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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_株式会社东芝_202411141792.4
    实施方式提供能够在减少振铃峰值的同时抑制部件空间的半导体器件。实施方式的半导体器件具备第一开关元件、第二开关元件以及电容器。第二开关元件与第一开关元件电连接。电容器具有第一端子、第二端子以及电容器部，该电容器部的一端电连接于第一端子，另一端...
    2025-11-28
  • 中介连接板、封装结构和电子设备
    中介连接板、封装结构和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511404441.2
    本公开涉及一种中介连接板、封装结构和电子设备。该中介连接板用于连接封装基板和芯片，中介连接板包括基体层、以及设于基体层上方的信号层和隔离层。中介连接板还包括屏蔽层，信号层和隔离层设于屏蔽层与基体层之间。该中介连接板在背离基体层的一侧设置了屏...
    2025-11-28
  • 针对具有暴露的管芯背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽
    针对具有暴露的管芯背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽_星科金朋私人有限公司_202511141395.1
    本发明涉及针对具有暴露的管芯背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽。一种半导体器件具有衬底和设置在衬底之上的半导体管芯。密封剂沉积在半导体管芯和衬底之上，其中半导体管芯的表面从密封剂中被暴露。在半导体管芯之上形成第一屏蔽层。在一些实施例中，第一屏蔽...
    2025-11-28
  • SPICE模型中局部失配偏移率的测试结构及方法
    SPICE模型中局部失配偏移率的测试结构及方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511510612.X
    本申请公开了一种SPICE模型中局部失配偏移率的测试结构及方法，测试结构包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管分别包括第一源端、第一漏端、栅端和衬底端四个测试端，其中，所述第一晶体管和第二晶体管还分别包括：第二源端和第二漏...
    2025-11-28
  • 测试元件组及其使用方法
    测试元件组及其使用方法_南亚科技股份有限公司_202411255174.2
    提供一种测试元件组位于晶圆的划道，包括第一探针焊垫、至少一第二探针焊垫、至少一第三探针焊垫、至少一上排接触区以及至少一下排接触区。当至少一上排接触区电性连接第一探针焊垫、至少一第二探针焊垫以及至少一第三探针焊垫，至少一下排接触区与第一探针焊...
    2025-11-28
  • 中介连接板、半导体器件及电子设备
    中介连接板、半导体器件及电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511404240.2
    本公开涉及一种中介连接板、半导体器件及电子设备，所述中介连接板包括基板层以及布线层，所述布线层形成于所述基板层，所述布线层包括多条信号线，至少部分所述信号线具有基础段和调整段，所述调整段的截面尺寸大于所述基础段的截面尺寸。通过上述技术方案，...
    2025-11-28
  • 半导体封装结构和半导体结构
    半导体封装结构和半导体结构_长沙瑶华半导体科技有限公司_202511067183.3
    本申请涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种半导体封装结构和半导体结构。该半导体封装结构，至少包括：依次堆叠的法兰层和陶瓷基板层；其中：所述法兰层和所述陶瓷基板层的接触界面形成第一金属化层；所述陶瓷基板层表面用于连接待封装芯片，所述待封装...
    2025-11-28
  • 应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构
    应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构_中国电子科技集团公司第五十四研究所_202511063369.1
    本发明属于射频前端技术领域，具体为应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构。该结构利用新颖的TGV技术，在层间cpwg下方嵌入空腔，同时插入高低阻抗线结构，以降低插入损耗，提高回波损耗。所述结构利用HFSS软件进行仿真和优化。仿真得到极优结...
    2025-11-28
  • 一种半导体模组、集成模块、控制器及车辆
    一种半导体模组、集成模块、控制器及车辆_比亚迪股份有限公司_202511006509.1
    本申请公开了一种半导体模组、集成模块、控制器和车辆，所述半导体模组包括至少两个半导体器件、控制信号输入部和控制信号输出部，所述半导体器件包括第一电极和第二电极；每个所述半导体器件的第一电极与所述控制信号输入部电连接，每个所述半导体器件的第二...
    2025-11-28
  • 一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法
    一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法_金兰功率半导体(无锡)有限公司_202511160525.6
    本发明提供一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法，平板型模块结构包括：IMS框架，IMS框架为顶部敞开的框体结构，IMS框架内形成有安装腔；芯片，芯片设置于安装腔内；铜排，铜排设置于安装腔内并与芯片层叠设置；功率端子，功率端子设置...
