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最新专利技术
  • 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池
    一种太阳能电池制备方法及太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202510724288.5
    本申请公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，属于光伏技术领域，该方法包括：金属化处理，对设置有减反射层的半成品片进行金属化处理；紫外光辐照，采用具有预设能量值的紫外光对金属化处理后的半成品片表面进行辐照，以使减反射层释放出游离氢元素，游...
    2025-12-30
  • 一种太阳能电池的钝化方法
    一种太阳能电池的钝化方法_正泰新能科技股份有限公司_202510776755.9
    本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的钝化方法。与现有技术相比，本发明先采用腔体水钝化工艺然后进行原子层沉积，通过水预处理分解的H离子对表面进行钝化，饱和不饱和的悬挂键，从而使反应更加均匀彻底，缺陷也得到及时的修复，少子寿命...
    2025-12-30
  • 一种匹配光伏电池表面密栅的硼扩方法及光伏组件
    一种匹配光伏电池表面密栅的硼扩方法及光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202510779788.9
    本发明公开了一种匹配光伏电池表面密栅的硼扩方法及光伏组件，应用于光伏领域，包括：将炉内温度设置为第一通源温度，将炉内压力设置为第一炉压，以预设流量向炉内通入硼源气体，对电池基片进行第一步沉积扩散处理；将炉内温度由第一通源温度升高至第二通源温...
    2025-12-30
  • 一种高自旋选择性光电探测器的构建方法
    一种高自旋选择性光电探测器的构建方法_内蒙古科技大学_202510869490.7
    本发明涉及一种高自旋选择性光电探测器的构建方法，包括：在扶手椅型Janus WSSe晶格构建的光电探测器模型中，中部设为散射区，两端区域分别作为左右电极；在光电探测器的散射区引入单个原子级别的空位缺陷，并对缺陷引入后的散射区进行电子局域态分...
    2025-12-30
  • 一种电极制备方法、电极及光伏电池
    一种电极制备方法、电极及光伏电池_正泰新能科技股份有限公司_202510889850.X
    本申请公开了一种电极制备方法、电极及光伏电池，属于电池领域。本申请通过在形成第二类金属层前预先形成一层呈致密连续结构的第一类金属层作为阻挡层，一方面可以阻挡第二类金属内扩，另一方面可以增强第二层呈三维网状结构的第一类金属层的拉力，进一步的呈...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池0BB互联方法及一体化电池串制备系统
    一种背接触电池0BB互联方法及一体化电池串制备系统_宏润泰阳(宣城)绿色能源有限公司_202511064919.1
    本发明公开了一种背接触电池0BB互联方法及一体化电池串制备系统，涉及背接触电池无主栅互联技术领域。针对背接触电池电池互联时银耗高、易短路、硅片受热弯曲及生产良率低等问题，该方法通过制备两面涂覆胶黏剂的高分子绝缘复合膜，经定位打孔后与0BB低...
    2025-12-30
  • 光伏电池片的栅线转印方法及系统
    光伏电池片的栅线转印方法及系统_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511087699.4
    本公开涉及一种光伏电池片的栅线转印方法及系统，该方法包括将待转印栅线的光伏电池片移动至合模工位，提供掩膜板，于浆料凹槽中填充导电浆料，将填充导电浆料后的掩膜板传送至合模工位，并与光伏电池片相对布置，将相对布置的光伏电池片和掩膜板移动至激光转...
    2025-12-30
  • 电池串替片返修方法及返修装置
    电池串替片返修方法及返修装置_浙江求是半导体设备有限公司_202511093093.1
    本申请公开了一种电池串替片返修方法及返修装置，该电池串包括多个电池片以及布设于多个电池片上的焊带组，焊带组将多个电池片相连，定义电池串中需要返修的电池片为第一电池片，定义第一电池片沿预设方向两侧的电池片为第二电池片，定义用于替换的电池片为替...
    2025-12-30
  • 一种晶硅太阳能电池金属化的方法及晶硅太阳能电池
    一种晶硅太阳能电池金属化的方法及晶硅太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202511141789.7
    本发明提供了一种晶硅太阳能电池金属化的方法及晶硅太阳能电池，该方法包括以下步骤：S1)在太阳能电池半成品的表面进行开槽，得到凹槽；S2)在凹槽处通过激光化学气相沉积制备金属种子层；S3)在金属种子层上进行电镀铜，得到晶硅太阳能电池。与现有技...
    2025-12-30
  • InGaAsP外延片的生长方法及外延片
    InGaAsP外延片的生长方法及外延片_埃特曼(厦门)光电科技有限公司_202511195455.8
    本申请实施例涉及一种InGaAsP外延片的生长方法及InGaAsP外延片，通过先确定符合所需制备器件的目标波长的x的理论值和y的理论值，并根据x的理论值和y的理论值进行外延生长，通过对生长得到的InxGa1‑xAsyP1‑y层进行检测，首先...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池制备方法及背接触电池
    一种背接触电池制备方法及背接触电池_正泰新能科技股份有限公司_202511232407.1
    本申请公开了一种背接触电池制备方法及背接触电池，属于电池领域。本申请通过在衬底引入一层本征非晶硅作为缓冲层，再依次沉积中间层和沉积第二层本征非晶硅层，形成三明治结构，再经高温退火修复本征非晶硅层的晶格结构得到本质多晶硅层，形成双层钝化结构，...
