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最新专利技术
  • 具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元
    具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元_意法半导体国际公司_202510526165.0
    本公开涉及具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元。一种用于基于浮动栅极晶体管实现非易失性存储器单元的成本有效的技术方案，该浮动栅极晶体管包括覆盖半导体衬底的有源区和场区的浮动栅极：单个多晶硅浮动栅极NVM位单元。使用常存在...
    2025-11-23
  • NORD型闪存存储器的制造方法
    NORD型闪存存储器的制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511188232.9
    本发明提供一种NORD型闪存存储器的制造方法，该方法包括：形成控制栅结构和浮置栅结构；沉积并平坦化字线导电层；对所述字线导电层执行回刻处理，使其顶面高度低于所述控制栅结构的顶面高度；利用该高度差，在形成介质侧墙时使所述控制栅结构的顶表面保持...
    2025-11-23
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510969573.3
    本申请提供一种半导体器件的制备方法，本申请首先在第一子沟槽和第二子沟槽中形成第一介质层，然后回刻蚀部分第一介质层，可以对第二子沟槽侧壁附近的空间进行填补和修饰，使得第二子沟槽的横向开口尺寸小于或者等于第一子沟槽的横向开口尺寸，从而消除沟槽中...
    2025-11-23
  • 存储器及其形成方法
    存储器及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511090249.0
    一种存储器包含基板和位于基板上方的电容器结构。电容器结构包含底部电极、位于底部电极上方的介电结构捍卫于介电结构上方的顶部电极。介电结构包含由氧化铝工艺的底部阻挡层、由氧化铝工艺且位于底部阻挡层上方的顶部阻挡层，以及由多个介电层和至少一插入层...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511083368.3
    半导体结构包括基板和字元线结构。基板具有沟槽。字线结构位于基板中。字元线结构包括第一间隔物、字元线导电层、阻挡层和第二间隔物。第一间隔物设置在沟槽的侧壁。字元线导电层填充在沟槽的底部。阻挡层设置在第一间隔物和字元线导电层之间。第二间隔物设置...
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511072572.5
    本发明提供了一种半导体器件，其位于半导体衬底上的层间介质层包括多条第一线条、多条第二线条以及不对称锯齿状边缘，所述第一线条与第二线条垂直相交且部分重叠，通过该层间截止层来限定和隔离接触插塞的形成位置，可以使得不对称锯齿状边缘以内的接触插塞均...
    2025-11-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510474156.1
    一种半导体装置包括：基底和外围电路区域；以及单元阵列区域，在距基底的与外围电路区域距基底的距离不同的距离处，并且通过接合垫电连接到外围电路区域，其中，单元阵列区域包括：模制结构，在第一水平方向上延伸；有源半导体层，在模制结构的侧壁上，并且包...
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510069513.6
    提供了一种半导体器件，包括：衬底上在源极区域和漏极区域之间的栅极沟槽；第一栅极绝缘层，覆盖栅极沟槽的下表面和侧壁；栅极沟槽中与第一栅极绝缘层的侧壁的上部区域接触的第二绝缘层；以及栅极沟槽中的栅电极，栅电极包括栅极沟槽的下部区域中与第一栅极绝...
    2025-11-23
  • 三维存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备
    三维存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410588238.4
    本申请实施例提供一种三维存储阵列及其制备方法、存储器及电子设备，该三维存储器包括：衬底、多个存储层、隔离层和多条位线，其中，存储层和隔离层沿着与衬底垂直的方向交替堆叠，每个存储层包括多个存储单元和多条字线，多个存储单元呈阵列排布，多条字线均...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410585699.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在增大半导体结构中的气隙结构沿第一方向的尺寸，保证气隙结构对相邻的两个导电结构之间的寄生电容的电容值的降低效果，使得相邻的两个导电结构之间的寄生电容的...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410568978.1
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备，制作方法包括：提供衬底，在衬底上交替形成绝缘层和牺牲层；形成电容孔，基于电容孔横向刻蚀牺牲层形成第一横向孔；于第一横向孔中形成第一电极；于电容孔中形成覆盖第一电极的介电层和第二电极以形成电容器...
    2025-11-23
  • 一种基于深度学习的贴片机元件位置自校正系统及方法
    一种基于深度学习的贴片机元件位置自校正系统及方法_安徽中科汉将智能装备有限公司_202511147132.1
    本发明属于电子制造技术领域，具体公开了一种基于深度学习的贴片机元件位置自校正系统及方法。系统包括数据采集模块、数据处理与深度学习模块、控制与校正模块。方法通过数据采集模块同步获取图像、压力及位移数据，经预处理后输入训练好的卷积神经网络模型，...
