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最新专利技术
  • 半导体装置的直接液体冷却
    半导体装置的直接液体冷却_力特保险丝公司_202510625211.2
    一种用于对半导体装置进行直接液体冷却的系统和相关联的方法。该系统包括定位在芯片衬底上的至少一个半导体装置以及设置在芯片衬底内并包含冷却液的至少一个冷板。冷板定位成紧邻半导体装置，并且被配置成在半导体装置的操作期间使用冷却液从半导体装置至少部...
    2025-12-18
  • 功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法
    功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510624704.4
    功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法。一种堆叠(1)包括：第一芯片(11)中的第一功率半导体器件(110)，其中所述第一功率半导体器件(110)被配置用于有源操作，在所述有源操作期间，应用负载电流由第一功率半导体器件(...
    2025-12-18
  • 一种芯片组散热装置
    一种芯片组散热装置_原粒(北京)半导体技术有限公司_202510102392.0
    本发明实施例提供了一种芯片组散热装置，所述芯片组散热装置包括：封装外壳、封装基板、一个或多个芯片组，所述芯片组位于所述封装基板上，且所述芯片组在所述封装外壳与所述封装基板构成的空间内，每个芯片组包括一个或多个堆叠的芯粒，每个芯粒中心位置设置...
    2025-12-18
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410622405.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括第一器件层，第一器件层包括第一晶圆层、第一重布线层以及第一导热壁。其中，第一晶圆层在第一方向上相对设置有第一表面和第二表面，第一方向垂直于第...
    2025-12-18
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410613161.1
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体器件包括半导体结构、多个导热体、导热壁和导热液体。多个导热体设置在半导体结构的至少部分表面上，导热壁设置在多个导热体远离半导体结构的一侧，导热液体位于多个导热...
    2025-12-18
  • 具有集成二极管温度传感器的晶体管功率器件
    具有集成二极管温度传感器的晶体管功率器件_意法半导体国际公司_202510620150.0
    本公开的各实施例涉及具有集成二极管温度传感器的晶体管功率器件。一种晶体管功率器件包括：衬底，具有与后表面相对的前表面；至少第一沟槽，在衬底内延伸，栅极区在第一沟槽的表面部分中；至少第二沟槽，在衬底内延伸，第一导电区在第二沟槽的表面部分。第一...
    2025-12-18
  • 芯片封装结构和集成半导体器件
    芯片封装结构和集成半导体器件_硅谷数模(苏州)半导体股份有限公司_202511143888.9
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种芯片封装结构和集成半导体器件，其中，芯片封装结构包括：芯片主体；载板，芯片主体位于载板的表面；封装层，至少设置于芯片主体背离载板的一侧且覆盖芯片主体，封装层包括相对的第一表面和第二表面，以及连接第一表面和...
    2025-12-18
  • 一种基于低熔点金属和泡沫银的SIC MOSFET的双面散热弹性压接封装结构
    一种基于低熔点金属和泡沫银的SIC MOSFET的双面散热弹性压接封装结构_西安交通大学_202511132530.6
    本发明涉及电力半导体封装技术领域，具体为一种基于低熔点金属和泡沫银的SIC MOSFET的双面散热弹性压接封装结构，包括正向相对设置的漏极铜电极和源极铜电极，漏极铜电极上设置有SiC MOSFET芯片和栅极DBC基板，SiC MOSFET芯...
    2025-12-18
  • 芯片的封装结构、散热结构及其封装方法
    芯片的封装结构、散热结构及其封装方法_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511078719.1
    本发明的实施例提供了一种芯片的封装结构、散热结构及其封装方法，属于芯片封装的技术领域。该封装结构包括：芯片单元，包括封装体，其内部封装至少两个芯片，其外部设置第一焊接部；供电单元，用于为芯片单元内部封装的芯片供电，其通过第一焊接部与芯片单元...
    2025-12-18
  • 具有压力均布和热能释放功能的芯片熔融焊接封装结构
    具有压力均布和热能释放功能的芯片熔融焊接封装结构_苏州汉牛芯科技有限公司_202510929600.4
    本发明公开了具有压力均布和热能释放功能的芯片熔融焊接封装结构，涉及芯片熔融焊接封装技术领域，具体包括基板和芯片，基板焊盘上设置有多组金线，且金线另一端通过键合机上送丝机构与芯片焊盘位置相固定；本发明是在芯片背部设置蜂窝凹槽层，并在基板顶部预...
