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最新专利技术
  • 封装模组和基站
    封装模组和基站_华为技术有限公司_202410385953.8
    本申请实施例提供一种封装模组和基站， 封装模组包括封装载板， 设置在所述封装载板上的半导体衬底， 设置在所述半导体衬底上的功放电路和环行器， 以及包覆所述封装载板、所述半导体衬底、所述功放电路和所述环行器的塑封体， 所述功放电路与所述环行器...
    2026-03-23
  • 一种芯片、电子组件和电子设备
    一种芯片、电子组件和电子设备_华为技术有限公司_202410382686.9
    本申请提供了一种芯片、电子组件和电子设备， 该电子组件包括芯片和电路板。芯片朝向电路板的表面包括中心区域和边缘区域， 边缘区域位于中心区域的周侧， 上述边缘区域位于中心区域朝向边缘的一侧。上述芯片的边缘区域通过第一焊点与电路板连接， 中心区...
    2026-03-23
  • 部件承载件及其制造方法以及包括部件承载件的封装件
    部件承载件及其制造方法以及包括部件承载件的封装件_奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司_202410361283.6
    本发明涉及包括叠置件的部件承载件、用于制造部件承载件的方法以及包括部件承载件的封装件， 其中， 叠置件包括电传导层结构和阻焊层结构， 电传导层结构和阻焊层结构沿叠置方向布置。阻焊层结构包括至少一个开口， 至少一个电传导层结构的部分通过至少一...
    2026-03-23
  • 一种晶圆的激光切割方法
    一种晶圆的激光切割方法_广东鑫诚光电半导体有限公司_202510606426.X
    本发明属于晶圆切割技术领域， 公开了一种晶圆的激光切割方法， 包括以下步骤：在晶圆的正面依次涂覆保护胶和保护液， 得到晶圆A；将晶圆A的背面贴在UV膜上， 然后进行激光切割， 得到晶圆B；对晶圆B进行第一水流冲洗， 得到晶圆C；对晶圆C进行...
    2026-03-23
  • 扩展环及半导体芯片的制造方法
    扩展环及半导体芯片的制造方法_株式会社东京精密_202510359669.8
    本发明抑制扩展后的芯片布局的破坏。本发明的一方式的扩展环， 其周缘固定于环状部件并对粘贴有晶圆的片材施加张力以将所述片材拉伸， 扩展环包括：环主体， 外径比所述环状部件的内径小；以及唇部， 从所述环主体的外周上缘朝向外侧下方延伸设置， 并且...
    2026-03-23
  • 具有保护环结构的半导体装置
    具有保护环结构的半导体装置_德州仪器公司_202411913179.X
    描述了具有保护环结构的半导体装置。在一些实例中， 半导体装置(201)包含半导体衬底(209)、所述半导体衬底(209)上方的III‑N层(210)。所述III‑N层(210)延伸越过所述半导体衬底(209)的装置区(202)。所述半导体装...
    2026-03-23
  • 具有高电压稳健性的集成电路(IC)
    具有高电压稳健性的集成电路(IC)_德州仪器公司_202411911977.9
    本公开涉及一种具有高电压稳健性的集成电路IC。一种半导体装置(300)包括：半导体衬底(301)， 其具有第一切割侧(309A)和相对的第二切割侧(309B)；电路(305)， 其形成于所述半导体衬底(301)中或上方位于所述第一切割侧(3...
    2026-03-23
  • 减少晶圆崩边的分离方法
    减少晶圆崩边的分离方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202410357002.X
    本发明公开了一种减少晶圆崩边的分离方法， 首先， 使用激光光束对晶圆的正面进行激光切割操作， 切割深度小于所述晶圆的厚度， 然后在晶圆的正面的非切割区域形成第一掩膜， 并在晶圆的背面形成第二掩膜， 从而对晶圆进行保护， 避免了后续的湿法刻蚀...
    2026-03-23
  • 一种超级通孔互连结构及其制造方法
    一种超级通孔互连结构及其制造方法_杭州积海半导体有限公司_202511171193.1
    本发明提供一种超级通孔互连结构及其制造方法， 具体涉及半导体领域。所述制造方法包括在第一介质层中形成第一金属互连结构；在第一介质层上依次形成第二介质层和介质阻挡层， 且介质阻挡层的刻蚀速率小于第二介质层的刻蚀速率；在介质阻挡层和第二介质层中...
    2026-03-23
  • 一种制作半导体元件的方法
    一种制作半导体元件的方法_联华电子股份有限公司_202410468377.3
    本发明公开一种制作半导体元件的方法， 其主要先提供第一晶圆以及第二晶圆， 然后将该第一晶圆接合至一载体并于该载体以及该第一晶圆之间形成一粘着层， 对第一晶圆以及第二晶圆进行一前段制作工艺以及一后段制作工艺， 形成直接键结内连线(direct...
