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  • 提出了一种单光子雪崩二极管(SPAD)器件以及制造该单光子雪崩二极管器件的方法。单光子雪崩二极管(SPAD)器件可以包括:衬底,包括用于将SPAD器件与另一SPAD器件分离的沟槽;第一导电类型的半导体膜,在沟槽的侧壁上;第一绝缘膜,在沟槽中...
  • 本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统,平板探测器包括闪烁体层和图像传感器层,所述图像传感器层包括多个主像素区和多个共享像素区,相邻两个所述主像素区之间至少设置有一个所述共享像素区;所述主像素区和所述共享像素区分别设置有光电传感器,所述...
  • 本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统,所述平板探测器包括闪烁体层、图像传感器层和位移复合层,所述闪烁体层用于将X射线转化为可见光,所述图像传感器层阵列设置有多个光电传感器,所述光电传感器用于接收所述可见光,并将可见光转化为电信号;所述...
  • 本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统,平板探测器包括闪烁体层和图像传感器层,图像传感器层包括外围区、过渡区和中间区,外围区环绕过渡区设置,过渡区环绕中间区设置;外围区设置有至少一列第一像素区,过渡区设置有多个第二像素区;每一第一像素区...
  • 本申请属于显示领域,具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器,阵列基板包括衬底基板、第一金属层、光电转换层、缓冲层和沟道层,第一金属层形成在衬底基板一侧,第一金属层包括间隔设置的第一栅极和下电极,光电转换层形成在下电极远离衬底基板一侧,...
  • 本公开提供了一种基于激光退火的光电成像器件异常像素修复装置及方法,属于激光退火技术领域。基于激光退火的光电成像器件异常像素修复装置包括:退火激光器,被配置为输出退火激光,并利用退火激光对样品上的异常像素进行退火;定位激光器,被配置为输出定位...
  • 本公开提供了一种光电成像器件位移损伤激光退火装置及方法,属于电子器件辐射效应修复技术领域。该方法包括:激光器,用于输出激光;聚焦镜,用于聚焦激光;以及样品锁紧座,设置于激光的焦点位置,激光的光路垂直照射在样品表面上,样品锁紧座用于放置样品。
  • 提供了一种视觉传感器,包括:第一半导体管芯,包括多个光电转换元件组;以及第二半导体管芯,包括动态视觉传感器(DVS)像素电路并以铜对铜接合的方式堆叠在第一半导体管芯上,其中,多个光电转换元件组中的每一个包括:第一类型光电转换元件,被配置为输...
  • 本发明涉及光电探测技术领域,具体涉及一种低成本二维材料光电探测器的制备方法。本发明采用的方法步骤为:1)样品准备;2)掩模板准备;3)PDMS图形化电极制备;4)光电探测器的制备。本发明方法采用批量电极制备、样品制备的方法,省略了光刻等工艺...
  • 本发明公开了一种电池制备方法及具有选择性发射极的电池,应用于光伏发电领域,该方法包括:利用激光对单晶硅片表面的部分区域进行照射,使激光照射区域的部分硅原子之间的硅‑硅键断裂以形成疏松晶体结构,作为待制备硅片;完成激光照射后,依次对待制备硅片...
  • 本申请涉及光伏电池生产领域,公开了一种无主栅光伏电池串焊方法和无主栅光伏电池串焊设备,方法包括将无主栅光伏电池片与焊带传输至预焊接装置,加热使得焊带预固定在相应的无主栅光伏电池片的表面,得到电池串列;将电池串列与背面膜层同步传输至加热加压装...
  • 本发明公开了一种光伏电池串的修复加工方法及光伏组件,该光伏电池串的修复加工方法包括:将多个电池片通过焊带焊接形成电池串;为所述电池串接通反向电压,并利用激光光线照射所述电池串,以修复所述电池串。本申请中在电池片完成焊带焊接形成电池串之后,利...
  • 本发明公开了一种背接触电池的制备方法及背接触电池,应用于太阳能电池技术领域,包括:采用LCVD工艺于衬底的背面形成图形化的原位掺杂层;图像化的原位掺杂层之间具有隔离区域,隔离区域为基于激光未照射区域所形成的隔离区域;形成电极;其中,电极对应...
  • 本发明公开了一种晶硅太阳能电池制绒方法及晶硅太阳能电池,应用于光伏电池制备领域,包括:提供硅片预制件;在待制绒区域喷涂经超声分散处理形成的悬浊液,并对悬浊液进行固化处理,得到待制绒硅片预制件;对待制绒硅片预制件中的待制绒区域进行刻蚀,以在待...
  • 本申请公开了一种光伏组件的制备方法及光伏组件,属于光伏技术领域,该方法包括:在第一盖板表面铺设第一胶膜,并对第一胶膜进行抚平;第一盖板表面设置有第一通孔;抚平完成后,将第一胶膜固定在第一盖板表面;固定完成后,在第一通孔的位置沿第一胶膜的厚度...
  • 本发明属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种银包铜浆料、栅线及其制备方法与太阳能电池。与现有技术相比,本发明实现了银包铜浆料通过激光辐射及热能量使银包铜颗粒中的银与硅进行致密接触形成银硅合金,而铜依然包裹于银内部避免与硅接触而出现铜刺现象,也...
  • 本发明公开了一种硅片硼扩散制备方法及太阳能电池,应用于光伏领域,包括:将待硼扩硅片放于扩散炉内,将扩散炉温度升高至第一温度后,以第一流量通入硼源气体,对待硼扩硅片进行硼源沉积扩散处理,得到第一待推结硅片;将扩散炉的温度升高至第二温度后,以第...
  • 本发明公开了一种BC电池及其制备方法,该BC电池的制备方法包括在硅晶片的背面形成第一隧穿氧化层和poly‑Si膜层;利用纳秒激光或皮秒激光,对第一设定区域中的第一隧穿氧化层和poly‑Si膜层进行图案化刻蚀去除;制备形成覆盖第一设定区域和p...
  • 本申请公开了一种光伏组件制备方法及光伏组件,属于光伏技术领域,该方法包括:电池片串焊排版,对设置有衬底和钝化层的至少两个电池片进行串焊和排版,得到电池串层;紫外光辐照,采用具有预设累计辐照量和预设温度的紫外光对电池串层表面进行辐照,以使钝化...
  • 本申请公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池,属于光伏技术领域,该方法包括:金属化处理,对设置有减反射层的半成品片进行金属化处理;紫外光辐照,采用具有预设能量值的紫外光对金属化处理后的半成品片表面进行辐照,以使减反射层释放出游离氢元素,游...
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