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最新专利技术
  • 制造包括存储器电路的电子装置的方法
    制造包括存储器电路的电子装置的方法_意法半导体国际公司_202510614132.1
    本公开涉及制造包括存储器电路的电子装置的方法。一种电子装置包括半导体基板、在半导体基板上并且与半导体基板接触的绝缘层，以及包括多个存储器单元的存储器电路。每个存储器单元包括设置在半导体基板中且在半导体基板上的双极型选择晶体管，每个双极型选择...
    2025-11-24
  • 存储设备、数据处理方法、计算机系统和介质
    存储设备、数据处理方法、计算机系统和介质_北京超弦存储器研究院_202410598420.8
    一种存储设备、数据处理方法、计算机系统和介质，涉及数据存储领域，其中，存储设备包括存储单元、控制芯片和电容管理器，其中，存储单元包括垂直堆叠的多层高带宽内存硅晶粒和垂直堆叠的多层闪存硅晶粒，多层闪存硅晶粒通过3D封装方式堆叠在多层高带宽内存...
    2025-11-24
  • 具有盖和加强件环的多芯片模块
    具有盖和加强件环的多芯片模块_苹果公司_202511103202.3
    本公开涉及具有盖和加强件环的多芯片模块。描述了多芯片模块(MCM)结构。在实施方案中，模块包括位于模块基板的顶侧上的第一部件和第二部件、安装在模块基板的顶侧上的加强件结构和安装在该加强件结构上并且覆盖第一部件和第二部件的盖。该加强件在形成于...
    2025-11-24
  • 一种嵌入式层叠芯片封装结构及其封装方法、集成电路板
    一种嵌入式层叠芯片封装结构及其封装方法、集成电路板_广东长兴半导体科技有限公司_202511435803.4
    为克服现有芯片封装存在散热性能不足的问题的问题，本发明提供了一种嵌入式层叠芯片封装结构及其封装方法、集成电路板，所述嵌入式层叠芯片封装结构包括层叠的多个层板，层板包括芯板本体和第一芯片，芯板本体上开设有安装孔，所述第一芯片嵌入于所述安装孔中...
    2025-11-24
  • 半导体封装结构及其封装方法
    半导体封装结构及其封装方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511461017.1
    本申请公开一种半导体封装结构及其封装方法，涉及半导体技术领域，包括具有多层布线层的衬底以及层叠设置的第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片，衬底上开设有凹槽，第一芯片正装在衬底上且位于凹槽内，第二芯片倒装在衬底和第一芯片上，且第二芯片的凸点...
    2025-11-24
  • 三维堆叠的芯片系统、内存访问方法和电子设备
    三维堆叠的芯片系统、内存访问方法和电子设备_芯来智融半导体科技(上海)有限公司_202511476735.6
    本申请实施例提供了一种三维堆叠的芯片系统、内存访问方法和电子设备，芯片系统包括：基板；一个或多个计算芯粒，设置于所述基板上；一个或多个内存芯粒，每个所述内存芯粒通过硅通孔堆叠设置于对应计算芯粒上方，且所述计算芯粒和所述内存芯粒被封装为第一芯...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511453828.7
    本申请实施例中提供一种半导体结构及其形成方法；所述半导体结构，包括：基底，包括电容区；第一介质层，覆盖于所述电容区；电容第一凹槽，位于所述电容区的所述第一介质层中；第一电极层，填充于所述电容第一凹槽内；电容介质层，覆盖于所述第一电极层上；第...
    2025-11-24
  • 一种T型深沟槽结构电容及其制造方法
    一种T型深沟槽结构电容及其制造方法_上海光键半导体设备有限公司_202511479217.X
    本发明公开了一种T型深沟槽结构电容及其制造方法。该电容中四个T型结构旋转组合成一个正方形的最小单元，整体呈中心对称分布，解决了单个T型结构应力不平衡而造成的晶圆翘曲问题。最小单元的边长为4a+3b，根据工艺需求的不同，a、b可灵活变化，但最...
    2025-11-24
  • 一种改善沟槽肖特基漏电均匀性的镍铂硅化物形成的制造方法
    一种改善沟槽肖特基漏电均匀性的镍铂硅化物形成的制造方法_江苏新顺微电子股份有限公司_202510985195.8
    本发明公开了一种改善沟槽肖特基漏电均匀性的镍铂硅化物形成的制造方法，包括如下步骤：步骤一，将溅射镍铂金属的沟槽栅极结构晶圆装入合金炉管的晶舟上；步骤二，将晶舟以较低速度推入恒温的合金炉管中，镍铂金属在移动的过程中开始掺杂在硅基表面；步骤三，...
    2025-11-24
  • 一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图
    一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图_豪威集成电路(集团)股份有限公司_202511112814.9
    本申请提供了一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图，利用肖特基金属与较低掺杂浓度第二多晶硅直接接触形成肖特基二极管。当器件有源区通过电流产生热量，晶格将热量传导至第一沟槽内的肖特基结，使肖特基二极管自身势垒高度发生变化，从而改变其...
