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最新专利技术
  • 一种西药药学成分数据智能存储管理方法
    一种西药药学成分数据智能存储管理方法_灵祜(上海)生物科技有限公司_202510494239.7
    本发明公开了一种西药药学成分数据智能存储管理方法，涉及医药信息技术领域，该方法通过API接口采集药物成分数据，使用自然语言处理技术进行语义化解析并加密存储，构建药物自推荐平台，通过电子病历分析与药物成分标签属性的检索，为患者提供个性化的药物...
    2026-01-13
  • 一种架空线缆的挂载异物切割点定位与跟踪预测方法
    一种架空线缆的挂载异物切割点定位与跟踪预测方法_南京理工大学_202510494231.0
    本发明公开了一种架空线缆的挂载异物切割点定位与跟踪预测方法，利用opencv库进行一系列图像处理，包括图像预处理、边缘检测、直线拟合，确定了图像中激光切割点的坐标定位；对架空线缆的运动特性进行动力学分析与建模，利用该模型，将滑动窗口融入扩展...
    2026-01-13
  • 基于语言大模型的电信诈骗案件要素分析方法与装置
    基于语言大模型的电信诈骗案件要素分析方法与装置_联通在线信息科技有限公司_202510494287.6
    本发明涉及基于语言大模型的电信诈骗案件要素分析方法与装置，该方法包括：获取案件描述数据以及案件描述数据对应的案件要素，构建初始数据集。通过提示工程对初始数据集进行预标注，得到预标注数据集，将预标注数据集划分为多个子集，对每个子集中的预标注结...
    2026-01-13
  • 一种基于BIM技术的绿色建筑设计方法
    一种基于BIM技术的绿色建筑设计方法_申都设计集团有限公司_202510494187.3
    本发明涉及建筑设计技术领域，公开了一种基于BIM技术的绿色建筑设计方法，在项目初始化阶段，全面收集气候、地理和法规信息，并在BIM平台上创建初始模型；利用实时天气数据进行能耗模拟与优化，帮助识别高能耗区域并作出调整；AI算法从材料数据库中筛...
    2026-01-13
  • 基于动态显存压缩与内存异构的大语言模型推理加速方法及系统
    基于动态显存压缩与内存异构的大语言模型推理加速方法及系统_杭州尚乘英港数字科技有限公司_202510494275.3
    本发明公开了一种基于动态显存压缩与内存异构的大语言模型推理优化方法及系统，通过整合KV Cache的动态压缩策略与内存并行架构，实现显存资源的智能管理。该方法包含：1）实时分析KV Cache的时空特征，自适应选择量化压缩、稀疏化或低秩分解...
    2026-01-13
  • 一种20MnTiB钢热变形实验用拉伸装置
    一种20MnTiB钢热变形实验用拉伸装置_河北工程大学_202510494149.8
    本发明涉及钢材技术领域，且公开了一种20MnTiB钢热变形实验用拉伸装置，底座，所述底座顶部两端固定连接有用于支撑的支撑板，两块支撑板相对的壁面上固定连接有用于承载的安装板，底座和安装板相对的壁面上转动连接有用于对样品夹持固定的夹持组件，夹...
    2026-01-13
  • 一种生物型溢油分散剂及其制备方法
    一种生物型溢油分散剂及其制备方法_海南热带海洋学院_202510494773.8
    本发明公开了一种生物型溢油分散剂及其制备方法，该方法的步骤为：选取天然阴离子表面活性剂以及非离子表面活性剂，与溶剂、助剂相互混合，之后按比例向其加入石油降解菌，并使其混合，从而得到生物型绿色、高效溢油分散剂。本发明将溢油分散剂与石油降解菌进...
    2026-01-13
  • 一种改善睡眠的组合物
    一种改善睡眠的组合物_嘉兴复道致德医疗科技有限公司_202510496489.4
    本发明公开了一种改善睡眠的组合物，其特征在于，所述组合物包括三七茎叶总皂苷、酸枣仁提取物、薰衣草提取物和薰衣草精油；其中，该三七茎叶总皂苷、所述酸枣仁提取物、所述薰衣草提取物和所述薰衣草精油之间的质量比为(2.50～3.50)：(45.00...
    2026-01-13
  • 基于反铁磁自旋的整流器件及其制备方法
    基于反铁磁自旋的整流器件及其制备方法_上海交通大学_202510497223.1
    本发明公开了一种基于反铁磁自旋的整流器件及其制备方法。该整流器件包括衬底(1)以及设置在衬底上的整流膜(3)；所述整流膜的材质为反铁磁材料，并且针对所述整流膜设置有两个输入电极(41)以及两个输出电极(42)；所述两个输入电极以及两个输出电...
