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最新专利技术
  • 一种连续式非金属化学镀装置
    一种连续式非金属化学镀装置_东台瀚森智能科技有限公司_202511047049.7
    本发明属于化学镀技术领域， 公开了一种连续式非金属化学镀装置， 包括支撑架及上端固定的支撑平台， 支撑平台内嵌有化学镀槽， 所述支撑架底部设置有电动推杆， 电动推杆上端与化学镀槽底部固定， 所述化学镀槽内部设置密封隔板， 所述化学镀槽上端设...
    2026-02-09
  • 一种多腔室沉积系统
    一种多腔室沉积系统_中材人工晶体研究院(山东)有限公司_202510826178.X
    本发明实施例提供了一种多腔室沉积系统， 涉及化学气相沉积技术领域， 所述系统包括：准备室、沉积室、卸料室、传送设备、真空设备和控制设备， 准备室与沉积室以及沉积室与卸料室之间的连通性分别由第一、二隔离门控制；控制设备在基板被放置在准备室后控...
    2026-02-09
  • 基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法
    基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法_武汉大学_202510816149.5
    本申请提供了一种基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法， 属于半导体领域。基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜的制备方法包括：采用MPCVD工艺， 往生长腔内通入镓源、氧源、掺杂源及生长气体， 外延得到掺杂氧化镓薄膜。通过采用MPCV...
    2026-02-09
  • 一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法
    一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511302864.3
    本发明提出了基于PECVD生长WS2薄膜的方法， 属于薄膜生长技术领域。本发明通过使用离化的硫源和混合保护气Ar， 以及多孔WO3或WF6作为前驱体， 实现WS2薄膜的高效生长。本发明方法步骤包括：前驱体准备；气体引入：等离子体激发；薄膜生...
    2026-02-09
  • 一种多工位薄膜沉积工艺均匀性的提升方法及系统
    一种多工位薄膜沉积工艺均匀性的提升方法及系统_安徽邦皓半导体科技有限公司_202510701119.X
    本发明公开了一种多工位薄膜沉积工艺均匀性的提升方法及系统， 涉及半导体芯片制造技术领域；其方法包括包括：根据各工位的沉膜厚度差异性， 获取每个调节支路的Ki值；将每个调节支路的Ki值添加至PECVD设备RECIPE参数中；获取陶瓷电容阵列的...
    2026-02-09
  • 加热器及其制备方法、半导体工艺设备
    加热器及其制备方法、半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510914388.4
    本公开提供一种加热器及其制备方法、半导体工艺设备， 属于半导体技术领域， 其可解决现有的加热器杂质阻隔性差、结构稳定性差以及维护成本高的问题。本公开的加热器包括：主体部， 具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；一个以上的支撑部， 设...
    2026-02-09
  • 一种石墨过渡件
    一种石墨过渡件_深圳市重投天科半导体有限公司_202511243728.1
    本发明提供了一种石墨过渡件。通过进气过渡件衔接石英方管， 并在进气过渡件设置用于使石英方管分流后的气源进行二次分流和使进入生长腔室气源的流速均匀的气流匀速梯， 以及通过出气过渡件衔接生长腔室。
    2026-02-09
  • 分气装置及半导体薄膜沉积设备
    分气装置及半导体薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511158478.1
    本发明公开了一种分气装置及半导体薄膜沉积设备， 该分气装置包括：分气块、进气挡板、连接件和多个导气板， 分气块沿其轴向开设有贯穿其自身的进气通道， 连接件和多个导气板均设于进气通道中， 连接件沿进气通道的轴向设置， 多个导气板围绕连接件的圆...
    2026-02-09
  • 一种用于CVD的供气系统及控制方法
    一种用于CVD的供气系统及控制方法_湖南联合半导体科技有限公司_202511293199.6
    本发明公开了一种用于CVD的供气系统及控制方法， 供气系统包括储料罐和鼓泡罐， 储料罐和鼓泡罐通过进液管道连通， 鼓泡罐还设置有载气管道和出气管道， 载气管道的出口位于鼓泡罐的液面之下， 出气管道的入口位于鼓泡罐的液面之上；还包括有补料罐，...
    2026-02-09
  • 化学气相沉积保护涂层的金属源供给方法
    化学气相沉积保护涂层的金属源供给方法_山东中晶芯源半导体科技有限公司_202511191854.7
    本申请提供一种化学气相沉积保护涂层的金属源供给方法， 通过将金属颗粒分层放置于沉积反应室中的反应器内；向所述反应器内通入含卤素气体及惰性驱动气体， 以通过含卤素气体与金属颗粒直接反应生成金属卤化物气体；控制所述反应器内温度在金属卤化物气化温...
    2026-02-09
  • 一种便于冷却的化学气相沉积设备
    一种便于冷却的化学气相沉积设备_峰郅科技(上海)有限公司_202511310348.5
    本发明公开了一种便于冷却的化学气相沉积设备， 本发明涉及化学气相沉积设备技术领域。材料的温度较高时无法进行快速冷却， 导致材料的温度较高， 导致表面的致密膜层沉积效果降低， 通过搅轮与导孔环配合， 使弧形搅叶与导水环的通孔在导入冷却液体的过...
