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  • 一种测试结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底,包括第一区和至少一个第二区;在第一区形成第一器件结构;在第二基底上形成介质结构和位于介质结构内的天线结构,天线结构与第一器件结构电...
  • 提供能够防止由BPD引起的半导体装置的特性的降低的半导体装置的检查方法。实施方式包含下面的工序。准备包含碳化硅的半导体基板。通过透射偏振图像取得装置,生成所述半导体基板的透射偏振图像的图像数据。通过透射偏振图像处理装置对图像数据进行图像处理...
  • 本发明提供了集成电路的生产协同控制方法、系统及设备,涉及自动化控制技术领域,方法包括:在进行晶圆标准化刻蚀过程中,执行刻蚀跟踪,获得四维参数场;进行微环境动态聚类,分割为K组刻蚀工艺分区分布;进行刻蚀工艺需求分解,得到K组工艺分区需求分布;...
  • 一种测试样品及其制造方法,测试样品用于监控金属层间结合力,方法包括:提供衬底和掩膜版,所述掩膜版上具有至少一个图形,每个所述图形对应于一个晶粒;在所述衬底上依次形成底层金属层、钝化层;基于所述掩膜版对所述钝化层进行刻蚀,在所述钝化层中形成与...
  • 本申请提供一种硅片检测方法、装置及硅片检测系统,涉及硅片检测技术领域。该方法包括:通过响应于检测指令,控制传送装置,将待检测硅片从上料位置移动至预设检测位置;获取传感器装置采集到的、各扫描窗口对应的待检测硅片的扫描数据,并基于各扫描窗口对应...
  • 本发明公开了一种LED晶圆多通道测试数据修正方法及计算机设备,涉及LED技术领域,所述方法包括:通过多通道探针组对晶圆上的所有晶粒进行分别进行测试,以获取晶粒的的测试信息;根据非亮度测试值对晶粒进行筛选以提取基准晶粒;将晶圆划分为至少两个基...
  • 本申请公开了一种晶圆检查方法及半导体工艺设备。其中,该方法包括:获取晶圆盒图像;采用改进的最大熵分割法,对所述晶圆盒图像进行图像分割处理,得到晶圆边缘图像;对所述晶圆边缘图像进行分析,得到晶圆检查结果,所述晶圆检查结果包括以下至少一种:晶圆...
  • 本发明提供了一种离子注入角度的监测方法和监测系统、离子注入设备。该监测方法中,将检测用离子束调整为非平行的第一离子束和至少两束第二离子束,并同时作用于同一基片上,从而可以在同一基片上同时形成不同注入角度的注入区,相应的可以从该基片上获取不同...
  • 本发明提出一种封装结构的清洗方法及清洗装置。清洗方法包括如下步骤:向封装结构喷洒清洗液;对封装结构所在的腔室抽气,使腔室内的压力达到预定压力,预定压力为负压保持封装结构静止预定时间,使清洗液进入封装结构的缝隙中对封装结构进行清洗。本发明通过...
  • 本发明提出一种封装结构的清洗方法及清洗装置。包括:批量清洗工序:将至少两个封装结构放置在第一清洗模块的清洗槽内,对至少两个封装结构进行批量清洗;将经过批量清洗工序清洗后的封装结构放置在第二清洗模块的清洗腔内执行单片清洗工序;其中,每一个第二...
  • 本申请提供一种原子层刻蚀设备,原子层刻蚀设备包括:离子源、表面改性系统、载台和运动轨道。载台在运动轨道上沿着第一方向和/或第二方向运动,离子源在向待刻蚀结构发射离子束的同时表面改性系统向待刻蚀结构喷射改性物质,分别在待刻蚀结构的表面形成刻蚀...
  • 本申请公开了一种半导体处理装置,涉及半导体刻蚀领域,该半导体处理装置中处理腔室的四种进气口分别通过供气柜的四种供气通道供气,供气柜的气体通过中心供气通道和中心进气口流向待处理工件的中心区域、通过中间供气通道和中间进气口流向待处理工件的中间区...
  • 本发明提供了一种恒温设备,包括介质导流组件、导热件、热电模块件和热交换件;介质导流组件包括导流件,导流件包括至少一组导流通道,每一组导流通道包括两个分别设置于导流件的两对称换热作用面的子导流通道,两个子导流通道通过设置于子导流通道中部的贯穿...
  • 本发明提供了快速热处理工艺设备及晶圆位置纠偏方法;其中,承载环的正面承载有晶圆,背面设有热致变色部;当加热组件对晶圆进行热辐射加热时,承载环中晶圆覆盖区域和未覆盖区域存在温差,导致晶圆覆盖区域的热致变色部未发生变色,晶圆未覆盖区域的热致变色...
  • 本申请提供一种光斑监测方法及系统,包括:采用测试晶圆进行退火,预热激光器;在当前退火时长为预置时长时,获取激光光斑的光斑图像;基于光斑图像确定激光光斑的有效长度和均一性值;如果有效长度属于预置长度范围,并且均一性值属于预置亮度浮动范围,则生...
  • 本公开提供了一种晶圆处理装置和晶圆处理设备,涉及半导体芯片技术领域。该晶圆处理装置包括:壳体、导流组件和承载台。壳体包括底壁,底壁上设置有第一通孔。导流组件设置在底壁的一侧,导流组件上间隔的设置有多个第二通孔,第二通孔沿第一方向贯穿导流组件...
  • 本发明实施例涉及一种处置半导体载板的设备,其包括:处置腔、n个加热腔、至少n+1个暂存区、升降装置以及机械手臂。所述n个加热腔是与所述处置腔连通。所述至少n+1个暂存区是置于所述处置腔中。所述升降装置是置于所述处置腔中,经配置以传送可移转的...
  • 本发明公开了一种微动平台,包括气浮球、球座、多个气道、吸附部和调节柱。其中,气浮球包括承载面和设置于承载面一端的球面;球座上贯穿设有球形孔结构,球形孔结构容纳气浮球的球面,且球形孔结构的内壁和球面紧密贴合,球形孔结构和球面共球心;多个气道均...
  • 本公开说明一种基板处理装置、校准用基板以及校准方法,能够不改变配置于用于处理基板的处理腔室内的辐射温度传感器的位置而校准辐射温度传感器。基板处理装置具备:保持部,其构成为保持基板或校准用基板;加热部,其构成为对保持于保持部的基板或校准用基板...
  • 本发明提供能够更适当地排出氢气的基板处理装置。基板处理装置包括处理单元(1)、容器(Tk1)、循环部(3)、排液部(4)、气体供给部(5)、排气部(6)和控制部。循环部(3)包含与容器(Tk1)连接的循环配管(31)及通过电解生成电解硫酸的...
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