    2025-11-24
  • 双向TVS二极管及其制备方法
    双向TVS二极管及其制备方法_上海鑫维半导体有限公司_202511169566.1
    本发明公开了一种双向TVS二极管及其制备方法，所述双向TVS二极管包括第一N型层和第二N型层，及位于第一N型层和第二N型层之间的P型层，所述P型层和第一N型层的界面位置形成有第一耗尽区，所述P型层和第二N型层的界面位置形成有第二耗尽区，所述...
    2025-11-24
  • 一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法
    一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法_江苏新顺微电子股份有限公司_202511088046.8
    本发明公开了一种超低正向、高可靠性沟槽肖特基二极管结构及其制造方法。其包括作为基片的第一导电类型浓掺衬底；在浓掺衬底上设置有第一导电类型的轻掺杂外延层；在外延层上开出外分压环及内等边等角六边形沟槽；在沟槽内上形成栅氧，填充多晶硅；在多晶回蚀...
    2025-11-24
  • 一种阳极场板辅助场限环的SBD及其制备方法
    一种阳极场板辅助场限环的SBD及其制备方法_中北大学_202511482158.1
    本发明涉及功率半导体技术领域，公开了一种阳极场板辅助场限环的SBD及其制备方法，该阳极场板辅助场限环的SBD包括：自下而上依次层叠的衬底和低掺杂N型氧化镓外延层；低掺杂N型氧化镓外延层的顶部间隔嵌入设置有主结、场限环和高掺杂N型氧化镓阴极欧...
    2025-11-24
  • 具有非平面布置的端子的异质结双极型晶体管
    具有非平面布置的端子的异质结双极型晶体管_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510382348.X
    本发明涉及具有非平面布置的端子的异质结双极型晶体管，揭露用于异质结双极型晶体管的结构以及形成用于异质结双极型晶体管的结构的方法。该结构包括本征基极、集电极以及发射极，该本征基极包括第一半导体层，该集电极包括第二半导体层，以及该发射极包括第三...
    2025-11-24
  • 一种IGBT芯片及其制备方法
    一种IGBT芯片及其制备方法_江苏新顺微电子股份有限公司_202510992003.6
    本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法，所述方法包括：在外延层上淀积氧化层作为阻挡层；刻出终端结构；光刻形成沟槽结构、令位于芯片边沿位置的沟槽呈相邻沟槽的间距随沟槽距离芯片中心位置的距离增加呈等比例依序递增；淀积多晶硅、以多晶硅完全填充所...
    2025-11-24
  • 一种半导体结构、制备方法及电子设备
    一种半导体结构、制备方法及电子设备_中芯南方集成电路制造有限公司_202410586192.2
    本申请公开了一种半导体结构、制备方法及电子设备，提供形成有MOS管区域的衬底；所述MOS管区域包括鳍式结构；于所述鳍式结构上形成沟槽结构，且所述沟槽结构中形成有至少一个墙体；所述至少一个墙体将所述沟槽结构分隔为至少两个沟槽区域；于形成有至少...
    2025-11-24
  • 制造包括欧姆接触和栅极电介质的半导体器件的方法
    制造包括欧姆接触和栅极电介质的半导体器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510581061.X
    公开了制造包括欧姆接触和栅极电介质的半导体器件的方法。提出了一种制造半导体器件(100)的方法。所述方法包括在SiC半导体主体(106)中在SiC半导体主体(106)的第一表面(1061)处形成掺杂区(1011，1021，1031)。所述方...
    2025-11-24
  • 金属氧化膜半导体晶体管的制造方法
    金属氧化膜半导体晶体管的制造方法_株式会社电装_202510587789.3
    一种金属氧化膜半导体晶体管的制造方法，具有：在氢气中对SiC衬底进行加热从而将所述SiC衬底的表面进行蚀刻的工序；在所述蚀刻的实施之后，在包含氢气和硅原料气体的气体中将所述SiC衬底加热至比所述蚀刻中的所述SiC衬底的加热温度低的温度，从而...
    2025-11-24
  • 一种沟槽MOSFET及其制造方法
    一种沟槽MOSFET及其制造方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511065142.0
    本发明提供一种沟槽MOSFET及其制造方法，该方法在形成沟槽、屏蔽栅氧化层、控制栅氧化层、隔离氧化层、屏蔽栅、控制栅、体区、源区、介质层之后，形成贯穿介质层与源区并延伸进体区中的第一接触孔及贯穿介质层、控制栅及隔离氧化层并显露屏蔽栅的第二接...
    2025-11-24
  • 降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法
    降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法_重庆万国半导体科技有限公司_202511149300.0
    本发明公开了一种降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法，制备方法包括：在硅衬底上沉积外延层，并在外延层上刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的槽壁上形成栅氧化层；在栅极沟槽中淀积栅极多晶硅；通过离子注入形成体区与源区；在栅极多晶硅的一侧或两侧形成...
    2025-11-24
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