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最新专利技术
  • 花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备
    花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备_圆益QNC股份有限公司_202510319915.7
    本发明涉及半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的形成氧化钇涂覆组件用氟氧化钇的氟化清洗设备性氟化清洗设备， 其通过含有CF4反应气体的工艺气体和特定处理条件的等离子体热处理， 可以在半导体蚀刻设备中的涂有氧化钇的组件上容易...
    2025-11-30
  • 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510866722.3
    本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备， 该半导体工艺腔室包括腔室本体、盖板、上电极和下电极， 上电极设于腔室本体的顶部， 腔室本体的侧面具有开口， 盖板可拆卸地设置于开口， 用于封堵开口， 下电极与盖板相连。在工艺过程中， 可利用...
    2025-11-30
  • 混合电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)及方法
    混合电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)及方法_吉米亚分析公司_202510400847.7
    公开了一种混合电感耦合等离子体质谱仪(ICP‑MS)系统， 其能够在单个仪器内进行正极性和负极性的元素分析和分子分析。该系统包括ICP炬， 其用缓冲气体生成等离子体以从样本中产生带正负电荷的离子。该系统有位于ICP‑MS接口的取样器和撇渣器...
    2025-11-30
  • 一种电感耦合等离子体质谱仪的进样装置
    一种电感耦合等离子体质谱仪的进样装置_四川长青松科技有限公司_202510959810.8
    本申请涉及质谱仪进样技术领域， 尤其是涉及一种电感耦合等离子体质谱仪的进样装置， 其包括底板， 所述底板的顶部固定安装有电感耦合等离子体质谱仪本体。本申请应用期间， 其进样机构在使用期间采用第一电机在驱动转盘搬运样本的同时， 通过大小带轮传...
    2025-11-30
  • 制造沉积掩模的方法、制造显示装置的方法以及电子装置
    制造沉积掩模的方法、制造显示装置的方法以及电子装置_三星显示有限公司_202510402996.7
    提供一种制造沉积掩模的方法、使用沉积掩模制造显示装置的方法以及电子装置。制造沉积掩模的方法包括：沉积第一无机层， 使得第一无机层围绕基底的表面；将第二无机层沉积在第一无机层上；将光致抗蚀剂图案形成在第二无机层的设置在基底的前表面上的一部分上...
    2025-11-30
  • 一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法
    一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法_宁波威远光电研究院有限公司_202510869512.X
    本发明公开了一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法， 包括：利用刻蚀气体扩散的原理及气体保护原理， 通过光刻制备出所需形貌， 再控制刻蚀条件实现角度继承， 通过光刻与刻蚀联用得到所需形貌；以简单的条件制备出复杂的形貌， 根据所用设备...
    2025-11-30
  • 高密度金属氧化物-碳混合掩模及其制备方法
    高密度金属氧化物-碳混合掩模及其制备方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202510940727.6
    本发明属于半导体领域， 具体地涉及一种高密度金属氧化物‑碳混合掩模及其制备方法。所述方法包括步骤：(1)提供碳掩膜；(2)使NO2改性所述碳掩膜， 得到吸附位点增多的碳掩膜；(3)使金属前驱体在所述吸附位点增多的碳掩膜内沉积得到金属氧化物掺...
    2025-11-30
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510344913.3
    本公开提供一种成膜方法和成膜装置， 能够提高硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；以及向所述非晶硅膜同时供给镍原料气体和氢气， 来使镍向所述非晶硅膜中扩散。
    2025-11-30
  • 成膜方法
    成膜方法_东京毅力科创株式会社_202510345126.0
    本公开提供一种成膜方法， 能够控制硅膜中的镍浓度。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备在表面具有非晶硅膜的基板；变更所述非晶硅膜的表面状态；以及在进行所述变更的工序后， 向所述非晶硅膜供给镍原料气体来使镍向所述非晶硅膜中扩散。
    2025-11-30
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202410934298.7
    本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法。本实施方式所涉及的半导体装置的制造方法通过在具有设置有半导体元件的第1面和与第1面相反侧的第2面的晶片的第2面形成凹部， 由此在第2面形成薄板部及将薄板部包围的环状凸部。本制造方法具有在第2面上形成...
    2025-11-30
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_中芯南方集成电路制造有限公司_202410407138.7
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法， 所述半导体结构包括：基底， 所述基底表面包括目标刻蚀层， 所述目标刻蚀层中形成有图案化的若干改性区， 所述图案化的若干改性区和所述目标刻蚀层的刻蚀选择比大于5， 相邻改性区之间的距离为第一距离， 单个...
