Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用
    一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用_西安电子科技大学_202511929740.8
    本发明公开了一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用，属于电子材料技术领域。本发明通过MOCVD生长卡槽来对应力的引入和分布进行控制，通过选择具有不同热膨胀系数的材料作为卡槽底座的组成材料，利用材料的热膨胀差异产生不同程...
    2026-05-06
  • 外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备
    外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备_中芯南方集成电路制造有限公司_202411321120.1
    本申请公开了外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备，该方法包括：获取基座的升降运动参数，升降运动参数包括当前升降速度和当前升降位置，在根据当前升降速度确定基座处于动作状态时，根据基座对应的多个预设升降位置确定当前升降位置所属的目标升降...
    2026-05-06
  • 一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法
    一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法_山东大学_202511938142.7
    本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法。将乙酰丙酮镓水溶液、乙酰丙酮锌水溶液和四价锡盐水溶液混合形成前驱体溶液；将蓝宝石衬底进行清洗和氮气吹扫后固定于雾化学气相沉积设备反应器中，将前...
    2026-05-06
  • 一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉
    一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉_新疆晶品新能源有限公司_202511674815.2
    本申请公开了一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉，包括炉体、炉盖、与炉盖连接的连接室、副室、用于移动炉盖的炉盖移动机构、用于移动副室的副室移动机构、籽晶夹头、用于驱动籽晶夹头升降和旋转的籽晶夹头驱动机构、坩埚、用于驱动坩埚升降和旋转的坩埚驱动机构...
    2026-05-06
  • 单晶硅生长的模拟方法及装置
    单晶硅生长的模拟方法及装置_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512048277.2
    本发明涉及一种单晶硅生长的模拟方法及装置，方法包括：S100：构建模拟空间，其内预设有多个离散的原子占位位点；S200：从各原子占位位点中选取一个作为初始位点，对其执行原子生长操作，并将其作为边缘位点记录至边缘列表；S300：对边缘位点的每...
    2026-05-06
  • 一种氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202512054146.5
    本发明涉及化合物氯代亚磷酸氢锑和氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体分子式为SbHPO3Cl，分子量为237.18，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a=5.1890(11)Å，b=6.5843(14)Å，c=6....
    2026-05-06
  • 一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途
    一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202610077343.0
    本发明公开了一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途，碱金属氟铍化物晶体的化学通式为LiABeF4，A=Na或K或NH4或Rb或它们的复合，其制备方法为：以BeF2和LiF为主原料，通过添加NaF、KF、NH4F、RbF中的任一种或至少两种...
    2026-05-06
  • 一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法
    一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法_北京铭镓半导体有限公司_202610202458.8
    本发明公开了一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明通过将模具表面狭缝的长度设计为不超过模具长度的三分之一，在引晶阶段将熔体供应严格限制在狭缝局部区域，实现单晶精确起始；随后在晶体侧向扩展阶段，主动调控模具上表面...
    2026-05-06
  • 一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用
    一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用_深圳技术大学_202511991806.6
    本发明公开了一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用，属于光电功能与激光技术领域，所述晶体的分子式为Pr4xBi4(1‑x)Ge3O12；其中，x的取值范围为0.005~0.02，x代表Pr离子的掺杂浓度，Pr离子取代Bi离子格位；所...
    2026-05-06
  • 一种磷化铟衬底的化蜡试剂及化蜡方法和磷化铟外延片
    一种磷化铟衬底的化蜡试剂及化蜡方法和磷化铟外延片_广东先导微电子科技有限公司_202511991340.X
    本申请属于半导体材料技术领域，尤其涉及一种磷化铟衬底的化蜡试剂及化蜡方法和磷化铟外延片；本申请提供的一种磷化铟衬底的化蜡方法中使用的化蜡试剂，通过化蜡试剂中的氟碳非离子表面活性剂促进化蜡试剂迅速铺展并渗入有机蜡层与磷化铟界面，并通过环己酮促...
    2026-05-06
  • 一种N型SnSe的大尺寸晶体及其制备方法
    一种N型SnSe的大尺寸晶体及其制备方法_北京航空航天大学_202511964981.6
    本发明公开了一种N型SnSe的大尺寸晶体及其制备方法，属于SnSe晶体制备技术领域，其为Br掺杂和Mo固溶的N型SnSe晶体，Sn、Se、Br、Mo的摩尔比为1‑x : 0.97 : 0.03 : x(0.01 ≤ x≤ 0.03)。其制备...
