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最新专利技术
  • 一种聚酰亚胺-氧化铝复合薄膜材料及其制备方法
    一种聚酰亚胺-氧化铝复合薄膜材料及其制备方法_北京印刷学院_202610276973.0
    本发明公开了一种聚酰亚胺‑氧化铝复合薄膜材料及其制备方法，该复合薄膜材料由聚酰亚胺层及沉积结合于所述聚酰亚胺层上表面的氧化铝层组成，所述聚酰亚胺层及所述氧化铝层的厚度均为纳米级；该复合薄膜材料使用原子层沉积设备制备，制备方法包括先在单晶硅片...
    2026-04-24
  • 表面涂覆的切削工具
    表面涂覆的切削工具_肯纳金属公司_202511440681.8
    在一个方面，本文描述了切削工具，所述切削工具包括耐火涂层，所述耐火涂层包括MT‑TiCN层和α‑Al2O3层，所述层具有有利于抵抗包含开裂和/或剥落的各种降解机制的结晶取向和架构。因此，在一些实施方案中，具有此类耐火涂层的切削工具适用于高磨...
    2026-04-24
  • 一种基于梯度缓冲层的石墨衬底碳化钽涂层的制备方法
    一种基于梯度缓冲层的石墨衬底碳化钽涂层的制备方法_山东大学_202511995237.2
    本发明公开了一种基于梯度缓冲层的石墨衬底碳化钽涂层的制备方法，属于第三代半导体生产技术领域。通过在石墨沉底上原位生成Ta2C/TaC梯度缓冲层，TaC摩尔分数从靠近石墨基底的约10%逐渐过渡至表层的90%以上，再经过中低温预处理和高温退火处...
    2026-04-24
  • 一种基于低漏率结构组件的半导体反应腔室
    一种基于低漏率结构组件的半导体反应腔室_靖江嘉昇和真空技术有限公司_202512054851.5
    本发明涉及半导体相关技术领域，公开了一种基于低漏率结构组件的半导体反应腔室，包括腔体本体、设置于腔体本体顶部的顶板以及可拆卸安装的腔盖，腔盖与腔体本体之间形成密封界面。腔盖一侧设置第一密封组件，腔体本体一侧设置能够相对第一密封组件发生位移的...
    2026-04-24
  • 化学气相沉积设备
    化学气相沉积设备_合肥国显科技有限公司_202610129272.4
    本申请提供一种化学气相沉积设备，属于化学气相沉积工艺的技术领域。其包括设备本体、阻挡装置以及真空泵；设备本体具有沉积腔室；阻挡装置包括管体、隔板以及阀板，管体具有压力腔室，管体连接于设备本体并与沉积腔室连通；隔板设置于压力腔室内，并开设有通...
    2026-04-24
  • 匀气组件和半导体设备
    匀气组件和半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511799011.5
    本申请实施例提供了一种匀气组件和半导体设备，涉及半导体技术领域，能够抑制喷淋装置周围寄生等离子体，从而提高半导体设备的累计极限，提高生产效率。匀气组件，匀气组件包括喷淋装置和绝缘环，绝缘环套设于所述基体的外侧；喷淋装置包括：基体和位于基体一...
    2026-04-24
  • 一种化学气相沉积用气流均布装置及方法
    一种化学气相沉积用气流均布装置及方法_江西汉可泛半导体技术有限公司_202511970844.3
    本申请涉及真空镀膜的技术领域，公开了一种化学气相沉积用气流均布装置，包括反应腔体，其内部限定有沉积空间；匀气组件，设置于所述沉积空间内，用于将通入的反应气体在水平方向上均匀扩散；基片承载区，设置于匀气组件的侧面，用于放置待沉积的基片；进气系...
    2026-04-24
  • 一种用于薄膜沉积的炉管结构
    一种用于薄膜沉积的炉管结构_上海庆建廷科技有限公司_202610062323.6
    本发明公开了一种用于薄膜沉积的炉管结构，涉及原子层沉积技术领域，包括支撑法兰、石英炉管、固定法兰、晶舟和多个硅片，所述固定法兰的前侧左右端均设置有若干个第一进气口，所述固定法兰的前侧中部设置有第二进气口和第三进气口，所述石英炉管包括电离腔室...
    2026-04-24
  • 一种弧光电子增强沉积复合类金刚石涂层的制备方法和复合类金刚石涂层
    一种弧光电子增强沉积复合类金刚石涂层的制备方法和复合类金刚石涂层_陕西汉德车桥有限公司_202610074360.9
    本发明提供了一种弧光电子增强沉积复合类金刚石涂层的制备方法，包括以下步骤：S1将基体进行加热，再对所述基体进行离子清洗；S2在基体表面沉积金属底层；S3在步骤S2得到的基体表面沉积过渡层；S4开启电弧离子源和辅助阳极电极，将偏压电源切换为中...
    2026-04-24
  • 一种用于微波等离子体化学气相沉积的真空系统
    一种用于微波等离子体化学气相沉积的真空系统_河南省科学院激光制造研究所_202512022421.5
    本发明公开了一种用于微波等离子体化学气相沉积的真空系统，包括真空腔本体、处理器和分别设置在真空腔体进气口用于精确控制各种组分气体的流量和比例的进气系统和设置在真空腔体出气口用于与进气系统联动并通过处理器控制真空腔本体内气压的出气系统；所述的...
