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最新专利技术
  • 一种基于双分子共锚定的氢键网络稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种基于双分子共锚定的氢键网络稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法_陕西师范大学_202511712104.X
    本发明公开了一种基于双分子共锚定的氢键网络稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于薄膜钙钛矿电池技术领域。本发明通过HDA在热激活条件下通过卡宾介导实现与FAI的结合。GS中的‑C=N和‑COOH基团与未配位的Pb2+形成稳定键合，有效抑制铅...
    2026-03-17
  • 空穴传输层及其制备方法、包含该空穴传输层的太阳能电池
    空穴传输层及其制备方法、包含该空穴传输层的太阳能电池_江阴晶皓新能源科技有限公司_202511794693.0
    本发明提供一种了空穴传输层及其制备方法、包含该空穴传输层的太阳能电池，空穴传输出层的制备方法包括以下步骤：将单磷酸根材料Me‑4PACz与双磷酸根材料3‑BPIC‑F按照一定质量比溶解于有机溶剂中，得到空穴传输层前驱体溶液；溶液法工艺沉积在...
    2026-03-17
  • 一种面向临近空间应用的高传输效率的钙钛矿薄膜及其制备工艺
    一种面向临近空间应用的高传输效率的钙钛矿薄膜及其制备工艺_无锡众能光储科技有限公司_202610122373.9
    本发明提供一种面向临近空间应用的高传输效率的钙钛矿薄膜及其制备工艺，属于钙钛矿薄膜技术领域，包括以下步骤：步骤S1、制备前驱体溶液；步骤S2、采用前驱体溶液对预处理基底进行旋涂，得到钙钛矿主膜；步骤S3、制备改性钙钛矿主膜；步骤S4、对改性...
    2026-03-17
  • 空穴传输层的制备方法和钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    空穴传输层的制备方法和钙钛矿太阳能电池及其制备方法_杭州纤纳光电科技股份有限公司_202411131023.6
    本发明涉及一种空穴传输层的制备方法和钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，空穴传输层的制备方法包括制备MoO3纳米颗粒、CuxO前体溶液制备和掺杂MoO3的CuxO异质结薄膜的制备，得到所需的空穴传输层。本发明通过...
    2026-03-17
  • 加热装置及钙钛矿电池的制备方法
    加热装置及钙钛矿电池的制备方法_苏州国显创新科技有限公司_202511786768.0
    本发明涉及光伏及半导体技术领域，提供了一种加热装置及钙钛矿电池的制备方法，加热装置包括：壳体，具有加热腔；加热件，设置在加热腔内；承载台，具有放置基板的放置位，放置位位于加热腔内，加热件和放置位相对设置，且加热件和承载台能够相对移动，以调整...
    2026-03-17
  • 发电参数匹配的光伏电池组件
    发电参数匹配的光伏电池组件_坦德姆光伏_202511165733.5
    一种光伏装置包括第一光伏电池组件和第二光伏电池组件。所述第一光伏电池组件包括第一群串联地电连接的薄膜光伏电池和第二群串联地电连接的光伏电池。所述第二光伏电池组件包括第三群串联地电连接的薄膜光伏电池和第四群串联地电连接的光伏电池。所述第一群和...
    2026-03-17
  • 一种构筑固定面积分子隧穿结的方法及电学性质测试方法
    一种构筑固定面积分子隧穿结的方法及电学性质测试方法_重庆大学_202411157918.7
    本发明属于分子电子学技术领域，具体涉及一种构筑固定面积分子隧穿结的方法及电学性质测试方法，包括：制备圆形阵列掩模版，将金靶材沉积到玻璃片表面，得到圆形金阵列；将金‑玻璃透明阵列电极浸泡在分子溶液中，当分子自组装完成，洗涤表面并干燥，得到表面...
    2026-03-17
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202411158781.7
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，太阳能电池包括栅线层、细栅线与焊接触点，所述栅线层设置于电池片的两相对侧，且所述栅线层上设置有汇流区，所述细栅线设置于所述栅线层上，所述汇流区间隔设置于所述细栅线上，且所述汇流区的...
    2026-03-17
  • 检查发光元件样品的方法、用于检查发光元件样品的设备和制造显示装置的方法
    检查发光元件样品的方法、用于检查发光元件样品的设备和制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202511048216.X
    提供了检查发光元件样品的方法、用于检查发光元件样品的设备和制造显示装置的方法。检查发光元件样品的方法包括以下步骤：获取关于发光元件样品的电信息和光学信息；以及通过合成电信息和光学信息来分析发光元件样品。
    2026-03-17
  • 检查装置、检查方法、基板处理装置及物品制造方法
    检查装置、检查方法、基板处理装置及物品制造方法_佳能株式会社_202511156989.X
    本发明提供检查装置、检查方法、基板处理装置及物品制造方法。为了高效地检查配置在基板之上的多个液滴，检查装置具备控制部，该控制部根据表示所述多个液滴的配置的配置信息来决定所述多个液滴各自的检查条件。
    2026-03-17
  • 一种利用高极性添加剂改善钙钛矿薄膜质量的方法与应用
    一种利用高极性添加剂改善钙钛矿薄膜质量的方法与应用_吉林大学_202511812289.1
    本发明涉及一种利用高极性添加剂改善钙钛矿薄膜质量的方法与应用，在钙钛矿薄膜前驱体中引入高偶极矩分子作为添加剂，所述添加剂包括苯乙胺阳离子、氟苯乙胺阳离子、三氟甲基苯乙胺阳离子、三氟甲氧基苯乙胺阳离子、五氟苯氧基乙胺阳离子或4‑(2‑氨乙基)...