    2026-03-23
  • 一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法
    一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511208524.4
    本发明属于半导体制造技术领域， 公开一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法， 该方法首先在衬底上构建硬掩模层， 所述硬掩模层中具有开口， 所述衬底的部分上表面从所述开口中露出；然后通过预先构建的倒圆角模型以及刻蚀模型对裸漏在外的衬底进行...
    2026-03-23
  • 一种微型芯片夹具
    一种微型芯片夹具_众望金石(天津)自动化科技有限公司_202511231866.8
    本申请涉及一种微型芯片夹具， 涉及芯片夹持技术领域， 其包括夹具座、导向杆、夹持块和顶紧螺栓；夹具座上设有两个并排设置的导向杆， 导向杆平行于第一方向， 夹持块两端均固定连接有一滑块， 滑块套设于导向杆且沿第一方向滑动， 相邻两个夹持块之间...
    2026-03-23
  • 晶圆载台和晶圆移载装置
    晶圆载台和晶圆移载装置_苏州矽行半导体技术有限公司_202511185031.3
    本发明提供了一种晶圆载台和晶圆移载装置， 属于半导体驱动技术， 晶圆载台包括载台座、支撑模组、升降调平模组、旋转驱动模组、重力平衡模组和晶圆载盘；支撑模组通过升降调平模组和重力平衡模组设置在载台座上， 旋转驱动模组设置在支撑模组的中部并带动...
    2026-03-23
  • 一种晶粒顶出组件及检测封装设备
    一种晶粒顶出组件及检测封装设备_江苏芯旺电子科技有限公司_202510577712.8
    本发明公开了一种晶粒顶出组件及检测封装设备， 涉及半导体制造技术领域， 其技术要点包括工作台及固定安装在工作台上的带摄影功能的机械手臂， 工作台顶部的左端设置有晶粒顶出结构， 晶粒顶出结构包括固定安装在工作台顶部左端的晶粒顶出底座， 晶粒顶...
    2026-03-23
  • 晶圆承载装置和半导体工艺腔室
    晶圆承载装置和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410371206.9
    本发明公开一种晶圆承载装置和半导体工艺腔室， 所公开的晶圆承载装置包括基座、支撑件和驱动机构， 其中， 所述基座包括基座本体， 所述基座本体具有用于加热晶圆的加热面， 所述支撑件设于所述基座本体， 且可在以所述加热面的中心轴线为圆心的圆形轨...
    2026-03-23
  • 半导体元件的安装装置
    半导体元件的安装装置_东莞新科技术研究开发有限公司_202410363729.9
    本发明公开了一种半导体元件的安装装置， 其用于将半导体元件连接到保持夹具， 其包括工作台、摄像装置、相机固定装置和反射装置， 相机固定装置连接在工作台， 摄像装置安装在相机固定装置， 且摄像装置位于工作台和保持夹具的上方， 反射装置包括反射...
    2026-03-23
  • 基片处理装置、处理方法及缓冲模块
    基片处理装置、处理方法及缓冲模块_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410362270.0
    本发明公开了一种基片处理装置、处理方法及缓冲模块， 涉及半导体设备技术领域， 一种基片处理装置， 包括干燥模块和承载件， 所述干燥模块包括干燥腔；所述承载件与所述干燥腔可分离设置， 所述承载件包括承载部和阻挡部， 所述承载部用于承载基片， ...
    2026-03-23
  • 一种晶圆载盘和晶圆移载装置
    一种晶圆载盘和晶圆移载装置_苏州矽行半导体技术有限公司_202511185028.1
    本发明提供了一种晶圆载盘和晶圆移载装置， 属于半导体高端装备领域， 晶圆载盘包括主盘体和外延吸耳；通过本申请的晶圆载盘， 在保证晶圆吸附稳定的情况下， 可以减少晶圆的吸附面积， 降低载盘的制造成本， 其次能够实现针对不同规格的晶圆无需更换主...
    2026-03-23
  • 过滤式真空吸盘
    过滤式真空吸盘_晟盈半导体设备(江苏)有限公司_202510891391.9
    本发明公开了过滤式真空吸盘， 其包括形成有负压通道和常压通道的吸盘本体、真空部件以及过滤部件， 其中真空部件与负压通道相连通并能够在吸盘本体的吸附端面形成闭合的吸附区域， 常压通道连通吸附区域和大气， 且过滤部件拦截设置在常压通道中并能够拦...
    2026-03-23
  • E吸盘与铝基构造的结合结构
    E吸盘与铝基构造的结合结构_应用材料公司_202510891131.1
    本公开是将静电吸盘结合到温度控制基部的方法。根据实施方式， 在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口， 开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中...
    2026-03-23
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