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  • 本发明公开了一种基于音色解耦的零样本语音转换方法,包括:分别获取待转换语音和目标说话人的参考语音;构建零样本语音转换模型;将待转换语音与目标说话人的参考语音共同输入零样本语音转换模型中进行处理,输出转换结果;零样本语音转换模型包括内容解耦模...
  • 本申请涉及一种内存条测试的技术领域,提出一种内存条测试方法及测试机。该方法包括:将待测内存条放置于测试机的并行测试工位上:通过金手指压接机构电接触待测内存条的金手指;对待测内存条进行多物理场耦合测试;通过时序神经网络模型结合注意力机制预测待...
  • 本发明涉及医疗信息化与智能管理技术领域,具体公开了用于医院药房的特殊管理药品智能交班管理系统及方法,通过数据采集模块获取药房交班班次的药品信息,并对数据进行结构化整理与标准化处理,记录当前班次的药品库存和操作记录,异常操作识别模块利用单类支...
  • 本公开涉及医疗技术领域,公开了患者认知障碍识别方法、系统和电子设备,该方法包括:获取患者原始数据,患者原始数据包括临床生化数据、影像数据和认知行为数据;对患者原始数据进行预处理,得到预处理数据;对预处理数据进行特征提取,得到关键特征,所述关...
  • 本发明的一种基于多模态数据融合的感染动态可视化评估方法,采集多模态数据,所述多模态数据包括医学影像模态、微生物学模态、时空行为模态以及生理生化模态;通过量子并行计算对多模态数据进行快速搜索,并获得最优特征组合;将最优特征组合进行融合关联,获...
  • 本申请提供了一种具有辅助余热排出的反应堆及其适用的发电系统,反应堆包括:堆芯;热池;冷池;余热换热器,位于冷池中且与热池连通;流体二极管,位于冷池中且与余热换热器和堆芯底部连通,流体二极管配置为使得冷却介质正向通过流体二极管的阻力小于冷却介...
  • 本发明公开了一种应用于核反应堆安全壳非能动事故缓解的相变储能系统,属于核反应堆安全技术领域,解决了现有核反应堆安全壳事故缓解系统中能动设备响应滞后、传统相变储能装置因固定容积设计无法适应材料热胀冷缩导致的泄漏或失效问题。相变储热容器沿安全壳...
  • 本申请公开了一种耐扭转抗拉耐寒拖链用耐磨电缆及绞合装置,涉及拖链电缆领域,其包括护套和多个间隔分布在护套内的缆芯单元,所述缆芯单元由多个芯线和第一抗拉件绞合形成,所述芯线由至少两股线束绞合而成,所述线束由导体和第二抗拉件绞合形成,所述芯线的...
  • 本发明公开了一种高压变电站固定金具抗电晕装置及其设计方法,其中抗电晕环的设计方法包括:获取金具的类型及金具所处输电系统的电压等级;根据金具的起晕电场强度,设定金具允许承受的最大电场强度阈值;以优化金具表面承受的最大电场强度为目标,构建优化公...
  • 本发明属于冷却设备技术领域,具体涉及一种工业用冷却器及变压器油散热监控系统。该工业用冷却器包括左油室组件、右油室组件及设置于两者之间的芯子组件,所述芯子组件的两端分别与左油室组件、右油室组件形成流体连通,左油室组件和右油室组件的下端部均设有...
  • 一种路网结构的碳材料,包括碳纳米纤维骨架和碳纳米管;碳纳米管沉积在碳纳米纤维骨架表面。碳纳米纤维骨架是聚丙烯腈、羧基化多壁碳纳米管和N,N‑二甲基甲酰胺混合均匀后,采用静电纺丝法制备复合纤维膜,然后碳化而成。在本发明中的路网结构的碳材料中,...
  • 本发明涉及操作机构箱领域,尤其涉及风沙免疫型密封操作机构箱及其使用方法,包括有外箱体,还包括有内箱体,外箱体的顶部固定安装有顶盖,外箱体表面的两侧均设置有侧箱门,外箱体的前端面设置有前箱门,外箱体内侧的底部设置有内箱体,内箱体的前端设置有活...
  • 本申请提供一种硅基氮化镓器件的制造方法及硅基氮化镓器件,方法包括:在硅衬底上形成氮化镓外延层;在氮化镓外延层上沉积保护层;对保护层进行构图,形成保护层图形,其中,保护层图形位于氮化镓外延层的中心区域,暴露出氮化镓外延层的边缘区域;沉积应力补...
  • 本发明公开了一种基于TPMS结构的金属微通道散热器及其制备方法与应用,属于微结构散热器制造与金属成形技术领域。本发明所述制备方法适用于制备金属基TPMS微通道结构,有效避免了传统金属3D打印在微米尺度TPMS结构成形中的技术难题,并克服了对...
  • 本发明揭示了一种视觉检测装置、划切设备及旋转窗组件,其中视觉检测装置包括外罩及设置在外罩内的图像采集组件,所述外罩的底板上设置有与图像采集组件的镜头对应的采集孔,所述底板上设置遮蔽所述采集孔的旋转窗组件,所述旋转窗组件包括由吹气部件产生的气...
  • 本发明涉及晶圆搬运设备技术领域,尤其是指一种晶圆搬运设备及方法,包括搬运架、安装于搬运架的驱动机构、至少两个与驱动机构连接的机械臂、与机械臂末端连接并用于夹取晶圆的执行器、用于防止水渗入驱动机构的第一防水组件及用于防止水渗入执行器的第二防水...
  • 本发明提供了一种晶圆缺口定位装置,属于半导体制造技术领域。包括:基座,一侧面上设置有限位件;定位板,安装在基座上,定位板的第一侧面上具有一条垂直于水平面的刻度线;定位组件,定位组件包括:固定部、杆件和定位头,固定部安装在第一侧面上,杆件竖直...
  • 本发明属于功率半导体器件封装技术领域,尤其涉及一种抗过流双柔性缓冲层封装SiC MOSFET器件,本发明中,通过在SiC MOSFET芯片的上下两侧分别设置上缓冲层以及下缓冲层,在上缓冲层与下缓冲层相互远离的一侧分别设置上DBC基板以及下D...
  • 本发明属于散热技术领域,公开了一种适用于高功率密度SiC功率器件的高效散热结构,包括:并联SiC模块基板、射流冲击散热底板、射流冲击扰流板、通孔、流体出口、密封槽、流体入口、螺纹孔、水冷板、微通道结构、上部扰流板、下部扰流板;本发明采用本射...
  • 本公开实施例提供了一种存储芯片、芯片堆叠结构和存储器,存储芯片包括衬底和n个导电通孔组,每一导电通孔组均包括第一导电通孔~第四导电通孔、第一重分布接触结构~第四重分布接触结构;第一重分布接触结构与第一导电通孔沿第三方向的投影至少部分重叠,第...
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