    2025-11-28
  • 功率模块以及电子设备
    功率模块以及电子设备_苏州悉智科技有限公司_202510954186.2
    本发明提供了一种功率模块以及电子设备，该功率模块包括基板、若干个端子、封装体以及若干个窗结构。其中，至少一个端子为第一端子结构，第一端子结构与基板电性连接，第一端子结构包括第一区和第二区，第一区在基板所在平面的投影位于基板表面，第二区在基板...
    2025-11-28
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510637908.1
    电子装置及制造电子装置的方法。一种电子装置包含衬底，所述衬底包括包含触点第一横向侧和触点第二横向侧的触点。触点第一外部端子从所述触点第一横向侧向外延伸。触点第二外部端子从所述触点第一横向侧向外延伸并通过间隙与所述触点第一外部端子分离。电子组...
    2025-11-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510581541.6
    本发明得到能抑制组装性的恶化、且能实现小型化的半导体装置。半导体装置包括基座构件(1a)、第一半导体元件(2)和第二半导体元件(3)。第二半导体元件的平面尺寸比第一半导体元件小。第一半导体元件和第二半导体元件在第一方向(DR1)上排列。在基...
    2025-11-28
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411163657.X
    实施方式提供能够抑制开关时的噪声的半导体装置。在实施方式的半导体装置中，第一引线框上的第一晶体管的第一端连接于第一引线框，第二引线框上的第二晶体管的第一端连接于第三引线框，第三引线框上的第三晶体管的第一端以及第二端分别连接于第三引线框以及第...
    2025-11-28
  • 一种高可靠性和高出流能力的功率模块
    一种高可靠性和高出流能力的功率模块_臻驱科技(上海)股份有限公司_202511280925.0
    本发明提供了一种高可靠性和高出流能力的功率模块。功率模块包括至少一个功率单元，所述功率单元沿第一方向依次层叠设置散热器、覆铜陶瓷基板、硅基芯片和连接层；基板与芯片电连接并与散热器热传导，芯片通过基板与散热器热传导；连接层与芯片电连接，具有导...
    2025-11-28
  • 光子芯片、光模块、电子设备和光子芯片测试方法
    光子芯片、光模块、电子设备和光子芯片测试方法_北京字跳网络技术有限公司_202511135096.7
    本公开实施例提供了一种光子芯片、光模块、电子设备和光子芯片测试方法，属于芯片技术领域。其中，光子芯片包括芯片本体，所述芯片本体的电连接面设置有多个植球焊盘和多个测试焊盘，每个所述植球焊盘通过所述芯片本体中的金属走线与至少一个所述测试焊盘电连...
    2025-11-28
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510219048.X
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。上述半导体结构包括衬底、介电衬层、衬底穿孔、阻挡层、锗化铜层与铜层。衬底包括彼此相对的第一面与第二面。在衬底中具有孔洞。介电衬层位于孔洞的侧壁上。衬底穿孔位于孔洞中。介电衬层位于衬底穿孔与衬底之间。阻挡...
    2025-11-28
  • 一种基于玻璃基板的CPU芯片散热结构及其封装方法
    一种基于玻璃基板的CPU芯片散热结构及其封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511138197.X
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种基于玻璃基板的CPU芯片散热结构及其封装方法。包括玻璃基板，所述的玻璃基板内设有与外界相连通的玻璃通道，玻璃基板一侧表面贴装芯片，玻璃基板外侧设有散热器，所述的散热器包括外壳、液冷管道、换热装置，玻...
    2025-11-28
  • 散热基板、功率模块及散热基板的制造方法
    散热基板、功率模块及散热基板的制造方法_长沙瑶华半导体科技有限公司_202511066994.1
    本申请实施例提供一种散热基板及应用该散热基板的功率模块，其中，散热基板包括：导流板；所述导流板上设有微流道；第一散热板，固定于导流板的一侧面；第一散热板形成有导电层；第二散热板，固定于导流板的另一侧面，第二散热板设有分别与微流道连通的进液孔...
    2025-11-28
  • 三维蒸气腔元件
    三维蒸气腔元件_广州力及热管理科技有限公司_202410629642.1
    一种三维蒸气腔元件，包含上盖、下板以及多个流道鳍片，上盖具有上表面，下板相对于上盖，当上盖耦合于下板时内部形成密闭气腔，流道鳍片间隔设置于上盖的上表面而形成多个微流道，同时并围设形成开口，并相互贯通。其中，三维蒸气腔元件具有吸热区以及冷凝区...
    2025-11-28
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