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最新专利技术
  • 稳定囚禁大规模二维离子晶体的离子阱芯片及其制造方法
    稳定囚禁大规模二维离子晶体的离子阱芯片及其制造方法_清华大学_202511023875.8
    本发明公开了一种稳定囚禁大规模二维离子晶体的离子阱芯片及其制造方法，离子阱芯片包括：基板，基板上设有沟槽和沿厚度方向贯通基板的离子囚禁通槽；金属化镀层，沟槽将金属化镀层分隔出射频电极和多个直流电极，沟槽在垂直于沟槽长度方向的截面包括纵深部、...
    2026-01-30
  • 氙灯模块、氙灯模块的制备方法及消毒装置
    氙灯模块、氙灯模块的制备方法及消毒装置_北京洋达光通科技有限公司_202510946702.7
    本发明涉及消毒装置技术领域，提供一种氙灯模块、氙灯模块的制备方法及消毒装置。氙灯模块包括：透明灯管和电极，电极设于透明灯管内，电极用于与脉冲驱动模块连接；透明灯管内至少密封填充有氙气；透明灯管包括氧化铝灯管和涂覆有氧化铝涂层的石英管。本发明...
    2026-01-30
  • 一种准分子纳米仪
    一种准分子纳米仪_深圳中科微瓦科技有限公司_202511188115.2
    本发明涉及消毒灯具技术领域，公开了一种准分子纳米仪，包括：石英玻璃灯管，具有密封内腔，所述密封内腔中封入有包含氪气和氯气的发光气体；所述密封内腔还封入有氢气。本发明的准分子纳米仪，能降低Cl2的消耗率，且自身使用寿命更长。
    2026-01-30
  • 一种灯座可调的卤素灯
    一种灯座可调的卤素灯_江苏浦亚照明科技股份有限公司_202511184032.6
    本发明涉及卤素灯的领域，公开了一种灯座可调的卤素灯，包括十字形槽，所述十字形槽开设在安装座的顶面，所述十字形槽的上方设置有卤素灯本体，所述十字形槽的内壁开设有若干个限位槽，所述十字形槽的内壁开设有若干个定位槽，所述十字形槽的内壁滑动连接有滑...
    2026-01-30
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质_株式会社国际电气_202510241418.X
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质。提供能够有效地对所希望的表面进行选择性处理的技术。具有：(a)准备衬底的工序，衬底具有第1表面及材质与所述第1表面不同的第2表面，在所述第1表面形成有第1氧化膜且在所述第2表面形...
    2026-01-30
  • 一种图形化复合衬底外延氧化镓的方法和氧化镓薄膜
    一种图形化复合衬底外延氧化镓的方法和氧化镓薄膜_苏州镓和半导体有限公司_202510945991.9
    本发明公开了一种图形化复合衬底外延氧化镓的方法和氧化镓薄膜，属于半导体制造技术领域。包括：步骤1：提供一种图形化复合衬底，将图形化复合衬底置于反应腔内，并进行烘烤；步骤2：在图形化复合衬底上制备缓冲层；步骤3：在缓冲层上制备氧化镓薄膜。本发...
    2026-01-30
  • 一种高质量、低应力氮化镓薄膜及其制备方法
    一种高质量、低应力氮化镓薄膜及其制备方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202510967213.X
    本申请涉及一种高质量、低应力氮化镓薄膜及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓薄膜的制备方法包括以下步骤：步骤1、提供衬底，在衬底上生长种子层；步骤2、在种子层表面制备图形掩膜；步骤3、在图形掩膜未覆盖的种子层表面生长第一氮化镓层；第一氮...
    2026-01-30
  • 衬底的清洗方法
    衬底的清洗方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511048411.2
    本发明所要解决的技术问题是，提供一种衬底的清洗方法，能够高效、彻底地清洗衬底表面各类杂质，同时避免对衬底表面造成损伤，满足半导体制造工艺对衬底清洁度严格要求。为了解决上述问题，本发明提供了一种衬底的清洗方法，包括：提供一衬底；对所述衬底表面...
    2026-01-30
  • 一种用于光刻过程中的晶圆洗边工艺
    一种用于光刻过程中的晶圆洗边工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511159003.4
    本申请公开了一种用于光刻过程中的晶圆洗边工艺，包括：提供一晶圆，所述晶圆表面覆盖有光刻胶层；利用化学去边清洗工艺清洗所述晶圆上的目标洗边位置的光刻胶层，在所述化学去边清洗工艺过程中，使所述晶圆的转速按照由低到高，再由高到低的趋势变化；利用边...
