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最新专利技术
  • 一种提高快速热处理工艺稳定性的结构
    一种提高快速热处理工艺稳定性的结构_盛吉盛半导体科技(北京)有限公司_202511137140.8
    本发明公开一种提高快速热处理工艺稳定性的结构，属于半导体工艺设备技术领域，快速热处理设备中包括边缘环和支撑环，边缘环平放在支撑环上；边缘环在中部具有用于放置晶圆的放置槽，边缘环在外侧具有向下延伸的外环结构，边缘环在外环结构与放置槽之间还设置...
    2025-12-04
  • 一种化学液浸泡单片清洗装置
    一种化学液浸泡单片清洗装置_盐城工学院_202511211574.8
    本发明涉及单片清洗装置技术领域，且公开了一种化学液浸泡单片清洗装置，包括设备主机，所述设备主机的外部设有沥水传送模组，所述设备主机的顶部开设有浸泡池，所述设备主机的顶部固定安装有固定壳，所述固定壳的顶部固定安装有电机一。通过启动电机四，使得...
    2025-12-04
  • 一种具有装载口门闸的回流焊设备
    一种具有装载口门闸的回流焊设备_江苏峰博装备技术有限公司_202511328881.4
    本发明公开了一种具有装载口门闸的回流焊设备，涉及回流焊技术设备领域，包括腔体底板，腔体底板的顶端开设有若干圆形安装孔，腔体底板的一侧设置有装载口门闸机构，装载口门闸机构一侧的顶端设置有过渡型腔机构，且靠近装载口门闸机构的圆形安装孔底端设置有...
    2025-12-04
  • 一种COF封装基材化学活化处理装置
    一种COF封装基材化学活化处理装置_江苏上达半导体有限公司_202511411452.3
    本发明公开的一种COF封装基材化学活化处理装置，属于柔性基材处理技术领域，包括用于活化的活化箱，所述活化箱侧壁安装有用于支撑和固定的第一支撑板，所述第一支撑板上安装有抬升组件，所述抬升组件下端安装有调控驱动组件，所述调控驱动组件上端活动安装...
    2025-12-04
  • 一种仪表芯片加工用刻蚀装置
    一种仪表芯片加工用刻蚀装置_启东惜时智能科技有限公司_202511437433.8
    本发明公开了一种仪表芯片加工用刻蚀装置，包括壳体，所述壳体上固定设置有顶板，所述顶板通过两个撑杆与壳体的上壁相连接，所述顶板上固定设置有电机，所述电机的输出端固定连接设置有转杆，所述转杆转动贯穿顶板设置，所述壳体上设有上端开口的空腔，所述转...
    2025-12-04
  • 转移装置和承载托架
    转移装置和承载托架_北京北方华创微电子装备有限公司_202410558842.2
    本申请提供一种转移装置和承载托架，转移装置包括夹持机构，夹持机构包括在第一水平方向上相对设置的两个夹持臂，每个夹持臂沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸设置，且能够在夹持位置和非夹持位置之间切换；夹持臂设置有沿第二水平方向间隔排布的多个夹...
    2025-12-04
  • 一种用于立式炉的晶圆搬运装置
    一种用于立式炉的晶圆搬运装置_上海大族富创得科技股份有限公司_202510252874.4
    本申请提供了一种用于立式炉的晶圆搬运装置，属于晶圆搬运技术领域。针对现有的晶圆搬运装置存在的搬运效率较低的问题，本申请提供了一种用于立式炉的晶圆搬运装置，包括依次相接的开盒平台、第一搬运机构、中转平台和第二搬运机构。通过开盒平台实现对晶圆盒...
    2025-12-04
  • 一种单晶改良掺杂物料智能运输方法
    一种单晶改良掺杂物料智能运输方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202510959793.8
    本发明公开了一种单晶改良掺杂物料智能运输方法，其特征在于，包括：在智能传感器节点中集成视觉传感器、声音传感器、振动传感器，以进行数据的多模态采集，得到多模态数据；利用数据融合算法，将所述多模态数据融合为统一的数据集；基于循环神经网络对所述多...
    2025-12-04
  • 基片转移装置及转移方法
    基片转移装置及转移方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511417180.8
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基片转移装置及转移方法，所述基片转移装置，包括储料台、承台和转运台；所述储料台上具有多个第一储料槽，所述承台设置有多个第二储料槽；所述基片转移装置被配置为：所述储料台运动与所述转运台接触，并被所述转运台定...
    2025-12-04
  • 一种光伏组件小块长条放置设备及方法
    一种光伏组件小块长条放置设备及方法_苏州晟成光伏设备有限公司_202511439061.2
    本发明公开了一种光伏组件小块长条放置设备及方法，其包括输送线，输送光伏组件至操作工位；长条放置单元，设置有两组分别位于操作工位X向两侧，且包括供应长条至第一接料平台上的长条供料机构、从第一接料平台上吸取长条放置到光伏组件上的长条搬运机构以及...
