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  • 本发明涉及一种柔性电路板用承载组件及弯折装置,包括:第一夹持机构,夹持座设有滑槽,第一活动座与滑槽滑动连接,第一弹性件位于第一活动座与滑槽的端部之间,活动杆贯穿第一活动座并与第一活动座滑动连接,活动杆的移动路径与第一活动座的移动路径垂直,活...
  • 本发明公开了一种集成电路制造用的电路板夹紧设备,本发明涉及集成电路制造技术领域,包括安装板,以及固定安装在安装板顶部的安装壳体,所述安装壳体顶部的边缘处固定安装有梯形板,所述梯形板的中间处开设有导向槽,所述安装壳体外表面的中间处开设有滑槽,...
  • 本申请涉及一种集成主板加工用元器件贴装加工设备,属于主板加工领域,包括底板,所述底板上安装有输送带,底板的表面固定连接有支架、第一支撑块、第一连接架、第二连接架和第二支撑块,所述第二支撑块上安装有导向组件,所述支架上安装有第二电动推杆,第二...
  • 本申请涉及一种基板上下料机床系统及其控制方法,基板上下料机床系统包括:基座、加工组件、顶升机构、夹持机构以及机械人操作组件。上述的基板上下料机床系统,通过夹持机构实现对销钉的定位夹持,使得销钉被夹持后,基板的最下层的板材能够被夹持机构和顶升...
  • 本发明公开了一种SMT贴片机供料设备,包括供料器外壳和驱动机构,所述供料器外壳的内部贯穿有连接轴,所述连接轴的两侧以及驱动机构的输出端均设置有连接齿,所述供料器外壳的顶部设置有料带传输机构,所述料带传输机构与连接轴之间设置有连接机构,所述供...
  • 本发明涉及一种转塔式贴片头,包括旋转保持架、转换机构、角度调节机构和垂直贴片机构,旋转保持架的内部设置有转盘,转盘的外围安装有若干吸嘴组件;转换机构设置在旋转保持架的上方,且能够带动转盘旋转;角度调节机构设置在旋转保持架的侧面,且能够调节吸...
  • 本发明提供一种STM贴片精度管控装置,其结构包括:控制端、承重平台、滑轨、螺纹驱动机、管控主体、输送端、输出层;本发明由管控主体改进后,通过两组支柱上的平衡块强制将横杆进行平行固定,避免气缸及升降负压吸取件的倾斜,然后支柱下端的抓取结构能通...
  • 本申请公开了一种电子组件的装联方法。其中,该方法包括:在基板上与第一电子组件匹配的第一区域处涂抹焊料,其中,第一电子组件是基板对应的电子组件集合中除第二电子组件以外的组件,第二电子组件的材质为陶瓷材质;将第一电子组件贴装至涂抹有焊料的第一区...
  • 本发明公开了一种投影仪引导及极性检测的插件机及方法, 属于电子制造技术领域。通过投影仪将器件封装图形直接投影到PCB板对应位置, 为操作人员提供可视化的插装引导, 投影内容包括器件的位号、封装形状和极性方向。多层旋转料仓根据BOM表中器件的...
  • 用图形选择性通透及掩蔽的两预张力膜及应用方法,包括图形选择性通透薄膜和图形选择性遮蔽的薄膜,高张力地固定在两个框体端面上,框体固定薄膜后的外端面分别在工作表面的两侧,合并在一起作为夹具;工件两被加工表面分别沿工作表面放置在两薄膜外端面中间,...
  • 本发明公开了一种基于压力反馈的贴片吸嘴调节系统及方法,涉及贴片机技术领域,包括升降座和底座,所述升降座设置于底座的上方,升降座的内侧固定连接有真空管,真空管的下端开设有对接槽,真空管的外表面固定连接有对接座,本发明通过对接块一、对接块二与弧...
  • 本发明涉及贴片机技术领域,公开了一种多尺寸电子元件贴装通用定位设备,包括机柜、机架、支脚、放料盘、用于夹取多尺寸电子元件的取料机构、用于移动所贴装工件的传送组件、用于移动部分所述传送组件的第一移动组件、用于固定电子元件所贴装的工件的固定机构...
  • 提供一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括:第一源极层;第二源极层,其位于第一源极层上方;子源极层,其位于第一源极层与第二源极层之间;第一缓冲层,其位于第一源极层与子源极层之间;第二缓冲层,其位于子源极层与第二源极层之间。...
  • 在此公开了包括电容器结构的装置及形成其的方法。所述装置包括第一电容器,第一电容器具有第一电极,第一电极具有在第一方向上从近端端部延伸到远端端部并通过连接段在近端端部接合以形成口的第一段和第二段。第二电极可具有第三段、第四段和第五段,第三段、...
  • 提供了一种半导体装置。该装置包括:有源层,其在第一水平方向上延伸,有源层包括沿第一水平方向顺序地布置的第一源极/漏极区、沟道区和第二源极/漏极区;位线,其在竖直方向上延伸并连接到第二源极/漏极区;信息存储结构,其连接到第一源极/漏极区;栅电...
  • 本公开内容涉及用于管理半导体装置中的隔离结构的方法、装置和系统。一种示例半导体装置包括沿着第一方向延伸并且沿着正交于第一方向的第二方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体。半导体装置还包括沿着第二方向延伸穿过第一堆叠体的栅极线缝隙结构、以及...
  • 本发明提供了一种叠层结构Flash的工艺实现方法及Flash芯片,该方法包括步骤:在芯片衬底上定义有源区,有源区包括单元有源区和外围有源区;在单元有源区生长隧穿氧化层,并在隧穿氧化层上生长第一多晶硅形成浮栅FG;在有源区沉积ONO绝缘层;在...
  • 一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底;闪存阵列,所述闪存阵列位于所述衬底上,所述闪存阵列包括字线;第一栅极结构,所述第一栅极结构位于所述衬底上,所述第一栅极结构的高度与所述字线的高度相同,并且所述第一栅极结构的材料与所述字线的材料相同...
  • 本申请涉及半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤:形成具有彼此交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构;形成穿过层叠结构的第一狭缝;形成穿过层叠结构的第二狭缝;形成在第一狭缝和第二狭缝之间穿过层叠结构的接触孔;形成将...
  • 本发明涉及半导体存储器技术领域,提出一种Al基化合物ONO堆叠中Ti掺杂存储层的电荷俘获型存储器及其制备方法。该存储器的结构包括:衬底、隧穿层、存储层、阻挡层和电极层;所述隧穿层、存储层、阻挡层依次沉积在衬底表面,在所述阻挡层的表面蒸镀电极...
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