    2025-12-30
  • 一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法
    一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法_江苏大学_202511289814.6
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法。该探测器基于SrSnO3/NiO异质结，通过构建pn结实现自供能紫外光探测。本发明采用掺杂手段SrSnO3优化n型导电性能，提升其迁移率，同时与p型NiO结合形...
    2025-12-30
  • 一种基于NiO/SiC异质结的新型双功能紫外探测器的制备方法
    一种基于NiO/SiC异质结的新型双功能紫外探测器的制备方法_江苏大学_202511289817.X
    本发明属于半导体光电器件及传感器技术领域，公开了一种基于NiO/SiC异质结的新型双功能紫外探测器的制备方法。采用SiC单晶衬底作为器件基础结构和电子供体，在SiC单晶衬底的碳截止面制备欧姆接触金属电极，Si截止面沉积NiO薄膜；当器件用于...
    2025-12-30
  • 一种基于MXene静电吸附的夹层式异质结光电探测器
    一种基于MXene静电吸附的夹层式异质结光电探测器_湘潭大学_202511297364.5
    本发明涉及了一种基于MXene静电吸附的夹层式异质结光电探测器。采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对Nb2CTx(MXene材料)进行表面改性，将其表面电位由负转正，进而通过静电自组装与带负电的WSe2和MoS2纳米片复合，成功构建三明治...
    2025-12-30
  • 一种基于光刻技术的Poly finger结构的TOPCon电池的制备方法
    一种基于光刻技术的Poly finger结构的TOPCon电池的制备方法_江苏光启灵犀装备有限公司_202511310236.X
    本发明公开一种基于光刻技术的Poly finger结构的TOPCon电池的制备方法，属于电池技术领域。方法包括：碱制绒、正面硼扩散、链式HF去BSG绕度及碱抛光去绕度处理，制备第二p+发射极层和第二BSG膜层；背面沉积、退火处理，制备第一隧...
    2025-12-30
  • 一种混合钝化背接触电池及其生产方法
    一种混合钝化背接触电池及其生产方法_晋能光伏技术有限责任公司_202511317642.9
    本发明公开了一种混合钝化背接触电池及其生产方法，涉及太阳能电池领域；制备方法包括硅片抛光；抛光后的硅片背面依次沉积隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；在硅片背面的掺杂多晶硅层通过激光烧蚀定义出未来的P区和N区；硅片正面进行酸抛处理；硅片正面进行碱制绒...
    2025-12-30
  • 一种荧光聚光器应用的二维纯碘钙钛矿纳米晶原位制法
    一种荧光聚光器应用的二维纯碘钙钛矿纳米晶原位制法_内蒙古科技大学包头师范学院_202511319296.8
    本发明公开一种荧光聚光器应用的二维纯碘钙钛矿纳米晶原位制法，包括前驱体‑聚合物母体制备、液相热注入诱导成核、气相辅助结晶与维度调控、后处理与器件组装四步骤。采用原位生长策略，结合液相热注入与气相辅助结晶，解决纳米晶团聚问题，实现二维结构精准...
    2025-12-30
  • 一种适用于氮化镓基深紫外光电器件的硅掺杂氧化镓导电电极及其制备方法
    一种适用于氮化镓基深紫外光电器件的硅掺杂氧化镓导电电极及其制备方法_厦门大学深圳研究院_202511319585.8
    本发明公开了一种适用于氮化镓基深紫外光电器件的硅掺杂氧化镓导电电极及其制备方法。硅掺杂氧化镓导电电极的硅掺杂氧化镓外延层与n型氮化镓衬底之间形成优异欧姆接触，界面接触电阻低，深紫外波段(280~400 nm)透过率可达85%，可满足氮化镓基...
    2025-12-30
  • 曲面光伏组件的制备方法和曲面光伏组件
    曲面光伏组件的制备方法和曲面光伏组件_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511326117.3
    本公开涉及一种曲面光伏组件的制备方法及曲面光伏组件，属于光伏组件制造技术领域。曲面光伏组件的制备方法包括：将初始BC电池片与第一电连接件焊接得到曲率半径为R1的曲面电池片，初始BC电池片中细栅线的延伸方向与第一电连接件的延伸方向相垂直；通过...
    2025-12-30
  • 一种T2SL长波红外光电探测器的制备方法
    一种T2SL长波红外光电探测器的制备方法_苏州恒影感知科技有限公司_202511329440.6
    本申请公开了一种T2SL长波红外光电探测器的制备方法，涉及光电探测器技术领域。制备方法包括利用分子束外延工艺制备外延生长结构，所述外延生长结构包括由下至上层叠布置的Te掺杂GaSb衬底、缓冲层、吸收层、阻挡层和接触层；对所述外延生长结构进行...
    2025-12-30
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