    2026-03-17
  • 一种多孔无铅压电材料及其制备方法、压电能量采集器
    一种多孔无铅压电材料及其制备方法、压电能量采集器_四川大学_202511839903.3
    本发明涉及一种多孔无铅压电材料及其制备方法、压电能量采集器，涉及无铅压电材料领域。其中，所述多孔无铅压电材料的制备方法包括以下步骤：将陶瓷基体制成第一压电膜；将陶瓷基体和造孔剂制成第二压电膜；将数量若干的所述第一压电膜和数量若干的所述第二压...
    2026-03-17
  • 压电陶瓷组件、换能器以及键合机
    压电陶瓷组件、换能器以及键合机_无锡奥特维科技股份有限公司_202411138066.7
    本申请公开一种压电陶瓷组件、换能器以及键合机。所述压电陶瓷组件可以包括：叠层设置的多个压电陶瓷预堆叠体；其中，每个压电陶瓷预堆叠体包括电极片，以及相互层叠于所述电极片上的多个压电陶瓷片；所述多个压电陶瓷片的极化方向相同；任意相邻的两个压电陶...
    2026-03-17
  • 一种基于压电薄膜PZT技术的压电风冷器件
    一种基于压电薄膜PZT技术的压电风冷器件_上海仙材技术有限公司_202511840497.2
    本发明公开了一种基于压电薄膜PZT技术的压电风冷器件，涉及MEMS技术领域。器件采用压电悬臂梁MEMS芯片与带通气孔PCB的两层封装结构。MEMS芯片的悬臂梁集成SOI顶硅层与超薄PZT驱动堆栈，兼具低刚度与高驱动力，表面覆盖PDMS柔性密...
    2026-03-17
  • 压电元件、液体喷出头以及打印机
    压电元件、液体喷出头以及打印机_精工爱普生株式会社_202511174696.4
    本发明提供压电元件、液体喷出头以及打印机，能够降低压电体层产生裂纹的可能性。一种压电元件，包括：基板；第一电极，其具有设置在所述基板上的含有钛的密合层、以及设置在所述密合层上的导电层；扩散抑制层，其设置在所述第一电极上，抑制所述钛的扩散；压...
    2026-03-17
  • 磁阻式随机存取存储结构及其制备方法
    磁阻式随机存取存储结构及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202411128703.2
    本发明提供一种磁阻式随机存取存储结构及其制备方法，该方法包括：提供基底；在基底上形成磁隧道结膜层；在磁隧道结膜层上形成第一介质层；刻蚀第一介质层在第一方向上的两端，以使磁隧道结膜层在第一方向上的相对两端延伸出刻蚀后的第一介质层；在磁隧道结膜...
    2026-03-17
  • 电流驱动型垂直磁化异质结和磁性隧道结及其制备方法
    电流驱动型垂直磁化异质结和磁性隧道结及其制备方法_中国科学院物理研究所_202411144297.9
    本发明涉及电流驱动型垂直磁化异质结和磁性隧道结及其制备方法。一种垂直磁化异质结结构可包括：自旋霍尔效应层，包括具有自旋霍尔效应的重金属材料；形成在所述自旋霍尔效应层上的亚铁磁层，包括铁磁金属和稀土金属的合金，其中，所述自旋霍尔效应层配置为接...
    2026-03-17
  • SOT-MTJ器件及其制备方法
    SOT-MTJ器件及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202411128704.7
    本发明提供一种SOT‑MTJ器件，包括：两个底部金属层，形成于衬底上；两个底部通孔，与两个底部金属层一一相对；SOT轨道层，位于两个底部通孔上并与两个底部通孔接触；MTJ膜堆叠，位于SOT轨道层上；其中底部通孔包括两个导电层，位于下层的第一...
    2026-03-17
  • 自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器
    自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器_浙江驰拓科技有限公司_202411169286.6
    本申请公开了一种自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器。该自旋轨道矩存储单元包括：磁性隧道结，具有第一外周表面；轨道层，位于磁性隧道结的一侧，轨道层具有与第一外周表面共面的第二外周表面，且轨道层的背离磁性隧道结的一侧表面为第一表面；...
    2026-03-17
  • 具有TMR传感器芯片的传感器封装
    具有TMR传感器芯片的传感器封装_英飞凌科技股份有限公司_202511132069.4
    本发明涉及具有TMR传感器芯片的传感器封装，其包括TMR传感器芯片(200)和缓冲层(402)，缓冲层具有在20℃的温度中小于1GPa的弹性模量。缓冲层(402)安置在TMR传感器芯片(200)的上方和/或下方。
    2026-03-17
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