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最新专利技术
  • 晶圆混合键合方法
    晶圆混合键合方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410558021.9
    一种晶圆混合键合方法，包括：形成第一衬底，所述第一衬底包括第一介质层和位于所述第一介质层内的第一金属层，第一衬底具有第一功能面，且所述第一功能面暴露出所述第一介质层和所述第一金属层；对所述第一功能面进行第一等离子体表面活化处理；在所述第一等...
    2025-12-04
  • 多重曝光工艺通孔制造方法
    多重曝光工艺通孔制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066135.2
    本发明公开了一种多重曝光工艺通孔制造方法，制造通孔时，每层通孔硬掩膜图形形成后沉积一层衬垫层，沉积的衬垫层用作下一道湿法清洗工艺的牺牲层。本发明能抑制通孔关键尺寸膨胀，扩大AIO刻蚀窗口，具有良好的可扩展性。
    2025-12-04
  • 先进工艺节点通孔微缩制造方法
    先进工艺节点通孔微缩制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066150.7
    本发明公开了一种先进工艺节点通孔微缩制造方法，在执行后段金属互连一体化刻蚀工艺之前，增加衬垫层工艺步骤, 包括：在沟槽结构表面沉积一层衬垫层；在已经沉积的衬垫层上打开窗口，暴露出通孔底部结构或硅衬底结构；对打开窗口后残留的衬垫层进行微调或收...
    2025-12-04
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511073679.1
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，包括芯片区和边缘区，芯片区包括第一区域和第二区域，边缘区包括第三区域和第四区域，第一区域与第四区域通过第二区域与第三区域隔开；采用第一掩膜版在衬底中形成第一图案和第...
    2025-12-04
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511073700.8
    本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述形成方法中，在获取待形成金属通道的半导体基板后，对应于各有效芯片区及至少部分无效芯片区的层间介质层形成暴露第一金属布线层的第一通孔和第二通孔，之后形成第二金属布线层，并分别对应于第一通孔和第二通孔形...
    2025-12-04
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511221893.7
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明中半导体器件包括衬底和形成在衬底上的多个芯片。衬底具有至少一个划片道，每个划片道位于相邻两个芯片之间，划片道的宽度由上至下逐渐变大，在切割过程中，刀具不会与划片道的侧壁接...
    2025-12-04
  • 一种晶圆解理方法和装置
    一种晶圆解理方法和装置_度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司_202511432625.X
    本申请提供一种晶圆解理方法和装置，所述方法包括：确定所述目标晶圆对应的切割边缘；在双边切割模式时，根据所述目标晶圆的材质、衬底偏转角度以及不同解理区域与所述切割边缘的相对位置，确定所述不同解理区域所生长的保护膜的厚度、硬度和感光性；确定所述...
    2025-12-04
  • 预防芯片微裂纹的封装结构
    预防芯片微裂纹的封装结构_浙江大圭电子科技有限公司_202511430193.9
    本发明涉及半导体封装技术领域，特指一种预防芯片微裂纹的封装结构，包括：基板；设于所述基板之上的芯片，所述芯片通过粘接层贴设于所述基板上；设于所述基板上并与所述芯片相对应的压力传感器，所述压力传感器用于实时检测芯片在贴装过程中受到的压力；设于...
    2025-12-04
  • 一种封装基板单元结构及其制作方法
    一种封装基板单元结构及其制作方法_厦门安捷利美维科技有限公司_202511117694.1
    本发明公开一种封装基板单元结构及其制作方法，该结构包括：玻璃芯板，具有相对的第一表面和第二表面、连接第一表面和第二表面的侧面，以及由第一表面、第二表面和侧面共同界定的外周缘；增层结构，配置于玻璃芯板的第一表面和/或第二表面上，且增层结构的边...
    2025-12-04
  • 一种叠层封装结构及实现方法
    一种叠层封装结构及实现方法_成都宇熙电子技术有限公司_202511442668.6
    本发明涉及半导体封装领域，公开了一种叠层封装结构及实现方法，所述叠层封装结构包括DPC陶瓷CBGA基板、金属围框、设置于封装空腔内的内部印制板、多个内部互连锡球以及金属盖板；所述内部印制板为无开窗的完整板体，通过其底部的内部互连锡球整体焊接...
    2025-12-04
  • 提升晶圆划片可靠性的结构
    提升晶圆划片可靠性的结构_华虹半导体(无锡)有限公司_202511062281.8
    本发明提供一种提升晶圆划片可靠性的结构。该结构包括芯片区域、相邻的划片道、位于芯片区域内邻近划片道的密封环，以及覆盖这些区域的钝化层。其关键在于，在钝化层中、位于密封环与划片道之间形成一钝化层开槽，并在该开槽与密封环及划片道之间分别界定有第...