    2026-01-13
  • 保护盖板的制备方法
    保护盖板的制备方法_京东方杰恩特喜科技有限公司_202510502664.6
    本申请公开了一种保护盖板的制备方法，属于显示技术领域。该保护盖板的制备方法包括：在盖板本体的第一侧依次形成第一保护膜和第一遮光层后，盖板本体的第一侧附着有污染物，对盖板本体的第一侧进行第一清理处理。在清洗过程中，等离子体轰击盖板本体的第一侧...
    2026-01-13
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_武汉天马微电子有限公司_202510502995.X
    本发明实施例提供一种显示面板和显示装置。显示面板包括衬底，以及位于衬底一侧的发光器件、偏光层、反射式偏光层和至少一个吸光层；偏光层位于反射式偏光层的远离发光器件的一侧；吸光层位于反射式偏光层的远离偏光层的一侧，吸光层包括多个开口；沿垂直于衬...
    2026-01-13
  • 显示模组及显示装置
    显示模组及显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202510502382.6
    本发明提供一种显示模组及显示装置，涉及显示技术领域，显示模组可兼顾较高的出光效率和较低的反射率。显示模组包括：衬底；位于衬底一侧的发光器件层，包括多个发光元件；位于发光器件层远离衬底一侧的反射式偏光结构；位于反射式偏光结构远离衬底一侧的第一...
    2026-01-13
  • 一种显示面板和显示装置
    一种显示面板和显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510502394.9
    本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置。该显示面板包括阵列基板，阵列基板还包括衬底以及位于衬底一侧表面的电路层；第一区包括多条信号线，信号线延伸至第二区；第二区包括多个引出焊盘单元，引出焊盘单元包括第一焊盘结构，第一焊盘结构位于电路层在第...
    2026-01-13
  • 一种基于量子点的多轴电场调控纠缠光源
    一种基于量子点的多轴电场调控纠缠光源_浙江大学_202510498255.3
    本发明公开了一种基于量子点的多轴电场调控纠缠光源，所述光源采用p‑i‑n二极管结构，自下而上依次为：GaAs层，其上为n型掺杂层；n型掺杂层上方依次为Al0.15Ga0.85As层和Al...
    2026-01-13
  • 一种碲镉汞芯片及其制造方法
    一种碲镉汞芯片及其制造方法_安徽晶芯科技有限公司_202510497826.1
    本发明属于半导体材料领域，公开了一种碲镉汞芯片及其制造方法，包括：于芯片表面依次匀胶、烘干、曝光、显影，在芯片表面的光刻胶层中开设出光刻孔一，然后沿光刻孔一向芯片内部刻蚀出刻蚀孔，之后去除光刻胶；再次在芯片表面匀胶，光刻胶填满刻蚀孔，然后依...
    2026-01-13
  • 一种倾倒型线性单光子雪崩探测器和制备方法
    一种倾倒型线性单光子雪崩探测器和制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202510496701.7
    本发明涉及光电探测器技术领域，特别是一种倾倒型线性单光子雪崩探测器，包含衬底、N电极、N接触层，N倍增层，P吸收层和P电极。衬底位于探测器的底部。在衬底的上方，N电极、N接触层，N倍增层，P吸收层和P电极的高度一致，依次横向排列。N电极连接...
    2026-01-13
  • 一种柔性太阳能板及其制备方法
    一种柔性太阳能板及其制备方法_广州奥鹏能源科技有限公司_202510500707.7
    本申请提供一种柔性太阳能板，从上到下依次包括：背板、第一EVA胶膜、第一环氧树脂玻璃纤维布、电池片、第二环氧树脂玻璃纤维布、第二EVA胶膜、ETFE薄膜；所述柔性太阳能板还包括使电池片串联的铜网；所述第一环氧树脂玻璃纤维布和所述第二环氧树脂...
    2026-01-13
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202510504748.3
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一外延层结构和第二外延层结构；在所述第一外延层结构和第二外延层结构的交接处，形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一外延层结构和所述第二外延层结构的侧壁。采...
    2026-01-13
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202510504724.8
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多层外延层；形成栅极结构，所述栅极结构穿通部分或全部外延层，并与部分或全部外延层相接触；其中，各层外延层具有各自的掺杂类型和掺杂浓度。采用上述技术方案，能够...
    2026-01-13
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202510502370.3
    本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底，包括第一区、与所述第一区相连接的第二区；在所述第一区依次形成堆叠的第一源极层、第一沟道层和第一漏极层，以形成第一叠层；在所述第二区依次形成堆叠的第二源极层、第二沟道层...
    2026-01-13
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