    2026-05-06
  • 一种氨基甲磺酸二阶非线性光学晶体及其制备与应用
    一种氨基甲磺酸二阶非线性光学晶体及其制备与应用_同济大学_202511831941.4
    本发明涉及一种二阶非线性光学材料晶体氨基甲磺酸及其制备与应用。该晶体的化学式为O3SCH2NH3，分子量111.12，属于单斜晶系，其空间群为Cm，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝129.7～131.7°，Z＝2，晶胞体积为其结构特征在于该晶...
    2026-05-06
  • 一种三聚氰胺盐双折射光学晶体及制备方法和用途
    一种三聚氰胺盐双折射光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511938132.3
    本发明涉及一种三聚氰胺盐双折射光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为(C3H7N6)2(C3H6N6)2OZn2Cl4·2H2O，分子量为830，单斜晶系，空间群C2/c，晶胞参数为a=12.230(2)Å，b=13.866(3)Å，c...
    2026-05-06
  • 一种氟化硼酸缩二脲非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种氟化硼酸缩二脲非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511938837.5
    本发明涉及一种氟化硼酸缩二脲非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为[C2N3O2BF2H5][BF4]，分子量为238.71，采用水热法或室温溶液法制备；属单斜晶系，空间群P21，晶胞参数为a=6.0521(11)Å，b=9.465...
    2026-05-06
  • 一种氟化钙晶体生长除杂的方法
    一种氟化钙晶体生长除杂的方法_河南微米光学科技有限公司_202511980799.X
    本发明涉及一种氟化钙晶体生长除杂的方法，属于晶体生长技术领域。本发明采用HF对原料CaF2进行脱水脱氢，采用BN多孔陶瓷滤板过滤，在表面处理的石墨坩埚中制备得到了一种高纯度氟化钙晶体。利用HF的高反应活性，与原料中的水分生成易挥发的HF·H...
    2026-05-06
  • 一种无痕抗静电面料及其制备方法
    一种无痕抗静电面料及其制备方法_吴江市玉立纺织布业有限公司_202511871965.2
    本发明公开了一种无痕抗静电面料及其制备方法，所述的无痕抗静电面料是由抗静电纱线与复合功能纱线采用双面提花工艺编织成双面提花组织结构；而且借助所述提花组织结构形成了依次设置的亲肤层、提花空气层、抗静电层；再利用超声波焊接技术在接缝处进行拼接固...
    2026-05-06
  • 一种复合纺丝仿醋酸面料双螺杆熔融纺丝装置
    一种复合纺丝仿醋酸面料双螺杆熔融纺丝装置_江苏今达纺织实业有限公司_202511723056.4
    本发明涉及复合纺丝仿醋酸面料双螺杆熔融纺丝技术领域，且公开了一种复合纺丝仿醋酸面料双螺杆熔融纺丝装置，包括热熔箱，热熔箱的底部固定连接有支腿，热熔箱的表面固定连接有支架，热熔箱的上方设置有混合下料装置，热熔箱的内部设置有传输熔融装置，热熔箱...
    2026-05-06
  • 一种阻燃高色牢度提花满铺毯生产线及其生产工艺
    一种阻燃高色牢度提花满铺毯生产线及其生产工艺_诺奥(福建)环保家居用品有限公司_202512004242.9
    本发明提供一种阻燃高色牢度提花满铺毯生产线及生产工艺，包括纺丝装置、提花装置和复合装置，所述纺丝装置包括结晶干燥机构、螺旋挤出机构、纺丝成型机构和变形冷却机构，所述螺旋挤出机构包括沿物料流动方向依次设置的进料腔、第一压缩腔、第二压缩腔、静态...
    2026-05-06
  • 一种母粒料仓磁吸进料结构
    一种母粒料仓磁吸进料结构_浙江恒涌新材料有限公司_202511881788.6
    本发明公开了一种母粒料仓磁吸进料结构，包括位于母粒料仓进料口的小料斗，所述小料斗内设有磁性吸附装置，进入所述小料斗内的母粒经过所述磁性吸附装置对掺杂的金属颗粒进行吸附后再流入料仓内。能够将混入母粒间的金属杂质进行吸出，从而保证进入料仓中的母...
    2026-05-06
  • 纺丝装置
    纺丝装置_日本TMT机械株式会社_202511047805.6
    本发明提供一种纺丝装置。在具有多个纺丝单元的纺丝装置中，同时实现供给部的材料成本的抑制和功耗增大的抑制。纺丝装置具有多个纺丝单元。各纺丝单元具备：加热箱体，供纺丝组件安装；配管，供熔融聚合物在加热箱体内朝向纺丝组件流动；齿轮泵，设置于配管，...
    2026-05-06
首页 上一页 9 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证