    2025-12-04
  • 一种吸附工装及串焊设备
    一种吸附工装及串焊设备_晶科能源股份有限公司_202511025238.4
    本申请涉及光伏设备技术领域，尤其涉及一种吸附工装及串焊设备。吸附工装包括吸盘、连杆组件和真空泵。连杆组件的第二腔体连通于真空泵与吸盘的第一腔体之间，真空泵用于通过第二腔体抽取第一腔体内的气体，以使吸盘吸附电池片。连杆组件至少包括第一连杆和连...
    2025-12-04
  • 一种超薄芯片吸取方法及装置
    一种超薄芯片吸取方法及装置_东莞忆联信息系统有限公司_202511200159.2
    本发明公开了一种超薄芯片吸取方法及装置，涉及芯片加工技术领域。该方法包括以下步骤：S1、对多段式顶起平台的各段顶起件与顶针帽上表面保持齐平；S2、将带有基膜的芯片放于多段式顶起平台上；控制多段式顶起平台正上方的吸嘴对芯片的正面进行吸附，并通...
    2025-12-04
  • 一种自动贴片吸嘴快速更换装置及方法
    一种自动贴片吸嘴快速更换装置及方法_中国电子科技集团公司第十研究所_202511431032.1
    本发明属于半导体器件加工技术领域，特别涉及一种自动贴片吸嘴快速更换装置及方法。其技术方案为：一种自动贴片吸嘴快速更换装置，包括磁吸吸嘴装置和控制系统，磁吸吸嘴装置包括安装底座和套设于安装底座内的吸嘴，安装底座内安装有梯度磁场发生装置，吸嘴上...
    2025-12-04
  • 晶圆载具及表面处理方法
    晶圆载具及表面处理方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202511118662.3
    本申请公开了一种晶圆载具及表面处理方法，其中，晶圆载具包括承载主体、装载架以及翻转驱动机构，装载架转动设置在承载主体上，且用于夹持定位晶圆，本申请实施例中，采用上述的一种晶圆载具及表面处理方法，装载架可通过定位驱动机构带动定位杆运动以切换工...
    2025-12-04
  • 光伏电池片用堆叠工装及其工作方法
    光伏电池片用堆叠工装及其工作方法_江苏宁美新能源有限公司_202511374831.X
    本发明属于光伏电池片堆叠技术领域，具体涉及光伏电池片制造时的堆叠工装，尤其涉及一种光伏电池片用堆叠工装及其工作方法。其中，光伏电池片用堆叠工装包括：承载底板；多个夹持板；所述夹持板的夹持面上设置有缓冲夹持件。通过设置在夹持板上的缓冲夹持件，...
    2025-12-04
  • 一种半导体芯片加工固定治具
    一种半导体芯片加工固定治具_苏州中瑞宏芯半导体有限公司_202511438861.2
    本发明公开了一种半导体芯片加工固定治具，包括底座, 和设置于底座上的固定架，以及位于固定架上的夹紧机构，所述夹紧机构包括固定框，所述固定框横向两侧分别设置有第一横向托板和第二横向托板，所述第一横向托板通过金属件固定于固定框上，所述固定框纵向...
    2025-12-04
  • 一种多功能晶圆搬运机械手臂
    一种多功能晶圆搬运机械手臂_南通瑞昇动力科技有限公司_202511445891.6
    本发明涉及晶圆搬运技术领域，特别是一种多功能晶圆搬运机械手臂，包括：底座、升降臂、第一旋转臂、第二旋转臂、第三旋转臂和夹爪机构；所述底座顶部滑动安装有升降臂，所述升降臂顶部转动安装有第一旋转臂，所述第一旋转臂顶部转动安装有第二旋转臂，所述第...
    2025-12-04
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511429564.1
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽，在所述垫氧化层和所述垫氮化层之间形成凹陷区；去除所述垫氮化...
    2025-12-04
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410551891.3
    一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括互连区以及与其相邻的电容区；在电容区的衬底中形成电容器；在衬底上形成覆盖电容器的第一介电层；在互连区的第一介电层和衬底中形成互连通孔结构，在电容区的第一介电层中形成第一互连层，第一互连层...
    2025-12-04
  • 晶圆混合键合方法
    晶圆混合键合方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410558021.9
    一种晶圆混合键合方法，包括：形成第一衬底，所述第一衬底包括第一介质层和位于所述第一介质层内的第一金属层，第一衬底具有第一功能面，且所述第一功能面暴露出所述第一介质层和所述第一金属层；对所述第一功能面进行第一等离子体表面活化处理；在所述第一等...
    2025-12-04
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