    2025-12-18
  • 射频半导体器件和制造射频半导体器件的方法
    射频半导体器件和制造射频半导体器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510616531.1
    本公开涉及射频半导体器件和制造射频半导体器件的方法。一种射频(RF)半导体器件和制造该RF半导体器件的方法。该RF半导体器件包括半导体管芯，该半导体管芯包括第一表面和垂直于第一表面的侧壁。模制化合物包封半导体管芯的侧壁，其中模制化合物在与半...
    2025-12-18
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510613980.0
    一种半导体封装件包括：半导体芯片，位于基板上；第一间隔物和第二间隔物，在所述半导体芯片上沿第一水平方向延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；以及包封物，至少部分地覆盖所述基板、所述半导体芯片、所述第一间隔物和所述第二间隔物。所述包封物的上部部...
    2025-12-18
  • 半导体封装及其形成方法
    半导体封装及其形成方法_爱思开海力士有限公司_202510415221.3
    本公开提供一种半导体封装及其形成方法。一种半导体封装包括基板内的贯通电极。布线结构设置在基板上并且包括芯片焊盘和保护绝缘层。突起图案设置在保护绝缘层上。正面接合绝缘层设置在布线结构上。突起图案设置在正面接合绝缘层内。正面接合焊盘设置在正面接...
    2025-12-18
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411119442.8
    实施方式提供具有低电阻的半导体装置。半导体装置包括半导体芯片、第1导电体和密封体。半导体芯片具有第1面及与第1面对置的第2面，具有在第1面露出的第1电极、在第2面露出的第2电极、在第2面露出并且与第2电极之间具有间隔的第3电极，在第1方向具...
    2025-12-18
  • 一种彩色耐化镀封装浆料及其制备方法和应用
    一种彩色耐化镀封装浆料及其制备方法和应用_乾宇微纳技术(深圳)有限公司_202511485167.6
    本发明公开了一种彩色耐化镀封装浆料及其制备方法和应用，属于电子封装技术领域，所述的彩色耐化镀封装浆料包括玻璃粉和有机载体；所述玻璃粉包括以下组分：氧化铋、氧化硅、氧化锌、添加剂、氧化锆、氧化钛、氧化铝、碳酸钙；所述有机载体包括树脂，所述树脂...
    2025-12-18
  • 功率半导体模块装置及其制造方法
    功率半导体模块装置及其制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202510623683.4
    公开了一种功率半导体模块装置及其制造方法。一种功率半导体模块装置，包括：外壳，外壳包括侧壁；衬底，衬底上布置有至少一个半导体主体，其中，衬底布置在外壳的底表面中，或者形成外壳的底表面；包封体，包封体部分地填充外壳并且完全覆盖衬底和布置在衬底...
    2025-12-18
  • 一种电路封装结构及其制备方法
    一种电路封装结构及其制备方法_江苏万邦微电子有限公司_202511479356.2
    本申请公开了一种电路封装结构及其制备方法，其包括基板，基板上设置有电子元件；盖板，设置在基板上，用于保护电子元件，盖板的面向基板的一面设置有第一凸起，第一凸起凸出于盖板表面并用于与基板的边缘区域相接触；金属箔，固定于基板的表层，设置在基板和...
    2025-12-18
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511011927.X
    本公开实施例提供了半导体结构，半导体结构包括：衬底，具有电路区域和围绕电路区域的密封环区域以及围绕密封环区域的切割道，其中，切割道包括第一切割区域和设置在第一切割区域的两侧上的第二切割区域；第一有源区域，形成在电路区域中；第一栅极堆叠件，形...
    2025-12-18
  • 多片产品切割方法、系统、切割控制装置及多片产品贴膜方法
    多片产品切割方法、系统、切割控制装置及多片产品贴膜方法_江苏京创先进电子科技有限公司_202511484052.5
    本发明揭示了一种多片产品切割方法、系统、切割控制装置及多片产品贴膜方法，其中多片产品切割方法包括如下步骤，控制切割台将待切割件固定在其上，所述待切割件包括底膜及并排且间隔贴附在所述底膜上的多片产品；通过图像识别确定待切割件中，相邻产品之间的...
    2025-12-18
  • 一种半导体结构的制备方法及堆叠结构
    一种半导体结构的制备方法及堆叠结构_湖北星辰技术有限公司_202511114704.6
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及堆叠结构，其中，所述制备方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，芯片区和切割区位于第一表面上；将芯片区远离衬底一侧的表面与载片键合；对衬底的第二表面执行第一...
    2025-12-18
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