    2025-12-04
  • 一种提高IGBT功率模块散热性能的封装结构及封装方法
    一种提高IGBT功率模块散热性能的封装结构及封装方法_赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司_202510841255.9
    本发明提供一种提高IGBT功率模块散热性能的封装结构及封装方法，封装结构包括由下至上依次设置的铜基板、第一环氧胶层、环氧树脂基复合材料层、第二环氧胶层、一体设置的上桥铜层和下桥铜层、芯片焊料层、功率芯片；功率芯片包括上桥芯片和下桥芯片；芯片...
    2025-12-04
  • 封装结构及其制备方法、电子设备
    封装结构及其制备方法、电子设备_尚睿微电子(上海)有限公司_202510945059.6
    本申请实施例公开了一种封装结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体领域，能够降低多个芯片之间的干扰，且不额外增加封装结构的尺寸。封装结构包括基板，第一芯片，第一封装层，第二芯片和第二封装层。第一芯片设置于基板的一侧；第一芯片与基板耦接。第一封...
    2025-12-04
  • 电子芯片封装
    电子芯片封装_意法半导体(图尔)公司_202511076692.2
    本发明涉及一种器件，包括支持件、覆盖支持件的导电层、位于导电层上的半导体衬底和绝缘壳体。
    2025-12-04
  • 一种多芯片堆叠封装结构及其封装方法
    一种多芯片堆叠封装结构及其封装方法_东莞忆联信息系统有限公司_202511257827.5
    本发明公开一种多芯片堆叠封装结构及其封装方法，涉及封装技术领域，其中，多个晶粒以阶梯错层结构堆叠并埋设于塑封体内；散热盘设置于塑封体的一个表面，并与最底层的晶粒连接；每一第一导体对应与一晶粒垂直连接，且垂直延伸到塑封体远离散热盘的一侧；屏蔽...
    2025-12-04
  • 一种堆叠式封装结构及其工艺方法
    一种堆叠式封装结构及其工艺方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511086064.2
    本发明涉及堆叠式封装技术领域，具体为一种堆叠式封装结构及其工艺方法，包括第一芯片，第一芯片的顶部设置有装片膜，且第一芯片通过装片膜连接有第二芯片，第二芯片的底部通过装片膜连接有散热盒，且散热盒的顶部固定安装有均热板，均热板的底部固定设置有聚...
    2025-12-04
  • 一种芯片散热支撑底座
    一种芯片散热支撑底座_华厦半导体(深圳)有限公司_202511101785.6
    本发明涉及芯片散热领域，具体是一种芯片散热支撑底座，包括电路板主体，所述电路板主体一侧设置有支撑底座主体，芯片放置在支撑底座主体之中，散热装置一侧设置有导热组件，导热组件一侧设置有散热装置，导热组件用于导热从而使支撑底座主体之中的热量进入散...
    2025-12-04
  • 电源半导体封装结构、方法及电子产品
    电源半导体封装结构、方法及电子产品_环旭(深圳)电子科创有限公司_202511065414.7
    一种电源半导体封装结构、方法及电子产品，电源半导体封装结构包括电感元件、主动元件、被动元件、电源芯片和PCB板。电感元件和电源芯片均电连接至PCB板，并沿垂直于PCB板方向依次排布。电感元件电连接至PCB板的一侧具有开口的空腔，主动元件和/...
    2025-12-04
  • 一种集成微流道的低杂感低热阻功率模块
    一种集成微流道的低杂感低热阻功率模块_武汉大学_202510809231.5
    本发明公开一种集成微流道的低杂感低热阻功率模块，包括从上至下依次堆叠布置的含有微流道的第一层DBC结构、第二层DBC结构、第三层DBC结构和第四层DBC结构，各层DBC结构之间分别设有芯片层，所述第二层DBC结构和所述第三层DBC结构之间设...
    2025-12-04
  • 半导体芯片互联器件、其制造方法及功率模块
    半导体芯片互联器件、其制造方法及功率模块_苏州华太电子技术股份有限公司_202510999012.8
    本申请公开了一种半导体芯片互联器件、其制造方法及功率模块，包括通用电极层；半导体功能层，与通用电极层层叠设置，半导体功能层包括至少两个半导体单元；第一图案化金属层，层叠设置于半导体功能层背向通用电极层的一侧，第一图案化金属层包括对应各半导体...
    2025-12-04
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