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最新专利技术
  • 顶升机构以及涂胶系统
    顶升机构以及涂胶系统_深圳市瑞荣自动化有限公司_202510929657.4
    一种应用于涂胶系统中的顶升机构，包括顶针组件以及驱动顶针组件上下移动的动力部件，顶针组件的顶部有载置半导体基片的放置位，该放置位能够有效地支撑半导体基片，其中，动力部件驱动顶针组件从第一高度位置上升移动至第二高度位置，以使放置位接收机械手转...
    2026-01-29
  • 顶针结构以及涂胶系统
    顶针结构以及涂胶系统_深圳市瑞荣自动化有限公司_202510930565.8
    本发明提供的一种顶针结构以及具有顶针结构的涂胶系统，其中，该顶针结构用于与具有多个导向孔的平台配合使用，顶针结构包括多排平行且间隔设置的顶针组，每排顶针组均包括多个依次间隔设置的顶针，顶针的上半部分分别滑动穿设于对应的导向孔内，顶针结构还包...
    2026-01-29
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410705588.4
    一种半导体结构的形成方法，提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一掩膜结构；以第一掩膜结构为掩膜刻蚀待刻蚀层，在第一掩膜结构内和待刻蚀层内形成初始第一凹槽和初始第二凹槽，初始第一凹槽的宽度大于初始第二凹槽的宽度；在初始第一凹槽的侧壁表面和底部表面...
    2026-01-29
  • 多层SOI结构及其制备方法
    多层SOI结构及其制备方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511108084.5
    本发明涉及一种多层SOI结构及其制备方法。所述多层SOI结构的制备方法包括如下步骤：于第一硅衬底的表面上形成第一氧化层；于第二硅衬底的表面上形成第二氧化层；键合所述第一氧化层和所述第二氧化层，形成SOI结构；于第三硅衬底的表面上形成第三氧化...
    2026-01-29
  • 一种晶圆预湿方法及装置
    一种晶圆预湿方法及装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410684019.6
    本发明提出一种晶圆预湿方法及装置，包括：对腔体进行抽真空，使腔体内的真空度达到预设值，腔体内含有晶圆；将液体蒸气化处理为蒸气；将蒸气输送至晶圆表面，使蒸气进入晶圆上的孔中并且在晶圆表面凝结形成液体吸附层。本发明的晶圆预湿方法及装置能够去除晶...
    2026-01-29
  • 形成沟槽的方法、半导体器件的制备方法及工艺设备
    形成沟槽的方法、半导体器件的制备方法及工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410692452.4
    本申请提供一种形成沟槽的方法、半导体器件的制备方法及工艺设备，应用于待刻蚀膜层，待刻蚀膜层上设置有掩膜层，掩膜层具有第一开口和第二开口，第一开口的开口尺寸大于第二开口的开口尺寸，第一开口暴露待刻蚀膜层的第一区域，第二开口暴露待刻蚀膜层的第二...
    2026-01-29
  • 形成集成电路器件的后段制程区域的方法
    形成集成电路器件的后段制程区域的方法_三星电子株式会社_202510646347.1
    提供了形成集成电路(IC)器件的后段制程(BEOL)区域的方法。一种形成IC器件的BEOL区域的方法包括在下通路上形成金属层。该方法包括在金属层的上部部分中形成光键。该方法包括在光键上形成绝缘材料。此外，该方法包括平坦化绝缘材料和包括光键的...
    2026-01-29
  • 晶圆内导线的形成方法、半导体制造设备及半导体器件
    晶圆内导线的形成方法、半导体制造设备及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511263212.3
    本申请提供了一种晶圆内导线的形成方法、半导体制造设备及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。包括以下步骤：提供晶圆；在所述晶圆表面沉积阻挡层，所述阻挡层位于所述晶圆的边缘区域的厚度大于所述阻挡层位于所述晶圆的中心区域的厚度；在所述阻挡层上刻蚀...
    2026-01-29
  • 半导体管芯以及半导体装置的制作方法
    半导体管芯以及半导体装置的制作方法_联华电子股份有限公司_202511136190.4
    本发明公开一种半导体管芯以及半导体装置的制作方法，其中该半导体装置的制作方法包括下列步骤。对半导体晶片进行分离制作工艺以形成半导体管芯。分离制作工艺包括第一切割步骤、薄化步骤与第二切割步骤。第一切割步骤对半导体晶片进行蚀刻而于半导体晶片中形...
