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  • 本公开的实施例涉及用于电气系统的开关设备。低压开关设备, 包括具有一个或多个开关极的开关装置, 每个开关极包括:可以与电线的对应线导体联接的第一极端子和第二极端子;固定触头组件, 包括多个固定电触头, 多个固定电触头电连接到第一极端子并且包...
  • 双触头旋转分离的高速机械开关, 包括外壳、斥力组件、两个静触头、分闸线圈和合闸线圈, 斥力组件包括两个动触头, 分闸线圈和合闸线圈成夹角设置, 在分闸线圈和合闸线圈之间形成两个转动空间, 两个动触头分别转动设置在两个转动空间内。本发明的双触...
  • 本发明涉及手车式开关柜领域, 尤其涉及一种开关柜用伸缩式分合闸装置、开关柜柜体及开关柜。开关柜用伸缩式分合闸装置包括至少两个传力杆, 最内侧或最外侧的传力杆的端部设置有配合结构, 相邻两个嵌套传力杆中的内侧传力杆上设置有伸缩凸起、外侧传力杆...
  • 一种动作装置及断路器, 涉及低压电器技术领域。该动作装置包括手柄、与手柄连接的转动件、与转动件驱动连接的触头机构, 以及锁定件;在断路器合闸后锁定件作用于转动件, 以使手柄和触头机构分别被锁止在合闸位。该断路器包括上述的动作装置。该动作装置...
  • 本申请提供一种操作机构及断路器, 涉及低压电器技术领域。该操作机构包括:操作件、连杆、锁定件和动触头机构, 连杆的第一端与操作件驱动连接、第二端与动触头机构驱动连接, 锁定件的第一端与操作件驱动连接、第二端在合闸状态下与连杆的第二端抵持, ...
  • 本发明提供一种热磁脱扣器结构, 涉及断路器相关设备的技术领域, 包括导电机构和动铁芯机构和磁轭机构;导电体的一端与双金属元件连接;动铁芯机构与导电机构连接;导电板的一端通过软联导电件与双金属元件连接, 且另一端与线圈导电件连接;线圈导电件绕...
  • 本申请公开了低压电器元器件设备技术领域的一种折叠式触头系统挡板及直流断路器, 直流断路器包括动触头组件、静触头组件、灭弧室以及使用固体产气材料的静触头挡板和动触头挡板, 所述静触头挡板和动触头挡板形成单折叠结构, 所述静触头挡板和动触头挡板...
  • 本发明公开了一种通用智能跌落式熔断器, 所述跌落式熔断器由绝缘外管、熔丝、管座、导电帽和连接座组成, 所述连接座的左右两侧对称设有转动臂, 所述转动臂的上端通过转动销轴与管座和连接座同轴转动连接, 所述转动臂的中部横向设有一根连接杆, 所述...
  • 本发明涉及熔断器技术领域, 尤其涉及一种高分断、高电流贴片熔断器, 包括上壳体、下壳体和安装在上下壳体之间的熔体, 上壳体和下壳体均采用陶瓷材料制成, 熔体采用导电材料一体式弯折冲压制成, 上壳体与下壳体安装后的内部空腔中灌装有灭弧填料。本...
  • 本申请涉及电气保护领域, 尤其是涉及一种可插拔式电机保护熔断器及熔断器底座。该熔断器, 包括:外壳体;底盖, 嵌设在所述外壳体的一端;插头件, 设置为对称的两个, 两个所述插头件的一端均位于所述外壳体内, 另一端均穿设在所述底盖的两端并外露...
  • 本申请提供了一种具有高低压隔离功能的智能熔断器, 包括:第一壳体、第一激励源、第二激励源、冲击件和隔离组件;隔离组件与第一壳体叠放设置;隔离组件上设置有第一导线定位槽、第二导线定位槽、第三开口、第一连接孔和第二连接孔;第一连接孔的位置与第一...
  • 本发明涉及开关电器领域, 具体涉及一种熔断器内置式接触器。熔断器内置式接触器, 包括第一接触器和第二接触器, 第一接触器包括第一电磁系统, 第一罩壳, 第一动触桥, 第一静触头和第二静触头;第二接触器包括第二电磁系统, 第二罩壳, 第二动触...
  • 本发明属于粒子加速器微波领域, 具体而言, 涉及一种C波段紧凑型球形微波脉冲压缩装置, 包括外壳、双极化模式耦合器、圆波导, 外壳内部设置有球形储能腔, 圆波导与球形储能腔之间通过设置耦合孔连通;双极化模式耦合器包括矩形波导、蝴蝶形匹配节、...
  • 本发明涉及X射线球管控制技术领域, 具体涉及一种液态金属轴承X射线球管的阳极转子驱动模块及方法。包括如下过程:在加速阶段, 在预设时间段内, 电源输入模块向阳极定子线圈持续性供电, 以让阳极转子达到目标转速进入运行阶段;在运行阶段, 电源输...
  • 本发明涉及电子束测量技术领域, 具体涉及一种电子束束斑测试装置、方法、设备及存储介质。装置包括:电流检测组件, 用于接收待测电子束转换为电流信号值;可移动刀口组件, 用于在移动过程中对待测电子束进行遮挡;计算装置, 用于获取可移动刀口组件移...
  • 本文提供用于增大离子源的效率的方法, 具体而言, 提供一种离子植入设备、离子源及操作离子源的方法。在一些实施例中, 例如离子源的设备可包含腔室壳体, 腔室壳体具有:第一端壁和第二端壁;以及提取板, 耦合到第一端壁和第二端壁中的至少一个。提取...
  • 提供了一种用于等离子体处理室的部件。提供了一种含金属部件主体。密封剂涂层位于含金属部件主体的表面上, 其中密封剂涂层包括硅酮密封剂、有机密封剂或环氧密封剂中的至少一种, 其中密封剂涂层未被覆盖且直接暴露于等离子体处理室中的等离子体。
  • 本发明涉及一种晶圆处理装置、晶圆处理方法及晶圆处理系统, 属于半导体技术领域。本发明设置第一加热模块升高基座的温度, 并将晶圆放置在基座上, 基座通过热传导的方式对晶圆加热, 使晶圆与喷淋头在反应腔内保持最大间距, 显著增加了气体副产物的排...
  • 本发明提供了半导体加工设备、方法及存储介质。所述半导体加工设备包括第一反应腔、气体捕集器、远程等离子体源及控制器。第一反应腔经由第一反应阀连接第一反应源, 并经由第二反应阀连接第二反应源。气体捕集器经由第三反应阀连接第一反应腔。远程等离子体...
  • 提供了加工工件的方法。该工件可以包括钌层和铜层。在一个示例性实施方案中, 用于加工工件的方法可以包括在工件支撑件上支撑工件。该方法可以包括在工件上向钌层的至少一部分实施臭氧蚀刻工艺。该方法还可以包括对工件实施氢自由基处理工艺以去除铜层上的至...
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