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最新专利技术
  • 一种SiC器件的高温封装方法
    一种SiC器件的高温封装方法_浙大城市学院_202511128448.6
    本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种SiC器件的高温封装方法。本发明基于LTCC多层互连工艺和低温烧结技术，采用多层结构设计和内部封装方法，通过引入墨材质的高温应力缓冲层以及金属导热通孔柱，实现了高效的散热性能与高温应力的有效调控，该方...
    2025-11-28
  • 一种干法刻蚀晶面保护工艺
    一种干法刻蚀晶面保护工艺_上海新微技术研发中心有限公司_202511187350.8
    本发明公开了一种干法刻蚀晶面保护工艺，包括以下步骤：步骤一：提供一晶圆，所述的晶圆的背面有待刻蚀膜层；步骤二：在所述晶圆的正面形成保护层，所述保护层是静电膜或保护胶；步骤三：对所述晶圆的背面进行干法刻蚀，以移除所述待刻蚀膜层；步骤四：去除所...
    2025-11-28
  • 半导体结构的形成方法及封装方法
    半导体结构的形成方法及封装方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410635477.0
    一种半导体结构的形成方法及封装方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括待键合面；在待键合面一侧的基底中形成键合焊垫，待键合面露出键合焊垫顶面；形成覆盖键合焊垫且露出待键合面的保护层；对待键合面进行表面激活处理。本发明有利于提高半导...
    2025-11-28
  • 具有光刻形貌调整功能的高精度晶圆制造方法
    具有光刻形貌调整功能的高精度晶圆制造方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511060692.3
    本发明提供一种具有光刻形貌调整功能的高精度晶圆制造方法，包括：通过PECVD工艺在芯片的具有焊盘的一面上沉积第一介电膜层；对所述第一介电膜层施加光刻胶并使得所述光刻胶形成第一蚀刻图案；通过调整成第一蚀刻配方，使所述第一介电膜层具有未贯穿的第...
    2025-11-28
  • 晶圆级别芯片封装方法及芯片封装
    晶圆级别芯片封装方法及芯片封装_北京芯力技术创新中心有限公司_202511060687.2
    本发明提供一种晶圆级别芯片封装方法及芯片封装。该芯片封装方法通过利用预备合格裸片替换原有不合格裸片的方式对在同一面上具有多个裸片的芯片进行封装，包括：步骤S1，通过对芯片中的多个裸片进行电性测试来挑选出电性能达不到设定规格的不合格裸片；步骤...
    2025-11-28
  • 一种提高共晶键合精度的方法
    一种提高共晶键合精度的方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511128483.8
    本发明提供了一种提高共晶键合精度的方法，待键合晶圆放置在晶圆键合机上，待键合的上、下晶圆上沉积有待键合的金属层，待键合的上、下晶圆在开始键合前通过c形夹持臂预夹紧；键合机的上压板设置有阵列式下压顶针组件；晶圆在预夹紧后，机台升温至预设温度时...
    2025-11-28
  • 一种自修复SOP封装方法
    一种自修复SOP封装方法_山东兴佳集成电路有限公司_202511148265.0
    本发明公开了一种自修复SOP封装方法，包括：S1、封装基板准备与芯片电路焊接、S2、自修复材料层制备与设置、S3、封装外壳覆盖与热压封装和S4、封装体可靠性测试，所述S1、封装基板准备与芯片电路焊接中，对封装基板进行表面清洁处理时，采用超声...
    2025-11-28
  • 一种旋转式真空热压键合装置及方法
    一种旋转式真空热压键合装置及方法_科尔迅智能科技(深圳)有限公司_202511477919.4
    本发明涉及热压键合设备技术领域，具体公开了一种旋转式真空热压键合装置及方法，包括支撑环，所述支撑环的上表面呈环状固定连接有支撑杆，还包括：键合机构，所述键合机构固定安装在支撑杆的顶部；加强机构，所述加强机构固定安装在键合机构的内部。本旋转式...
    2025-11-28
  • 一种晶圆污染元素的检测方法
    一种晶圆污染元素的检测方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511062522.9
    本发明提供一种晶圆污染元素的检测方法，涉及半导体技术领域。该晶圆污染元素的检测方法包括目标晶圆内部污染元素的检测：氧化步：将目标晶圆预设厚度的表层氧化为氧化层；释放步：采用气溶胶状态的溶解物质溶解氧化层形成待测液；检测步：将目标晶圆划分为多...
    2025-11-28
  • 测试结构、其制造方法以及测试方法
    测试结构、其制造方法以及测试方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511110537.8
    本发明提供了一种测试结构、其制造方法以及测试方法，所述测试结构包括：N型衬底以及位于所述N型衬底上的半导体结构，所述测试结构具有开口，所述开口暴露出所述N型衬底。通过开口暴露出N型衬底，从而探针可以方便、快捷地连接N型衬底以进行供电，避免了...