    2026-04-24
  • 加热基座的校准方法、校准系统及化学气相沉积设备
    加热基座的校准方法、校准系统及化学气相沉积设备_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511953798.6
    本发明涉及半导体制造工艺技术领域，公开了一种加热基座的校准方法、校准系统及化学气相沉积设备，加热基座的校准系统包括控制器和用于调整加热基座水平度的调整器，方法包括：在维护加热基座后，获取晶圆表面沉积的当前膜厚数据；根据当前膜厚数据和晶圆的目...
    2026-04-24
  • 晶圆传输装置以及化学气相沉积设备
    晶圆传输装置以及化学气相沉积设备_深圳市新凯来技术有限公司_202411449736.7
    本申请提供一种晶圆传输装置以及化学气相沉积设备，涉及半导体芯片制造技术领域。晶圆传输装置包括旋转机构和密封机构。旋转机构包括第一驱动单元和传动轴，第一驱动单元驱动传动轴旋转，传动轴具有支撑端，支撑端用于支撑晶圆。密封机构靠近传动轴的支撑端，...
    2026-04-24
  • 一种半导体设备零件的表面涂层工艺
    一种半导体设备零件的表面涂层工艺_安徽高芯众科半导体有限公司_202511920845.7
    本申请涉及一种半导体设备零件的表面涂层工艺，包括如下步骤：S1、含钇复合涂层沉积：将零件放入至ALD沉积设备中，通入前驱体进行涂层沉积，得到生长含钇复合涂层的零件；S2、等离子轰击：将生长含钇复合涂层的零件在等离子设备中进行等离子轰击，从而...
    2026-04-24
  • 一种TiAl合金梯度抗腐蚀涂层制备装置与工艺
    一种TiAl合金梯度抗腐蚀涂层制备装置与工艺_泉州信息工程学院_202610116679.3
    本发明公开了一种TiAl合金梯度抗腐蚀涂层制备装置与工艺，属于金属涂层制造领域，一种TiAl合金梯度抗腐蚀涂层制备装置，包括：分段控温烧结炉、封闭门板、炉膛、基材支架，所述封闭门板通过转动轴设置于分段控温烧结炉上，所述炉膛固定连接在分段控温...
    2026-04-24
  • 一种特种工程塑料表面金属化的处理工艺
    一种特种工程塑料表面金属化的处理工艺_海宁泛源智汇科技有限公司_202311016931.6
    本发明公开了一种特种工程塑料表面金属化的处理工艺，应用于波导天线塑料基板金属化，具体包括以下步骤：S1、除油：使用除油液对工程塑料的表面进行除油，S2、亲和：使用磺酸类溶剂对工程塑料的表面进行亲和，S3、蚀刻：使用碱/第一有机溶剂的混合液对...
    2026-04-24
  • 一种电路板沉铜设备及方法
    一种电路板沉铜设备及方法_雅鸿电子(中山)有限公司_202310398349.4
    本发明涉及电路板加工技术领域，尤其涉及一种电路板沉铜设备及方法，包括沉铜池本体，沉铜池本体前后侧均设有清洗池，清洗池背离沉铜池本体一端均设有用于换料的攀登梯，所述沉铜池本体两侧均设有滑动座，滑动座顶端滚动安装有平移架，平移架两侧前后端内壁均...
    2026-04-24
  • 一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法
    一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511931925.2
    本发明提供一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法，镀液包括以下组分：水溶性钯盐、四复合络合剂、pH缓冲剂、还原剂和含硫稳定剂；以镀液总量计，所述水溶性钯盐和四复合络合剂含量为：所述水溶性钯盐以钯计，钯的含量为0.8‑1.2 g/L；...
    2026-04-24
  • 一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液
    一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511931936.0
    本发明提供一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液，以镀液总量计，包含以下组分：水溶性钯盐0.4‑0.6 g/L、复合络合剂20‑30g/L、pH缓冲剂10‑20 g/L、双还原剂8‑12 g/L、加速剂0.1‑0.5 g/L和稳定剂5‑...
    2026-04-24
  • 一种铂铑化学镀溶液、配制方法以及铂铑合金薄膜的制备方法
    一种铂铑化学镀溶液、配制方法以及铂铑合金薄膜的制备方法_昆山一鼎工业科技有限公司_202610343878.8
    本发明公开了一种铂铑合金化学镀溶液、配制方法以及铂铑合金薄膜的制备方法，属于化学镀技术领域。化学镀溶液包括铂盐、铑盐、还原剂、醇胺类第一络合剂、聚合醇胺类第二络合剂、磷酸盐类稳定剂、添加剂。本发明选用醇胺类与聚合醇胺的复配作为络合剂，以碳酰...
    2026-04-24
  • 感光材料板基板氧化装置和感光材料板基板氧化方法
    感光材料板基板氧化装置和感光材料板基板氧化方法_河南汇达印通科技股份有限公司_202610232206.X
    本发明涉及感光材料板技术领域，名称是感光材料板基板氧化装置，包括装置架，在装置架下面安装有氧化槽，所述的升降部件连接有横板，所述的升降部件连接控制装置，在横板的左侧具有竖直设置的固定板，这个固定部是左固定板，在左固定板上安装有朝向右侧的夹具...
    2026-04-24
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