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  • 本发明涉及人工智能、自然语言处理与电子设计自动化领域, 特别涉及基于形态与逻辑分离的电路解析生成以及修改方法, 包括以下步骤:步骤一:完整的电路生成流程;步骤二:逻辑与形态的分离解析;步骤三:智能修改算子;步骤四:标注‑生成‑修改体系, 步...
  • 本发明公开了一种基于逻辑深度拆分检查时序路径的方法及系统, 所述方法包括以下步骤:获取时序路径的逻辑深度;拆分所述逻辑深度, 得到缓冲器与反相器层级和寄存器传输级RTL层级;基于所述逻辑深度、缓冲器与反相器层级和寄存器传输级RTL层级, 定...
  • 本发明涉及一种基于大语言模型的硬件描述语言生成方法及系统, 其方法, 包括如下步骤:S1、采用大语言模型生成初始数字电路设计代码;S2、对初始数字电路设计代码进行语法验证, 得到语法验证信息;S3、根据语法验证信息修正初始数字电路设计代码,...
  • 本发明公开了一种CTSV链路的高频电学建模方法及装置, 包括:根据CTSV链路的结构参数构建CTSV链路三维模型;其中, CTSV链路三维模型包括主体部分、RDL部分和bump部分;根据CTSV链路三维模型建立主体部分对应的第一等效电路模型...
  • 本发明涉及多测试用例并行仿真技术领域, 一种多测试用例并行仿真方法及系统, 方法包括:获取仿真需求及配置文件模板, 对所述配置参数进行配置, 得到仿真配置文件, 建立回归测试用例列表, 基于预设的脚本解析仿真配置文件及回归测试用例列表, 得...
  • 本发明提出一种基于UVM的指令集加速部件验证平台的搭建方法, 该验证平台首先根据加速部件的输入信号, 产生所需的指令信号, 再根据需求产生符合计算要求的浮点数, 同时确保运算数据的有效范围随机, 激励的各种参数的可配置性, 并通过调用基于C...
  • 本发明公开了一种集成电路测试数据记录系统以及记录方法, 包括数据源模块、数据采集模块以及数据分析模块;所述数据源模块与数据采集模块进行连接, 所述数据采集模块与数据分析模块连接;所述数据源模块用于将集成电路测试的结构化数据导入至数据采集模块...
  • 本发明涉及EDA设计技术领域, 尤其涉及一种基于多个选中节点的树节点展开方法、电子设备和介质, 本发明通过构建当前选中的节点列表, 结合待处理节点栈, 以深度遍历为主线, 配合广度遍历, 将每一当前选中节点展开至待展开深度, 提高了基于多个...
  • 本申请提供了一种待测模块的验证方法及设备, 涉及芯片验证技术领域。参考模型在每接收到一个数据包后, 生成并保存与该数据包对应的至少一个查表信息, 并将生成的与该数据包对应的第一处理结果及数据包标识发送给比较器, 查表信息中包括查表结果, 查...
  • 本申请提供一种有源电路电磁响应特性建模分析方法及相关设备, 涉及集成电路技术领域。本申请通过将待分析有源电路拆分为主要涉及非线性特性变化的电路组件单元, 以及主要涉及线性特性的仅包含单元连接布线的电路载板, 并基于任意强场环境下的电路组件S...
  • 本发明提供一种集成电路的模块化封装系统及方法, 属于半导体器件技术领域, 系统包括:电路划分模块, 用于将第一集成电路划分为多个独立且功能完整的子电路模块;特征化模块, 用于根据子电路模块的划分逻辑, 获取标准化接口特征和封装特征;获取模块...
  • 本发明提供一种应用于芯片仿真的电流波形产生方法、装置、介质及产品, 该方法包括:获取原始电流波形;在原始电流波形中的预仿真波段后截取确定参考波段;从参考波段的终点开始, 通过滑动窗口方式在原始电流波形中确定多个备选波段;从多个备选波段中筛选...
  • 本发明公开了一种交直流输电线路宽频等效解析建模方法及系统, 属于电力系统交/直流输电技术领域, 该方法包括:基于相域频变模型获取各相自阻抗与互阻抗频变参数, 并将自阻抗与互阻抗变换为差模阻抗与共模阻抗;对阻抗数据进行矢量拟合以构建RL支路参...
  • 本发明公开了一种基于改进电‑热耦合模型的锂电池宽温域在线快充方法, 包括:构建改进电‑热耦合模型, 并辨识模型的参数向量;实时采集锂电池的实测状态信息, 基于改进电‑热耦合模型得到预测状态信息, 并在线更新改进电‑热耦合模型;基于预测状态信...
  • 本发明实施例公开了一种约束的转换处理方法、设备、存储介质及程序产品。该方法包括:获取FPGA中待转换的第一类设计约束;识别所述第一类设计约束中的元素获取命令, 并按照第二类设计约束的元素获取格式, 对所述元素获取命令进行转换处理;识别所述第...
  • 本发明提供了一种用于抗单粒子翻转的FPGA BRAM可靠性设计方法, 包括:设置端口控制模块trans_a和端口控制模块trans_b, 利用所述端口控制模块trans_a控制FPGA BRAM的两个数据读写端口中的一个, 端口控制模块tr...
  • 本发明属于集成电路技术领域, 具体为一种基于混合二维‑CMOS异质集成系统的抗辐照智能存算平台。本发明以拥有优异抗辐照特性的二维存储器为基础构建存储阵列, 以成熟且性能稳定的CMOS工艺设计并实现读出电路和神经网络计算电路, 并对CMOS电...
  • 本申请提供了一种星用MOSFET浪涌抑制电路参数设计方法, 包括:在MOSEFT器件的栅极和源极之间增加电容C1, 在MOSEFT器件的栅极输入端增加限流电阻R5;根据基尔霍夫定理和电容的电压与电流关系公式得到电容C1两端电压表达式, 建立...
  • 本发明涉及电磁暂态仿真技术领域, 具体为含有多电力电子开关的电力系统电磁暂态仿真系统, 本发明中, 对多开关节点、电阻、电感、电容参数进行编号与拓扑序号解析, 采用阻抗换算及导纳构造方式形成连接映射矩阵, 并应用遗传算法以编码控制变量形成序...
  • 本发明提供一种基于弧阻特性的直流组网系统用熔断器的分段建模方法, 涉及共直流母线系统设计技术领域, 包括:根据持续采集的短路测试过程中熔断器两侧的短路电压和短路电流计算熔断器的实时弧阻数据, 形成弧阻曲线;截取短路电流的峰值时刻至弧阻曲线的...
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