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最新专利技术
  • 减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组
    减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组_江西省东都智能装备科技有限公司_202511053301.5
    本发明公开了一种减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组，涉及半导体技术领域，该方法包括：对PCB基板进行等离子清洗；在干燥后PCB基板的焊盘区域喷涂气态助焊剂；对焊盘区域喷涂有气态助焊剂的PCB基板进行多阶式加热，使...
    2026-01-03
  • 一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法
    一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法_湖南汇思光电科技有限公司_202511544358.5
    一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法，生长方法包括：将衬底去除氧化层，并除气；在衬底上进行第一GaAs缓冲层的生长；在第一GaAs缓冲层上进行AlGaAs缓冲层的生长；在AlGaAs缓冲层上进行第二GaAs缓冲层的生长；在第二GaAs...
    2026-01-03
  • 一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法
    一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511550729.0
    本申请公开了一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法，针对现有AlGaInP基红光Micro‑LED的N面Au/Ge欧姆接触层退火温度监控不准、温场不均难检测、异常响应滞后的问题，该方法通过七步工艺(两次图形化、两次金属镀膜、两次去胶、...
    2026-01-03
  • 微型发光二极管及其制备方法
    微型发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511549622.4
    本公开提供了一种微型发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型GaN层、浅阱层、多量子阱层和p型含铝半导体层；所述浅阱层包括交替层叠的多个InyGa1‑yN层和多个GaN层，0.01＜Y＜0.1；所述多量...
    2026-01-03
  • 一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法
    一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法_吉林大学_202511556081.8
    一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该量子阱LED由衬底、成核层、GaN未掺杂层、n型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、p型GaN层、电流扩展层、钝化层和电极组成；多量子阱有源...
    2026-01-03
  • 一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置
    一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置_厦门三安光电有限公司_202510991442.5
    本发明涉及一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置，包括：至少一支撑结构，所述支撑结构至少包括若干不同应力方向的介质层交叠而成桥臂结构，相邻所述介质层结构的材料不同；半导体层序列；所述桥臂与所述半导体层序列接触固定，通过将不同应力方向的多层...
    2026-01-03
  • 一种发光二极管和发光元件
    一种发光二极管和发光元件_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185903.6
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管和发光元件。发光二极管至少包括第一导电半导体层、第一应力缓冲层、第一发光量子阱层、电流扩展层、第二应力缓冲层、第二发光量子阱层和第二导电半导体层；第一发光量子阱层发射具有第一峰值波长...
    2026-01-03
  • 一种双波长LED芯片
    一种双波长LED芯片_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185904.0
    本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体而言，涉及一种双波长LED芯片。双波长LED芯片包括N型半导体层、第一应力缓冲层、第一长波发光阱层、电流扩展层、第二应力缓冲层、第二短波发光阱层和P型半导体层；第一应力缓冲层包括若干层InGaN第一子层...
    2026-01-03
  • 一种微型LED显示芯片
    一种微型LED显示芯片_上海显耀显示科技有限公司_202511507886.3
    本申请公开了一种微型LED显示芯片包括发光台面阵列，所述发光台面阵列包括多个发光台面单元，每个所述发光台面单元包括：微发光台面，所述微发光台面从下往上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；材料层，所述材料层覆盖所述微发光台面的侧壁；和...
    2026-01-03
  • 一种微型LED芯片及其外延层的制备方法
    一种微型LED芯片及其外延层的制备方法_上海显耀显示科技有限公司_202511507891.4
    本申请公开了一种微型LED芯片和及其外延层的制备方法。该微型LED芯片，包括外延层，该外延层从下往上依次包括第一半导体层，有源层和第二半导体层，所述有源层中掺杂了一种或多种掺杂元素，所述一种或多种掺杂元素以均匀掺杂和渐变掺杂相结合的形式或间...
    2026-01-03
  • 具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法
    具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法_广东工业大学_202510917669.5
    本发明公开了具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法，所述LED器件从下至上依次为：衬底、缓冲层、电子传输层、有源区、电子阻挡层、空穴注入层、欧姆接触层，n型光吸收层、绝缘层、p型欧姆电极、n型欧姆电极、反射镜电极，电子传输层部分...
