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  • 本发明公开了一种气化生物质碱金属沉积装置和沉积方法,气化生物质碱金属沉积装置包括:炉体,炉体的上端设有出气口和第一通孔,炉体的下端设有进气口和第二通孔;多个加热保温层,加热保温层套设在炉体的外侧,多个加热保温层上下依次布置,加热保温层内设有...
  • 本发明涉及热解氮化硼坩埚技术领域,具体为一种耐铝液浸润腐蚀的热解氮化硼坩埚及其制备方法,适用于分子束外延镀铝坩埚。热解氮化硼坩埚由热解氮化硼坩埚本体及涂敷在其表面的耐铝液浸润腐蚀涂层组成,氮化铝涂层能有效隔离保护热解氮化硼于铝液,可以大幅避...
  • 本发明涉及半导体材料制备的技术领域,提供了一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品。该方法包括以下步骤:a)基材表面预处理形成沟槽,b)通入碳源气体、在金属盐催化剂的作用下进行第一化学气相沉积生长成碳纳米颗粒,对步骤a)预处理后...
  • 本申请涉及一种调控界面摩擦力或剪切阻力的方法。该方法包括:在基底材料的接触面形成改性材料层,以降低所述基底材料的界面摩擦力或剪切阻力;所述改性材料层为通过和频振动光谱(SFG)测定的3350~3450cm‑1处的振幅/峰的半高全宽值与315...
  • 本发明涉及石墨烯制备领域,具体为一种无褶皱均匀单层石墨烯薄膜的化学气相沉积制备方法。采用具有较好催化能力的金属基底,第一步在平坦的金属基底表面引入纳米粒子;第二步进行石墨烯的生长,形成“石墨烯‑纳米粒子‑金属基底”结构,利用纳米粒子减弱石墨...
  • 本发明提供一种蒸发镀膜机工作用辅助吸附装置,属于蒸发镀膜机技术领域,包括箱体,所述箱体的内底部设置有伺服电机,所述箱体的内顶部转动安装有连接轴,所述箱体的内部设置有清屑组件,且清屑组件包括除屑机构、启闭机构和传动机构,所述箱体的内底部由内至...
  • 本申请涉及一种水汽控制方法、水汽发生装置、水汽控制装置和PVD沉积设备。所述方法应用于水汽发生装置的控制器,水汽发生装置包括第一管道、第二管道、储水模块,储水模块设置有进气口和出气口,载气流经第一管道通过进气口流入储水模块,并通过出气口流出...
  • 本发明属于镀膜设备技术领域,尤其是一种半导体镀膜设备,现提出以下方案,包括箱体,所述箱体一侧外壁转动连接有盖板,所述箱体内壁两端均固定连接有固定板,所述固定板两端之间设置有升降板,所述升降板和固定板之间设置有高度调节机构,所述升降板顶部设置...
  • 本发明涉及真空镀膜领域,公开了一种镀金属半导体膜用观察窗及观察方法,该镀金属半导体膜用观察窗,包括观察窗框架,所述观察窗框架的一侧安装有观察窗压盖,所述观察窗框架的内部安装有观察窗玻璃,所述观察窗框架的一侧固定连接有安装框,所述安装框的内部...
  • 本申请公开了一种压针驱动装置及衬底固定装置,应用于半导体制造设备领域。衬底固定装置包括压针驱动装置和压针。压针驱动装置包括第一温变弹簧、第二温变弹簧和转子。当温度处于低温区间时,第一温变弹簧的形变量大于第二温变弹簧的形变量,使得转子带动压针...
  • 根据本发明各种实施方案涉及一种基板载体段(150),包括:载体框架(102);用于保持基板的基板保持机构(106),至少部分地集成到载体框架(102)中或安装于载体框架(102)上;用于安装基板载体段的安装机构(104),邻接载体框架(10...
  • 本发明涉及氢防护技术领域,尤其涉及一种阻氢耐磨涂层及其制备方法和应用。本发明提供了一种阻氢耐磨涂层,由下到上,包括依次层叠设置的Zr金属结合层、周期纳米多层和氮化铬封顶层;所述周期纳米多层包括在所述Zr金属结合层的表面依次交替层叠设置的Cr...
  • 本发明提供一种新型镍基复合纳米晶涂层及其制备方法,复合纳米晶涂层包括Cr过渡层和镍基涂层,且所述Cr过渡层和所述镍基涂层均通过磁控溅射的方式制备;Cr过渡层和沉积于所述Cr过渡层表面的所述镍基涂层构成一个沉积周期,且基体的表面依次叠置有多个...
  • 本申请公开了一种钽膜制备方法、系统、芯片及设备,涉及芯片技术领域。所述方法包括:将钽靶材和衬底与直流源的两极相连;在处于室温的真空环境下,将直流源的功率调整至第一功率范围之内,以使得第一气体产生辉光放电现象,第一气体因辉光放电现象产生的等离...
  • 本发明涉及溅射镀膜技术领域,提出了一种铜镍电阻抗氧化层溅射镀膜压力稳定方法及系统,包括:在抗氧化层溅射镀膜过程中采集真空度和温度;预设的真空度标准范围,确定采集时刻的真空度特征值、异常变化趋势差异、调整必要性,根据调整必要性确定调整采集时刻...
  • 本发明涉及真空镀膜领域,公开了一种用于多弧离子镀的脉冲电源,包括直流电源、直流电源配合功率开关器件和小功率脉冲电源,多个所述小功率脉冲电源并联组成模块化多弧离子镀脉冲等离子电源,所述小功率脉冲电源采用直流电源配合功率开关器件斩波实现或者直接...
  • 本发明公开了电容器金属化薄膜多源协同蒸镀方法及其金属化薄膜,包括以下步骤:S1、多源蒸发,采用多个蒸发源,各蒸发源通过独立的加热控制系统进行温度调控,使不同金属材料在各自的最佳蒸发温度下稳定蒸发;S2、协同控制,在蒸镀腔室内设置多个高精度的...
  • 本发明公开了一种可实现Cu原位回流及再沉积的PVD设备及其控制方法,PVD设备包括第一中转腔和第二中转腔,第一中转腔的两侧分别依次布置集成腔、预清洗腔、再处理工艺腔和原位回流复合处理腔,第二中转腔的四周设置有若干工艺腔;所述集成腔中设置有第...
  • 本发明适用于金属点阵列技术领域,提供了基于嵌套结构的薄壁锥形银纳米阵列及其制备方法、应用,包括以下步骤:铝片的预处理;纳米压印并进行阳极氧化;嵌套阳极氧化铝结构磷酸溶液刻蚀;嵌套阳极氧化铝模板制备;贵金属点阵列的制备。本发明为克服目前贵金属...
  • 本发明公开了一种耐高温液态铅铋腐蚀及冲刷的高熵合金涂层及其制备方法和应用,涉及涂层制备技术领域,高熵合金涂层为FeCrAlNb高熵合金涂层,涂层中各元素含量的总和为100at.%。利用单靶射频磁控溅射开展涂层的制备,设置其自转速度为10r/...
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