    2025-11-23
  • 服务器电路板的插件工位装置及插件方法
    服务器电路板的插件工位装置及插件方法_苏州元脑智能科技有限公司_202511470427.2
    本申请公开了一种服务器电路板的插件工位装置及插件方法，该装置包括内箱、外箱和抽气组件，内箱沿着自身厚度方向的一侧设置有多个第一抽气孔，外箱在内箱设置第一抽气孔的同侧周向设置有多个第二抽气孔，且第二抽气孔设置在第一抽气孔的外围；抽气组件被构造...
    2025-11-23
  • 一种基于多源数据的SMT贴片优化控制方法及系统
    一种基于多源数据的SMT贴片优化控制方法及系统_海霖一造集成电路(廊坊)有限公司_202511000818.8
    本发明涉及贴装控制技术领域，公开了一种基于多源数据的SMT贴片优化控制方法及系统，该方法包括：采集当前贴片信息，与优化判定参数进行比对，判断是否进行贴片优化控制。当判定进行优化时，采集历史SMT贴片图像数据，获得缺陷特征向量。构建电气属性向...
    2025-11-23
  • 一种双转塔式散料贴片设备
    一种双转塔式散料贴片设备_深圳市标谱半导体股份有限公司_202510938091.1
    本申请涉及一种双转塔式散料贴片设备，其包括：底板，底板上设置有机座；贴装工作台，两个贴片结构，两个贴片结构对称设置于贴装工作台两侧，贴片结构包括：上料装置、预定位装置、电性测试装置、方向旋转装置、精定位装置、坐标视觉装置、第一下压装置，其均...
    2025-11-23
  • 一种半导体贴装焊接一体设备
    一种半导体贴装焊接一体设备_无锡高源奕舜金属制品有限公司_202510928091.3
    本发明公开了一种半导体贴装焊接一体设备，属于半导体制造技术领域，其包括：底座，所述底座的顶部设置有三向驱动机构，所述三向驱动机构的底端连接有抓取机构，所述抓取机构的一侧设置焊接机构；所述抓取机构包括安装板和连接板，所述安装板的内部固定安装有...
    2025-11-23
  • 部件搭载装置以及具备该部件搭载装置的部件搭载系统
    部件搭载装置以及具备该部件搭载装置的部件搭载系统_松下知识产权经营株式会社_202510529385.9
    提供能够应对来自外部的部件供给的部件搭载装置以及具备该部件搭载装置的部件搭载系统。部件搭载装置具备：部件供给部，其供给用于向载置于第一载台的基板搭载的第一部件；第一拾取头，其用于从部件供给部取出第一部件；第二载台，其对被第一拾取头取出的第一...
    2025-11-23
  • 用于贴片工艺的霍尔插件器件方向自动校正剪脚供料机及其操作方法
    用于贴片工艺的霍尔插件器件方向自动校正剪脚供料机及其操作方法_宁波麦博韦尔移动电话有限公司_202510981227.7
    本发明公开了一种用于贴片工艺的霍尔插件器件方向自动校正剪脚供料机及其操作方法，包括机柜，在所述机柜上设置有振动盘模块，所述振动盘模块的后面设置有第一直列振动送料模块，所述第一直列振动送料模块的后面依次设置有第一拍照站、第一翻转模块、第二拍照...
    2025-11-23
  • 贴片机及贴片方法
    贴片机及贴片方法_苏州元脑智能科技有限公司_202511472202.0
    本申请公开了一种贴片机及贴片方法，涉及服务器技术领域，贴片机包括：第一转运装置，用于将板卡转运至第一预设位置处；承载装置，包括多个承载组件，至少一个承载组件包括第一驱动装置和承载结构，承载结构用于承载板卡，第一驱动装置与承载结构驱动连接，以...
    2025-11-23
  • 一种双层圆柱型屏蔽系统及优化方法
    一种双层圆柱型屏蔽系统及优化方法_华北电力大学_202511190418.8
    本申请公开了一种双层圆柱型屏蔽系统及优化方法，涉及静磁屏蔽技术领域。所述双层圆柱型屏蔽系统呈圆柱型的包覆在屏蔽对象外侧，所述双层圆柱型屏蔽系统从内到外依次包括：第一屏蔽层、间隙层和第二屏蔽层。本申请设置了双层屏蔽结构，通过逐层屏蔽残余磁通量...
    2025-11-23
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