Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种慢化剂栅元结构、熔盐堆堆芯、熔盐堆和熔盐堆系统
    一种慢化剂栅元结构、熔盐堆堆芯、熔盐堆和熔盐堆系统_中国科学院上海应用物理研究所_202510555026.0
    本发明公开了一种慢化剂栅元结构、熔盐堆堆芯、熔盐堆和熔盐堆系统，其中一种熔盐堆堆芯包括活性区，活性区包括若干慢化剂栅元，至少部分慢化剂栅元中含有中子吸收剂；活性区包括由内向外同轴设置的至少两个区，中子吸收剂的含量沿活性区的内部向外部逐区递降...
    2026-02-27
  • 压水堆核电站一回路升温升压过程设定值优化方法及系统
    压水堆核电站一回路升温升压过程设定值优化方法及系统_西安交通大学_202510558059.0
    本发明公开了一种压水堆核电站一回路升温升压过程设定值优化方法及系统，获取核电站启动过程中的历史运行数据或仿真机数据，建立一回路温度和压力的状态空间模型；基于得到的一回路温度和压力的状态空间模型，根据一回路温度和压力的允许范围分别计算当前温度...
    2026-02-27
  • 一种涂漆扁模
    一种涂漆扁模_铜陵市创威科技股份有限公司_202510555660.4
    本发明公开了一种涂漆扁模，涉及涂漆模具技术领域，包括安装架和四个方形块，所述方形块的外壁固定连接有光面滚筒和带齿滚筒，所述带齿滚筒位于所述光面滚筒的下方，一个所述方形块上的所述光面滚筒和所述带齿滚筒贯穿于另一个所述方形块，所述安装架的外壁固...
    2026-02-27
  • 一种烧结NdFeB磁体及其制备方法
    一种烧结NdFeB磁体及其制备方法_瑞声开泰科技(马鞍山)有限公司_202510559485.6
    本公开提出一种烧结NdFeB磁体及其制备方法，属于磁体材料技术领域。烧结NdFeB磁体制备方法包括：将NdFeB合金原料加热至浇铸，制备得到合金铸片；对所述合金铸片进行吸氢处理、脱氢处理至15‑20Pa，保留部分氢，得到粗磁粉；将所述粗磁粉...
    2026-02-27
  • 一种配电变压器
    一种配电变压器_华润新能源(邳州)有限公司_202510552956.0
    本发明提供一种配电变压器。所述配电变压器包括变压器，所述变压器上固定安装有固定管，所述固定管上安装有高压套管，所述高压套管上下端分别连接有上连接板和下连接板，所述高压套管上端固定安装有连接管，且上连接板安装于连接管上，所述下连接板插设于固定...
    2026-02-27
  • 一种基于晶圆级二维工艺的抗辐照天线电感
    一种基于晶圆级二维工艺的抗辐照天线电感_鲸鹏二维半导体科技(绍兴)有限公司_202510550627.2
    本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于晶圆级二维工艺的抗辐照天线电感。采用高阻抗辐照的蓝宝石作为衬底，提高天线电感的抗辐照能力，同时与二维抗辐照电路的制备工艺兼容。根据二维有源器件的设计和谐振频率来设计天线电感的尺寸参数，保证天线电感与...
    2026-02-27
  • 一种在大型联轴器上缠绕电导线形成加热电磁线圈的方法
    一种在大型联轴器上缠绕电导线形成加热电磁线圈的方法_湖南中车尚驱电气有限公司_202510555930.1
    本发明公开了在大型联轴器上缠绕电导线形成加热电磁线圈的方法，包括以下步骤：S1、设计转套并将其套装在轴套管一端的外圆上，轴套管另一端为空白段；S2、将电导线断开分为连通段和缠绕段，将缠绕段的断开端端头一与连通段的断开端的端头二连接；S3、利...
    2026-02-27
  • 一种电容器引线铝丝成型清洗化成一体机
    一种电容器引线铝丝成型清洗化成一体机_丰县旭高科技有限公司_202510555764.5
    本发明涉及一种电容器引线铝丝成型清洗化成一体机，包括工作机台，工作机台顶部设置有自动放料机构和冲压机，工作机台一侧依次设置有超声波清洗机、化成装置、烘干装置和收料机构，烘干装置和收料机构底部设置有基台，冲压机包括冲压机壳体，冲压机壳体内安装...
    2026-02-27
  • 一种电容器引线铝丝连续生产工艺
    一种电容器引线铝丝连续生产工艺_丰县旭高科技有限公司_202510555762.6
    本发明涉及一种电容器引线铝丝连续生产工艺，包括以下步骤及设备配置：a)自动放料：采用带张力传感器(精度±0.5N)和激光纠偏装置的放料轮组(直径Φ800mm)；b)自动送料：通过伺服电机驱动的滚轮机构(送料速度2‑5m/min，定位精度±0...
    2026-02-27
  • 输入装置
    输入装置_延锋国际汽车技术有限公司_202510553663.4
    本申请公开了输入装置。该输入装置包括壳体、触发件、推块组件和触动组件。壳体包括顶板、底板和形成在顶板和底板之间的内腔；顶板构造有与内腔连通的开口。触发件处于内腔内。推块组件的部分置于或穿过开口使得推块组件能在开口限定的范围内沿顶板平动。触动...
