Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明提供变电站二次系统通信网络自适应拓扑重构方法,包括:采用多尺度时延特征融合建模,精确预测协议转换时延;设计分层融合的协议转换时延控制框架,包括基于资源‑时延敏感度矩阵的前馈补偿和反馈调整的两阶段时延控制;提出协议语义动态裁剪技术,通过...
  • 本发明涉及一种基于边缘云节点的分布式大二层网络智能路由方法及系统,属于计算机网络技术领域。针对现有网络在动态环境下路由决策响应慢、故障恢复效率低的问题,提出通过边缘云节点周期性采集链路带宽利用率、传输时延等状态信息,上传至中心云平台生成全局...
  • 本申请适用于工业数据处理技术领域,尤其涉及工业物联网分布式数据处理方法及中台,该方法包括:通过获取第一区域的设备运行监测数据与第二区域的设备中心运行数据,为后续分析提供数据基础;基于第一区域的设备运行监测数据,确定第二区域的运行特征参数,对...
  • 本发明公开了一种分布式数据库下的结果集数据传输方法、装置及系统,涉及数据传输技术领域,包括:接收代理节点转发的数据查询请求;根据数据查询请求判断是否进行二次计算;根据判断结果、计算节点上的结果集数据与第一预设阈值的对比结果、数据节点上的结果...
  • 本申请提供了基于数据专用网络的文化大数据传输方法、系统和介质。该方法包括:获取目标文化大数据的特征参数,根据特征参数选取适配的实时传输方案以及可视化方案,根据适配的实时传输方案以及可视化方案对目标文化大数据执行实时传输工作以及可视化处理,监...
  • 本发明公开了一种多层级CAN协议设计方法和装置,涉及CAN协议设计领域,包括:设计优先级管理机制;定义CAN2.0B的扩展数据帧结构;基于扩展数据帧结构,按照优先级管理机制将待传输信息进行数据传输;其中,设计优先级管理机制包括:将多个从节点...
  • 本申请属于无人机数字化解码技术领域,尤其涉及针对FPV无人机数字化解码中色同步改进方法及系统。方法,包括:接收FPV无人机的模拟图传信号,得到离散数字化的复合视频信号流;对离散数字化的复合视频信号流中的信号进行亮色分离,得到色度信号、亮度信...
  • 本申请涉及字幕处理技术领域,具体涉及一种基于浏览器的视频字幕编辑方法及装置,本申请通过利用浏览器跨平台特性直接调用本地视频资源,结合前端编辑界面实现字幕参数的实时可视化调整,同时建立视频时间轴与字幕条目参数的动态匹配机制,并使用SVG描边算...
  • 本发明公开了蓝牙耳机安全结构领域的一种防摔蓝牙耳机,包括耳机主体,所述耳机主体上设有耳机端头,所述耳机端头上固定有出音嘴,所述出音嘴上套有耳塞,所述耳机主体背离所述耳机端头的一侧嵌有防摔电源模组;在所述耳机主体上设有缓冲内层组件,所述缓冲内...
  • 本发明提出了一种区块链辅助下的无人机轻量级分布式匿名双向认证方法,首先通过部署于区块链上的智能合约实现权限控制,确保仅授权实体能够访问存储于链上的秘密信息。接着,采用动态假名机制,且每次会话都会将无人机身份标识和会话密钥进行更新。此外,将物...
  • 本发明提供一种多标识网络体系中扩展运营商手机号码标识的方法及系统,包括以下步骤:步骤S1,通过MIN客户端实现移动手机号码的认证,完成移动手机号码接入至MIN网络,MIN客户端指的是多标识网络体系客户端,MIN网络指的是多标识网络体系,简称...
  • 本发明提供一种多标识网络体系扩展SIM卡构成可信主权网络的方法及系统,包括以下步骤:步骤S1,通过多标识网络体系的客户端实现SIM卡的认证,将SIM卡接入至多标识网络体系;步骤S2,在多标识网络体系进行身份签名和验签;步骤S3,通过SIM卡...
  • 本申请涉及通信技术领域,公开了一种超小型三网通基站,包括:基带处理模块采集多频段信号并生成频谱分配结果;功率放大模块依据该结果通过动态偏置电压调节输出功率;天线模块结合功率与频谱参数调整天线伸缩量和模式;电源管理模块根据系统状态生成复合供能...
  • 本申请公开了一种电路板和交换机,属于交换机技术领域。所述电路板包括:至少一个第一电路板,第一电路板配置有交换芯片,沿交换芯片周向设置有至少一个近端连接器,各近端连接器与交换芯片之间的距离小于目标距离阈值,各近端连接器与交换芯片连接;多个第二...
  • 本发明涉及PCB板加工技术领域,具体为一种PCB板加工蚀刻喷淋装置,包括蚀刻机与两个喷淋机构,所述蚀刻机的内部设置有传送机构,两个所述喷淋机构对称分布于传送机构的顶部以及底部,所述传送机构的顶部以及底部均设置有U形移动架,两个所述U形移动架...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件,包括:外延层,形成于衬底上方;互相间隔设置的沟槽栅结构,形成于外延层区域上方;第一阱区,形成于相互间隔设置的沟槽栅结构之间;第二阱区,形成于第一阱区上方,具有第二导电...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种用于极端环境下的耐高温VDMOS功率晶体管及制备方法,包括由若干个相互并列的MOS元胞构成,单个MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极以及源极,所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、下P+层、...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种具有增强击穿电压的垂直D‑MOSFET及制备方法,包括由若干个相互并列的MOS元胞构成,单个所述MOS元胞包括漏极、源极、栅极以及半导体外延层;所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱...
  • 本发明属于光电探测技术领域,具体涉及基于笼目材料的光电探测器、制备方法、测试系统及方法。所述制备方法包括S1、设计仿真电磁场耦合天线,制作紫外光刻掩模版,绘制EBL曝光图形;S2、衬底裂片,紫外光刻工艺制备金属pad;S3、干法转移Kago...
  • 本申请涉及光伏领域,提供了一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件,该背接触电池包括本体,本体的背光面设置有主栅和细栅,主栅包括沿第一方向交替分布的第一主栅和第二主栅,细栅包括沿第二方向交替分布的第一细栅和第二细栅,第一细栅与第二主栅间隔设...
技术分类