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最新专利技术
  • 一种高性能n型Mg3(Sb, Bi)2基热电复合材料、其制备方法及应用
    一种高性能n型Mg3(Sb, Bi)2基热电复合材料、其制备方法及应用_大连理工大学_202511187026.6
    本发明提供一种高性能n型Mg3(Sb, Bi)2基热电复合材料、其制备方法及应用，所述高性能n型Mg3(Sb, Bi)2基热电复合材料的化学组成为Mg3.2Sb1.5Bi0.49Te0.01–x InSb，其中x＝0.01‑0.05。所述高...
    2025-12-23
  • 一种规模化制备复合压电材料的方法和应用
    一种规模化制备复合压电材料的方法和应用_中原工学院_202511193728.5
    本发明属于聚合物材料成型加工技术领域，公开了一种规模化制备复合压电材料的方法和应用。步骤为：(1)将干燥后的压电聚合物与无机压电材料混合均匀，得到混合物；(2)将步骤(1)得到的混合物加入到挤出机中进行熔融塑化，然后将塑化均匀的混合物熔体引...
    2025-12-23
  • 一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺
    一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺_合肥领航微系统集成有限公司_202511039802.8
    本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺，结构包括基底、功能层和TFT晶体管，基底具有相对的正面及背面；功能层设置在基底的正面，TFT晶体管设置在功能层的正面，工艺包括：在基底的正面生长功能层，在...
    2025-12-23
  • 一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺
    一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺_合肥领航微系统集成有限公司_202511039915.8
    本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺，包括基底，基底的正面生长上缓冲层，上缓冲层的正面生长TFT晶体管；上压电层的正面设置在TFT晶体管的正面；制备工艺包括：在基底的正面生长上缓冲层；在上缓冲...
    2025-12-23
  • 一种用于提升压电变压器效率的封装结构以及调节方法
    一种用于提升压电变压器效率的封装结构以及调节方法_安徽大学_202511208223.1
    本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种用于提升压电变压器效率的封装结构以及调节方法，包括封装框架下铜板和压电变压器主体，所述封装框架下铜板顶面覆有柔性热界面层，所述柔性热界面层顶面固定安装有压电变压器主体；本发明设置了一种封装结构实现压电变压...
    2025-12-23
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410776618.0
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法为，主要先形成一自旋轨道转矩式(spin orbit torqu...
    2025-12-23
  • 一种无磁场辅助自旋轨道矩驱动的合成反铁磁存储单元
    一种无磁场辅助自旋轨道矩驱动的合成反铁磁存储单元_山东大学_202511595718.4
    本发明提出了一种无磁场辅助自旋轨道矩驱动的合成反铁磁存储单元，属于磁性存储技术领域，包括多层膜结构的磁性隧道结，所述磁性隧道结包括重金属层、位于所述重金属层上的合成反铁磁自由层；位于所述合成反铁磁自由层的隧穿绝缘层，位于所述隧穿绝缘层上的参...
    2025-12-23
  • 磁存储单元及其制造方法、磁存储器
    磁存储单元及其制造方法、磁存储器_中电海康集团有限公司_202511606777.7
    本申请提供一种磁存储单元及其制造方法、磁存储器，该磁存储单元包括：依次层叠设置的钉扎层、参考层、势垒层、自由层和复合自旋源层；其中，复合自旋源层包括：用于通入翻转电流以产生自旋流的拓扑绝缘体层；以及，具有高轨道霍尔电导率和/或高轨道流‑自旋...
    2025-12-23
  • 一种用于霍尔传感器的薄膜材料及其制备方法
    一种用于霍尔传感器的薄膜材料及其制备方法_江西大有科技有限公司_202511022797.X
    本发明提供一种用于霍尔传感器的薄膜材料及其制备方法，涉及电子元器件技术领域，薄膜材料包括：硅钢薄膜层、绝缘层、以及抗腐蚀层；绝缘层设于硅钢薄膜层的下表面，绝缘层包括纳米三氧化二铝，厚度为5μm~10μm，纳米三氧化二铝的粒径为20nm~50...
    2025-12-23
  • 一种REBCO超导厚膜微桥结构的氩离子束刻蚀方法
    一种REBCO超导厚膜微桥结构的氩离子束刻蚀方法_中国科学院电工研究所_202511220897.3
    本发明公开了一种REBCO超导厚膜微桥结构的氩离子束刻蚀方法，属于高温超导技术领域。首先在银层表面旋涂厚度约3‑6 μm的AZ系列光刻胶，并通过优化曝光和显影条件获得稳定的图形化掩膜。随后将样品置于氩离子束刻蚀系统中，采用垂直入射方式，控制...