    2025-11-28
  • 一种晶圆异常监测方法、系统、存储介质及电子设备
    一种晶圆异常监测方法、系统、存储介质及电子设备_江西兆驰半导体有限公司_202511116789.1
    本发明提供一种晶圆异常监测方法、系统、存储介质及电子设备，方法包括对晶圆进行分选确定对应的方片，并对方片进行倒膜，并获取倒膜后的第一方片图像、方片等级和机台节点参数；对倒膜后的方片进行计数，并确定计数后的第二方片图像和计数节点参数；根据方片...
    2025-11-28
  • 一种单晶碳化硅激光改质剥离的工艺参数调控方法及系统
    一种单晶碳化硅激光改质剥离的工艺参数调控方法及系统_西安理工大学_202511138732.1
    本发明属于单晶SiC的激光改质剥离技术，涉及一种单晶碳化硅激光改质剥离的工艺参数调控方法及系统。方法包括以下步骤：设置激光改质的工艺参数，对单晶碳化硅进行激光改质；同时利用扫频光学相干断层扫描法实时监测激光改质区域的裂纹形核三维形貌；基于裂...
    2025-11-28
  • 晶圆装载纠偏方法以及装置
    晶圆装载纠偏方法以及装置_芯钛科半导体设备(上海)有限公司_202511494095.1
    本发明公开了一种晶圆装载纠偏方法以及装置，属于晶圆传输领域，应用在simf、efem、sort晶圆传输设备上，该方法先通过多源传感组件实时采集晶圆装载槽的水平仪姿态数据与凸片信号，经晶道三维位姿感知算法判定晶圆安装是否异常；若异常，利用多源...
    2025-11-28
  • 用于晶圆的抽样检测方法、装置及应用
    用于晶圆的抽样检测方法、装置及应用_有为图像技术(苏州)有限公司_202511496261.1
    本发明公开了一种用于晶圆的抽样检测方法、装置及应用，抽样检测方法包括：获取晶圆的历史缺陷数据，所述历史缺陷数据包括缺陷坐标和所述缺陷坐标对应的缺陷等级因子；基于所述缺陷坐标和所述缺陷坐标对应的缺陷等级因子，获取当前晶圆上每个坐标的缺陷动态权...
    2025-11-28
  • 测试片、测试片的制备方法以及炉管退火工艺的监控方法
    测试片、测试片的制备方法以及炉管退火工艺的监控方法_上海光通信有限公司_202410594774.5
    一种测试片、测试片的制备方法以及炉管退火工艺的监控方法，其中，所述炉管退火工艺的监控方法包括：使用所述炉管对测试片进行第一退火工艺，得到处理后测试片，其中，所述测试片包括基板、形成于所述基板表面的第一保护层以及反应层，所述反应层形成于所述第...
    2025-11-28
  • 一种晶圆装载设备的氮气传输控制系统
    一种晶圆装载设备的氮气传输控制系统_沈阳新松半导体设备有限公司_202410621588.6
    本发明属于半导体晶圆装载技术领域，具体地说是一种晶圆装载设备的氮气传输控制系统，包括氮气输入组件安装基板、氮气输入组件、若干个喷气喷嘴、若干个排气喷嘴、若干个排气管接头。各喷气喷嘴及各排气喷嘴分别设置于晶圆装载设备的Foup装载水平台处。氮...
    2025-11-28
  • 半导体激光退火装置及加热部件设计方法
    半导体激光退火装置及加热部件设计方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202410622909.4
    本公开涉及一种半导体激光退火装置及加热部件设计方法，其中，半导体激光退火装置用于对半导体(101)进行退火处理，所述半导体(101)沿预设路径移动以在其表面形成扫描路径，所述半导体激光退火装置包括：加热部件(1)，被配置为对所述半导体(10...
    2025-11-28
  • 晶圆搬运方法、晶圆搬运区域控制方法与晶圆搬运系统
    晶圆搬运方法、晶圆搬运区域控制方法与晶圆搬运系统_力晶积成电子制造股份有限公司_202410789270.9
    一种晶圆搬运方法、晶圆搬运区域控制方法与晶圆搬运系统。制造执行系统对物料管控系统下达搬运任务。物料管控系统通过多个通信装置对自动化搬运系统中多个搬运装置分别下达搬运命令。搬运装置将搬运命令的执行结果通过通信装置回传至物料管控系统。物料管控系...
    2025-11-28
  • 衬底接合装置
    衬底接合装置_三星电子株式会社_202510154990.2
    公开了一种衬底接合装置，包括：可变形板，被配置为支撑其上的第一衬底，并且至少部分地可变形；第一卡盘，在可变形板的一个表面上，使得在可变形板与第一卡盘之间限定第一空间，其中，第一卡盘的直径大于第一衬底的直径；以及流体控制单元，被配置为控制流体...
    2025-11-28
  • 基板接合装置
    基板接合装置_三星电子株式会社_202510195326.2
    本公开的基板接合装置包括：第一卡盘，具有比第一基板的直径大的直径；变形板，被配置为支撑第一基板，并且被配置为在第一卡盘上具有可变形状；以及变形单元，在第一卡盘和变形板之间，其中，变形单元包括主支撑件，主支撑件可变形以挤压变形板，主支撑件具有...
    2025-11-28
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