    2026-01-30
  • 晶圆减薄的方法及工艺设备
    晶圆减薄的方法及工艺设备_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511187260.9
    本发明提供一种晶圆减薄的方法及工艺设备。其中，所述工艺设备中加设了称重计，用于测量并获取研磨后的晶圆的重量，并以此确定刻蚀工艺的刻蚀参数，从而确保所述晶圆的减薄精准度。同时，所述获取研磨后的晶圆的重量还可以反向监测研磨机台的状态。此外，在所...
    2026-01-30
  • 一种金属刻蚀气体残留的清洗方法
    一种金属刻蚀气体残留的清洗方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511268071.4
    本申请提供了一种金属刻蚀气体残留的清洗方法，涉及半导体技术领域。通过将等离子轰击预处理、深度清洗以及湿法去胶、清洗和干燥处理步骤有机结合，形成一个系统性的多阶段清洗流程，从而有效清除金属刻蚀后产生的各类残留物，特别是难以去除的气体残留，避免...
    2026-01-30
  • 一种半导体器件及其生产方法
    一种半导体器件及其生产方法_上海微阱电子科技有限公司_202511234213.5
    本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件及其生产方法，通过接收半导体衬底；所述半导体衬底上包括多个离子注入区；按照预设的执行顺序对多个所述离子注入区依次进行注入处理；单次所述注入处理的过程包括设置图形化光刻胶层、离子注入及去胶；其...
    2026-01-30
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511526628.X
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底中形成有至少一个浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构定义出有源区；对衬底执行第一离子注入工艺，以在有源区中形成阱区；在衬底上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层定义出至少一个注入窗口，每个...
    2026-01-30
  • 多晶圆堆叠结构的处理方法
    多晶圆堆叠结构的处理方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511599123.6
    本公开提供了一种多晶圆堆叠结构的处理方法，涉及半导体技术领域，包括：将第一晶圆键合在第二晶圆上以形成堆叠结构；将第一晶圆中的外延层减薄至第一预设厚度；对堆叠结构进行修边，使得堆叠结构的侧壁暴露出至少部分内部结构；在堆叠结构上形成包裹层，包裹...
    2026-01-30
  • 基板处理方法、基板处理装置、计算机程序以及存储介质
    基板处理方法、基板处理装置、计算机程序以及存储介质_株式会社斯库林集团_202510697409.1
    一种基板处理方法，用于在贮存处理液的处理槽中，按批次通过将至少一张基板浸渍于处理液来对基板进行处理，其包含以下工序：取得基板张数信息，该基板张数信息表示所述批次中包含的所述基板的张数；从分别表示所述基板的张数与所述基板的处理时间的校正值之间...
    2026-01-30
  • 一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法
    一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202510980373.8
    本发明涉及半导体材料生产技术领域，具体涉及一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法，包括：S1、腐蚀液配制：配置HF、HNO₃和CH₃COOH的混合溶液，体积比为HF : HNO₃ : CH₃COOH=1 : 3 : 6；添加0.01%‑0.1%的表面...
    2026-01-30
  • 用于等离子刻蚀的方法及设备
    用于等离子刻蚀的方法及设备_香港大学_202510710813.8
    本申请公开了半导体等离子刻蚀的刻蚀方法和设备，其在等离子刻蚀的真空腔中引入带有由能够使等离子体通过的开口的阵列构成的特定图案的金属掩模并将其置于待刻蚀的基板上方且与该基板保持一定间距的位置，这样在等离子刻蚀过程中所产生的等离子体经由所述金属...
    2026-01-30
  • 一种深沟槽电容器和硅通孔的制造方法
    一种深沟槽电容器和硅通孔的制造方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511588564.6
    本申请提供了一种深沟槽电容器和硅通孔的制造方法，所述方法包括：根据第一光刻胶层上定义出的硅通孔的图案，对待处理晶圆表面的硬掩模层进行初步刻蚀，得到硅通孔的初步浅槽；去除第一光刻胶层，保留硬掩模层；在硬掩模层的表面依次沉积抗反射层和第二光刻胶...
    2026-01-30
  • 半导体结构的制备方法
    半导体结构的制备方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511607330.1
    一种半导体结构的制备方法，包括：形成初始半导体结构；在所述初始半导体结构的表面形成待保护层；在所述待保护层的表面形成保护层，所述保护层内存在沿所述保护层的厚度方向延伸的针孔缺陷，所述保护层的材质为非晶硅；在所述保护层的表面形成金属层，之后热...
    2026-01-30
  • 图案形成方法
    图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510696173.X
    本发明涉及图案形成方法。本发明提供借由进行等离子照射而相对于以往的有机下层膜图案展现优良的边缘粗糙度的抗蚀剂下层膜图案形成方法。本发明提供一种图案形成方法，包含下述步骤：于基板上形成抗蚀剂下层膜、于该抗蚀剂下层膜上形成含硅抗蚀剂中间膜、于该...
    2026-01-30
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