    2025-11-30
  • 一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法
    一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511298372.1
    本发明提供了一种厚金属湿法刻蚀工艺改善方法， 涉及湿法刻蚀技术领域。该方法包括步骤：对覆盖光刻胶膜层后的待刻蚀金属膜层进行一次湿法刻蚀， 并持续监测被刻蚀部位侧壁的腐蚀宽度；当腐蚀宽度大于预设值时， 终止本次湿法刻蚀；对完成本次湿法刻蚀后的...
    2025-11-30
  • 一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用
    一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用_西南交通大学_202510693298.7
    本发明公开了一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用， 属于GaN材料技术领域， 其制备方法包括：在衬底上生长Mg掺杂GaN层， 制得基体材料；于N2或N2/O2混合气氛条件下， 将基体材料进行退火处理， 退火的同时对基体材料施加交变电场；...
    2025-11-30
  • 一种功率模块的封装方法及其固定装置
    一种功率模块的封装方法及其固定装置_采埃孚股份公司_202410424163.6
    本发明涉及一种功率模块的封装方法及其固定装置。该封装方法包括S1， 将可拆卸的固定装置装配到散热器上， 在固定装置上设有安装孔， 在散热器的表面设有凸块， 安装孔和凸块上下对应配合， 形成与功率模块适配的放置槽；S2， 将功率模块置入放置槽...
    2025-11-30
  • 电子装置以及其制造方法
    电子装置以及其制造方法_群创光电股份有限公司_202411316045.X
    本发明提供一种电子装置的制造方法， 包含以下步骤：提供基板；形成电路结构于基板上；形成孔洞于基板；形成导电组件于孔洞中；将芯片接合于电路结构上；以及实行第一切割步骤以切割电路结构与基板的一部分， 且于基板中形成凹槽。本发明亦提供一种由前述方...
    2025-11-30
  • 一种用于纯银凸块的化学镀防腐工艺
    一种用于纯银凸块的化学镀防腐工艺_晶度半导体科技(安徽)有限公司_202510801537.6
    本发明公开了一种用于纯银凸块的化学镀金防腐工艺， 包括如下步骤：在基底上电镀形成纯银凸块；对所述纯银凸块依次进行去胶、种子金层刻蚀和种子钛钨层刻蚀处理；对经处理的纯银凸块进行化学镀处理步骤， 所述化学镀处理步骤包括：在所述纯银凸块表面按预设...
    2025-11-30
  • 一种预植铜柱基板的巨量转移方法
    一种预植铜柱基板的巨量转移方法_日月新半导体(苏州)有限公司_202510873591.1
    本发明公开了一种预植铜柱基板的巨量转移方法， 包括制备预植板， 所述预植板包括在不锈钢板上设置离型剂， 在离型剂上方形成多组铜柱；通过在不锈钢板上涂抹离型剂制成预植板， 并采用干膜电镀工艺形成多组铜柱， 可精确控制铜柱的位置、高度及排列密度...
    2025-11-30
  • 防止产生气泡的加热固晶方法
    防止产生气泡的加热固晶方法_梭特科技股份有限公司_202410400077.1
    本发明提供一种防止产生气泡的加热固晶方法， 包括下列步骤：将液体分布在基板上；晶粒在液体中固定在基板上；对晶粒加热， 使得液体蒸发成水蒸气；对晶粒加热加压；以及停止对晶粒加热加压， 使得晶粒逐渐冷却并且固定在基板上。借此， 液体会附着在基板...
    2025-11-30
  • 一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法
    一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法_钱塘科技创新中心_202410406330.4
    本申请涉及一种微柱金刚石基GaN器件及其制备方法。制备方法包括：提供集成衬底， 集成衬底包括依次设置的保护层、纳米烧结金属层、钝化层、氮化镓层和衬底层， 保护层的厚度大于衬底层的厚度；在衬底层表面形成微孔通道；在微孔通道内及衬底层的背向氮化...
    2025-11-30
  • 一种扇出型封装结构及制作方法
    一种扇出型封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202510902610.9
    本发明公开了一种扇出型封装结构及制作方法， 步骤一：所述对作业产品第一面进行线路层一制作， 通过旋转涂布的方式涂布PI‑1层， 再进行曝光显影并固化， 在所述PI‑1层上制作开孔， 所述开孔包括开孔A和开孔B， 通过溅射工艺在所述PI‑1层...
    2025-11-30
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