    2026-02-27
  • 一种用于控制断路器和隔离开关的机械联锁装置及方法
    一种用于控制断路器和隔离开关的机械联锁装置及方法_山东爱普电气设备有限公司_202510556061.4
    本发明公开了一种用于控制断路器和隔离开关的机械联锁装置及方法，能够适配不同尺寸的老旧设备的机械联锁，保证了联锁机构动作的可靠性；包括：主轴拐臂，所述主轴拐臂一端固定安装在断路器的主轴上，另一端与摇杆的一端铰接，所述摇杆另一端与摇臂的一端铰接...
    2026-02-27
  • 一种快速分界断路器
    一种快速分界断路器_湖北网安科技有限公司_202510552929.3
    本发明提供了一种快速分界断路器，涉及分界断路器技术领域。该断路器包括壳体、永磁机构、通风机构、供风机构及温变机构。永磁机构外表面设有防锈剂，并与壳体内壁之间形成通风间隙。通风机构由设于通风通道两端的第一封堵组件和第二封堵组件构成，供风机构用...
    2026-02-27
  • 一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法
    一种Au纳米颗粒修饰的4H-SiC纳米线场发射阴极及其制备方法_广东工业大学_202510554997.3
    本发明涉及场发射阴极技术领域，尤其涉及一种Au纳米颗粒修饰的4H‑SiC纳米线场发射阴极及其制备方法。该方法包括以下步骤：(1)对4H‑SiC晶片进行电化学刻蚀，在4H‑SiC晶片表面加工出竹节状4H‑SiC纳米线阵列，将4H‑SiC纳米线...
    2026-02-27
  • 高导热‌FCBGA封装结构及其制备方法
    高导热‌FCBGA封装结构及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202510550343.3
    本发明提供了一种高导热FCBGA封装结构及其制备方法，封装结构包括封装基板、FC芯片和硅片，FC芯片倒装在封装基板表面，FC芯片背面朝上，FC芯片背面设置多个金属柱，硅片一侧表面设置多个凹槽，凹槽内设有金属层；硅片具有凹槽的表面朝向FC芯片...
    2026-02-27
  • 一种基于RDL+PI制程的凸点芯片改进倒装焊接方法
    一种基于RDL+PI制程的凸点芯片改进倒装焊接方法_华天科技(南京)有限公司_202510558157.4
    本发明涉及倒装焊接封装技领域，具体为一种基于RDL+PI制程的凸点芯片改进倒装焊接方法，在电镀RDL铜层上进行微蚀刻处理形成的第一粗糙面来增强RDL之间的PI与PA结合力；在凸点铜柱侧面进行微蚀刻处理形成的第二粗糙面增加铜柱与塑封料结合力，...
    2026-02-27
  • 检测金属层过刻蚀缺陷的方法和测试结构
    检测金属层过刻蚀缺陷的方法和测试结构_华虹集成电路(成都)有限公司_202510555993.7
    本发明提供了一种检测金属层过刻蚀缺陷的方法和测试结构，方法包括：提供一测试结构，测试结构包括衬底；对衬底进行离子注入以提高导电性；当检测第一金属互连层是否过刻蚀时，测试结构包括多晶硅、介电层和第一金属互连层，多晶硅形成于衬底上，第一金属互连...
    2026-02-27
  • 一种晶圆不溶解膜整膜去除设备
    一种晶圆不溶解膜整膜去除设备_苏州尊恒半导体科技有限公司_202510551930.4
    本发明公开了一种晶圆不溶解膜整膜去除设备，涉及晶圆不溶解膜去除技术领域。包括槽主体，槽主体内部空腔安装有浸泡腔，浸泡腔内壁两侧开设有导流槽，浸泡腔底部中心位置固定有滑动座，滑动座中心位置开设有抽吸口，抽吸口连接有排液管，排液管端部安装有密封...
    2026-02-27
  • 空中保管系统
    空中保管系统_苏州新施诺半导体设备有限公司_202510556497.3
    本发明揭示了一种空中保管系统，包括车轨及其下方设置的至少两层保管架，底层保管架包括一组与车轨的部分方格口一一对应的第一保管位，每个第一保管位与其对应的方格口在铅垂方向上正对设置，多个在同一水平方向上连续分布的第一保管位为一个第一保管单元，底...
    2026-02-27
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510559421.6
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，可包括一基底，形成多个沟槽位于所述基底内，并在所述沟槽内填充聚硅氮烷层，然后，对所述基底执行多次退火处理，以将所述聚硅氮烷层转换成氧化物层，且在每次退火处理之前均先对所...
    2026-02-27
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510558971.6
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，在衬底的表面形成氧化硅介质层；在氧化硅介质层和部分深度的衬底内形成多个间隔设置的接触孔，衬底分为相邻中心区域和边缘区域，边缘区域位于中心区域的外围；使用氩气、氢气和WF6
    2026-02-27
首页 上一页 9 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证