    2026-01-29
  • 一种晶圆及其制造方法
    一种晶圆及其制造方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510988379.X
    本公开提供了一种晶圆及其制造方法，晶圆可以包括本体和加强部，加强部从晶圆背面填充到晶圆中；其中，加强部的材料的弹性模量大于本体的材料的弹性模量。
    2026-01-29
  • 一种压接式功率模块、功率半导体器件和设备
    一种压接式功率模块、功率半导体器件和设备_南方电网科学研究院有限责任公司_202511273662.0
    本申请公开了一种压接式功率模块、功率半导体器件和设备，压接式功率模块包括第一凸台、功率芯片、第二凸台和应力缓冲结构；多个功率芯片设置第一凸台和第二凸台之间；应力缓冲结构用于在第一凸台或第二凸台的至少之一上形成至少两个施压区域，以使压力能够通...
    2026-01-29
  • 一种基于跨平面结构的低电感高压功率模块
    一种基于跨平面结构的低电感高压功率模块_华北电力大学_202511197176.5
    本发明介绍一种基于跨平面结构的低电感高压功率模块，包括固定在散热底板上的DBC衬板，所述DBC衬板由上层铜层、陶瓷绝缘层和下层铜层构成，在所述上层铜层分别焊接有SiC MOSFET芯片、栅极端子、漏极端子、源极端子和开尔文源极端子；所述Si...
    2026-01-29
  • 芯片封装结构及其制备方法、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410679241.7
    本申请实施例公开一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。芯片封装结构包括第一基板、第一芯片、第二基板、第一散热部件、第一连接部和第二芯片。第一芯片电连接于第一基板的一侧。第二基板位于第一芯片远离第一基板的一侧，且与第一基...
    2026-01-29
  • 芯片封装结构及其制造方法
    芯片封装结构及其制造方法_华为技术有限公司_202410696827.4
    本申请提供了一种芯片封装结构及其制造方法，该芯片封装结构包括第一预制封装结构和底部重布线层，第一预制封装结构包括层叠设置的顶层封装单元、顶部重布线层和第一裸片封装层，第一裸片封装层底部表面的凹槽与底部重布线层的凸出部嵌合。第一裸片封装层的硅...
    2026-01-29
  • 一种半导体封装结构以及封装方法
    一种半导体封装结构以及封装方法_鼎道智芯(上海)半导体有限公司_202410706188.5
    本公开涉及一种半导体封装结构及封装方法，其中，半导体封装结构包括：基板、第一芯片颗粒、第一塑封层、多个第二芯片颗粒。第一芯片颗粒，布置在基板上；第一塑封层，包覆第一芯片颗粒，并暴露出第一芯片颗粒的顶面；每个第二芯片颗粒，一部分布置在第一芯片...
    2026-01-29
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510163471.2
    本公开提供一种电子装置。所述电子装置包含被配置成可拉伸的载体以及安置在所述载体上方的第一电子组件。所述电子装置还包含至少部分地安置在所述载体内并且连接到所述第一电子组件的结构。所述结构被配置成减少所述载体与所述第一电子组件之间的位移量。
    2026-01-29
  • 半导体封装件的减压结构及其制造方法
    半导体封装件的减压结构及其制造方法_意法半导体国际公司_202510711788.5
    本公开涉及半导体封装件的减压结构及其制造方法。一种半导体器件或封装件包括减压结构，以通过减轻或减少应力和应变来防止机械缺陷在半导体器件或封装件内传播或减少机械缺陷在半导体器件或封装件内传播的可能性。半导体器件或封装件内或其部分的各种层、结构...
    2026-01-29
  • 基于2.5D集成的二维闪存与CMOS混合封装存储芯片及其制备方法
    基于2.5D集成的二维闪存与CMOS混合封装存储芯片及其制备方法_复旦大学_202511172918.9
    本发明属于半导体存储器封装技术领域，具体为一种基于二维材料与CMOS电路2.5D集成的存储芯片及其制备方法。本发明所述芯片通过采用2.5D封装结构，将由二维材料超快闪存器件芯粒与采用标准CMOS工艺制备的外围控制电路芯粒集成于中介层上，并通...
    2026-01-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯盟科技有限公司_202511198210.0
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：沿第一方向堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：沿第一方向键合的第一子半导体结构和第二子半导体结构；第一接触结构，沿所述第一方向贯穿至少部分第一子半...
    2026-01-29
  • 一种半导体功率器件及半导体功率系统
    一种半导体功率器件及半导体功率系统_潍柴动力股份有限公司_202511329692.9
    本申请提供了一种半导体功率器件及半导体功率系统，涉及半导体技术领域。半导体功率器件包括有塑封壳体，可知半导体功率器采用塑封方式进行的封装，从而使得半导体功率器件具有较好的抗振、防水、防尘、防氧化等能力，并且提高了半导体功率器件的绝缘性能，同...
    2026-01-29
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