    2026-02-09
  • 一种抽气环及薄膜沉积设备
    一种抽气环及薄膜沉积设备_拓荆科技股份有限公司_202511250533.X
    本发明提供了一种抽气环及薄膜沉积设备。所述抽气环设于工艺腔室的侧壁， 其外侧环绕有抽气通道， 其中， 所述抽气环上分布有多个抽气孔， 所述抽气通道的至少一处设有连通抽气泵的抽气口， 用于经由所述多个抽气孔从所述工艺腔室内部抽气。至少一个所述...
    2026-02-09
  • 一种抽气环及薄膜沉积设备
    一种抽气环及薄膜沉积设备_拓荆科技股份有限公司_202511250530.6
    本发明提供了一种抽气环及薄膜沉积设备。抽气环设于工艺腔室的侧壁， 其外侧环绕有抽气通道。抽气环上分布有多个抽气孔， 抽气通道的至少一处设有连通抽气泵的抽气口， 用于经由多个抽气孔从工艺腔室内部抽气。位于抽气环第一位置的第一抽气孔到其最近抽气...
    2026-02-09
  • 进气挡板结构， 半导体工艺的处理方法和设备
    进气挡板结构， 半导体工艺的处理方法和设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511037420.1
    本发明公开了一种进气挡板结构、半导体工艺的处理方法和设备。该进气挡板结构包括：挡板本体， 位于反应腔的进气区域；以及驱动器， 由记忆合金制成， 所述驱动器连接所述挡板本体， 用于根据所述反应腔内的进气模式的温度反馈， 主动伸缩调节所述挡板本...
    2026-02-09
  • 一种沉积腔室的清洁方法和清洁系统
    一种沉积腔室的清洁方法和清洁系统_拓荆科技(上海)有限公司_202510979335.0
    本发明公开了一种沉积腔室的清洁方法和清洁系统。该清洁方法包括以下步骤：从腔室顶部通入解离的NF3， 以至少对腔室中的上半区域的钨残留物进行一次清洁；停止通入解离的NF3， 从腔室顶部通入解离的O2， 以至少对上半区域的碳残留物进行一次清洁；...
    2026-02-09
  • 一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法
    一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法_福建晶旭半导体科技有限公司_202511072544.3
    本申请公开了一种用于氧化物外延的石墨盘表面涂层保护方法， 涉及半导体技术领域， 包括如下步骤：步骤1、将石墨盘置于高温烘烤， 获得高温处理石墨盘；步骤2、将高温处理石墨盘置入外延反应腔中待用；步骤3、在高温处理石墨盘的表面施加抗高温氧化反应...
    2026-02-09
  • 一种磷/硅复合负极材料的制备方法
    一种磷/硅复合负极材料的制备方法_泰苓科技(湖州)有限公司_202510911101.2
    一种磷/硅复合负极材料的制备方法， 属于锂电池负极材料技术领域。所述方法为：在CVD沉积炉中， 放入多孔炭， 先抽真空， 升温至180~230℃， 并恒定50~70 min；升温至600‑800℃， 通SiH4硅烷气体， 进行裂解沉积， 沉...
    2026-02-09
  • 一种粗糙元构成的粗糙壁面掺硼金刚石电极及其制备方法和应用
    一种粗糙元构成的粗糙壁面掺硼金刚石电极及其制备方法和应用_江西科技师范大学_202510988469.9
    本发明涉及生物、环境和材料制备技术领域， 特别是涉及一种粗糙元构成的粗糙壁面掺硼金刚石电极及其制备方法和应用。本发明提供的粗糙壁面掺硼金刚石电极表面由分散均匀且分布密度可调节的粗糙元单元构成， 该粗糙元赋予掺硼金刚石膜电极表面更大的表面起伏...
    2026-02-09
  • 一种半导体设备及其控制方法
    一种半导体设备及其控制方法_拓荆科技(上海)有限公司_202511023349.1
    本发明公开了一种半导体设备及其控制方法， 半导体设备包括反应腔室、传输腔室及连接二者的阀门组件， 阀门组件包括阀盒、第一阀板、第二阀板、第一驱动器以及第二驱动器， 阀盒的一端连接反应腔室， 另一端连接传输腔室， 第一阀板和第二阀板设置在阀盒...
    2026-02-09
  • 一种电容器用薄膜金属镀覆设备
    一种电容器用薄膜金属镀覆设备_昆山泓创新能源科技有限公司_202510817575.0
    本发明公开了一种电容器用薄膜金属镀覆设备， 涉及真空镀覆技术领域， 所述薄膜金属镀覆设备包括底座、卷绕装置、驱动装置、真空装置和镀覆装置， 所述驱动装置和镀覆装置相对设置在底座的上方两端， 相比于目前的薄膜金属镀覆设备， 本发明能够在不停机...
    2026-02-09
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