    2025-12-23
  • 一种用于低温超导量子芯片的球阵列封装方法
    一种用于低温超导量子芯片的球阵列封装方法_杭州逻辑比特科技有限公司_202511565391.6
    本发明涉及量子信息技术领域，具体为一种用于低温超导量子芯片的球阵列封装方法。采用锡铟金银多元合金焊料，在低温环境下仍保持良好的韧性和超导特性。在芯片走线区布置特定排列的焊盘阵列，每个信号焊盘周围环绕多个接地焊盘，形成类同轴电磁屏蔽结构，显著...
    2025-12-23
  • 一种非中心超导材料W3-xCrxReRuC及其制备方法和应用
    一种非中心超导材料W3-xCrxReRuC及其制备方法和应用_广州森特新材料有限公司_202511216964.4
    本发明属于量子功能材料技术领域，具体涉及一种非中心超导材料W3‑xCrxReRuC及其制备方法和应用。本发明利用传统高温固相法，通过将相应化学计量比的W，Cr，Re, Ru, C充分研磨后，压成圆柱形块体，再经过电弧熔炼法一步合成得到W3‑...
    2025-12-23
  • 集成装置、热管理装置以及方法
    集成装置、热管理装置以及方法_华为技术有限公司_202410680787.4
    本申请提供一种集成装置、热管理装置以及方法。该装置包括：第一导热绝缘介质，该第一导热绝缘介质与相变材料接触；热管理装置，该热管理装置包括第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构通过第一导热绝缘介质与相变材料相连，第二导电结构用于输入电压，且...
    2025-12-23
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410705619.6
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有第一金属层，所述基底和所述第一金属层的顶面形成有第一介质阻挡层；形成覆盖所述第一介质阻挡层顶面的第一介质层；形成覆盖所述第一介质层顶面的硬掩膜层；形成贯穿所述硬掩膜层、所述...
    2025-12-23
  • 基于非晶MoS2/TiO2薄膜叠层结构的模拟阻变存储器及制备方法
    基于非晶MoS2/TiO2薄膜叠层结构的模拟阻变存储器及制备方法_陕西科技大学_202511230396.3
    本发明公开了基于非晶MoS2/TiO2薄膜叠层结构的模拟阻变存储器及制备方法，属于非易失性存储器技术领域。方法包括：采用磁控溅射方法在绝缘衬底上沉积第一导电薄膜，作为模拟型忆阻器的底电极；采用物理气相沉积法在底电极上依次沉积TiO2薄膜和M...
    2025-12-23
  • 基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件及其制备方法、仿生神经形态芯片
    基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件及其制备方法、仿生神经形态芯片_深圳大学_202511597672.X
    本发明公开了一种基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件及其制备方法、仿生神经形态芯片，器件包括：依次堆叠的底电极、第一有机混合离子电子导体层、第一离子凝胶层及顶电极；所述第一离子凝胶层被配置提供阴离子；所述第一有机混合离子电子导体层被配置为...
    2025-12-23
  • 一种电子设备、半导体器件及其制作方法
    一种电子设备、半导体器件及其制作方法_华为技术有限公司_202410702634.5
    本申请实施例公开了一种电子设备、半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，解决了玻璃衬底的相变开关关断时，射频信号容易泄露到加热器的控制端的问题。半导体器件包括相对的第一表面和第二表面的玻璃衬底、相变开关模组及螺旋电感。相变开关模组包括依...
    2025-12-23
  • 用于修饰小麦基因组结构和基因表达的方法
    用于修饰小麦基因组结构和基因表达的方法_匈牙利农业与生命科学大学_202480028973.8
    一种用于通过将亲本小麦(P♀)与含有至少一条转基因大麦染色体(XH+)的转基因大麦(X XH+H)杂交来修饰小麦的基因组结构和/或基因表达的方法，其中执行以下步骤：(i) 用预先设计的可以影响小麦基因组和/或其表达的基因构建体转化大麦基因组...
    2025-12-23
  • 抗菌性组合物及包含所述组合物的防虫抗菌照明装置
    抗菌性组合物及包含所述组合物的防虫抗菌照明装置_MTC股份有限公司_202380097014.7
    本发明涉及一种防虫及抗菌性组合物以及包含该组合物的防虫照明装置。具体而言，本发明通过制备包含金属粉末、海洋石、纳米纤维素和超纯水的防虫及抗菌性组合物，并将该防虫及抗菌性组合物涂覆于具有2000K至3000K色温及510至700nm波长范围的...
    2025-12-23
  • 非水性除草配制品
    非水性除草配制品_安道麦阿甘有限公司_202480026878.4
    本发明提供了一种高效的非水性除草剂配制品，其包含磺酰基氨基‑羰基三唑啉酮化合物；至少一种另外的除草剂；一种或多种基于二氧化硅的流变改性剂，其具有至少160 m2/g的比表面积，其中该二氧化硅不含疏水部分；以及一种或多种植物油或其衍生物；并且...
    2025-12-23
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