    2026-01-03
  • 一种电流倍增型多晶硅发光器件
    一种电流倍增型多晶硅发光器件_电子科技大学_202511534787.4
    本发明属于光电传感以及光通信领域，涉及硅基发光器件，具体提供一种电流倍增型多晶硅发光器件，用以解决现有硅基发光器件存在的发光效率低的问题；本发明包括：衬底层、多晶硅层、封装层、金属正极与金属负极，多晶硅层生长于衬底层上，并通过掺杂形成从左至...
    2026-01-03
  • 一种显示装置及其制作方法
    一种显示装置及其制作方法_海信视像科技股份有限公司_202410614268.8
    本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：驱动基板和位于驱动基板上的多个发光芯片。发光芯片包括第一半导体层，第一半导体层为发光芯片的背离驱动基板一侧的膜层，第一半层体层为向背离驱动基板的一侧凸出的凸起结构，凸起结构可以会聚发光芯片...
    2026-01-03
  • 一种发光二极管及背光源
    一种发光二极管及背光源_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185906.X
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及背光源。发光二极管至少包括第一导电半导体层、第一发光层、第二发光层和第二导电半导体层；其中，所述第一发光层发射具有第一峰值波长的第一光，第二发光层发射具有第二峰值波长的第二光，第一...
    2026-01-03
  • 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
    一种倒装发光二极管芯片及其制备方法_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202511124337.8
    本发明涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述倒装发光二极管芯片，包括：p型电极层，设有中空区和凸出部；n型电极层，包括第一n型电极层和第二n型电极层，所述第一n型电极层位于所述中空区内，以备p型电极层将第一n型...
    2026-01-03
  • 一种倒装LED芯片及其制备方法
    一种倒装LED芯片及其制备方法_晶能光电股份有限公司_202511543563.X
    本发明提供的一种倒装LED芯片及其制备方法，倒装芯片的电极结构中包含依次层叠的连接金属层、钝化层、保护金属层和共晶金属层；钝化层完全覆盖LED芯片的表面，有效阻断外界环境中水汽、颗粒等与芯片的接触路径；钝化层和保护金属层相互配合对芯片形成了...
    2026-01-03
  • 微型发光半导体器件及其制备方法
    微型发光半导体器件及其制备方法_厦门士兰明镓化合物半导体有限公司_202511192279.2
    本发明提供了一种微型发光半导体器件及其制备方法，其中微型发光半导体器件包括：衬底、外延结构、第一介质层、金属层以及电极；外延结构包括从下至上依次位于衬底上的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层；第一介质层覆盖外延结构的侧壁和上表面；金属...
    2026-01-03
  • 荧光膜片及其制备方法、LED产品
    荧光膜片及其制备方法、LED产品_福建天电光电有限公司_202511297124.5
    本发明公开了一种荧光膜片及其制备方法、LED产品，涉及LED产品技术领域，荧光膜片包括膜片本体，膜片本体的至少一侧设有粗糙层；荧光膜片的制备方法，包括荧光膜片制作、荧光膜片固定、粗糙层制作及荧光膜片切割处理；LED产品包括载体基板、LED芯...
    2026-01-03
  • 制造显示装置的方法和电子装置
    制造显示装置的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510681871.2
    提供了一种制造显示装置的方法和电子装置。该方法包括：提供显示面板；以及在显示面板上提供树脂层。提供树脂层包括：在显示面板上设置基体树脂层；改变显示面板和基体树脂层的位姿；使基体树脂层的一部分预固化；改变显示面板和具有预固化部分的基体树脂层的...
    2026-01-03
  • 一种Micro-LED高精度拼接设备及其调试方法
    一种Micro-LED高精度拼接设备及其调试方法_深圳市八零联合装备有限公司_202511063930.6
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种Micro‑LED高精度拼接设备及其调试方法，本发明提供一种Micro‑LED高精度拼接设备，包括机械执行机构、光学检测机构、算法处理模块、环境补偿单元及拼接逻辑模块；本发明通过机械执行机构、光学检...
    2026-01-03
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