明涉及一种切割测试后的四元正极性LED晶片返工方法，属于光电子技术领域，包括如下步骤，在正面依次涂厚正性光刻胶、薄正性光刻胶，采用两次涂胶方式，确保切割槽内涂满正性光刻胶，再将正面切割槽外的正性光刻胶去除，切割槽内的正性光刻胶保留，再在...
    2025-12-28
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