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最新专利技术
  • 包括用于形成绝缘层的模具的电极制造设备
    包括用于形成绝缘层的模具的电极制造设备_株式会社LG新能源_202480029118.9
    本发明提供了一种电极制造设备，所述电极制造设备包括：涂覆辊，所述涂覆辊被布置成支撑电极片材；移动空间部，所述电极片材通过所述涂覆辊的旋转在所述移动空间部中移动；以及用于形成绝缘层的模具，所述用于形成绝缘层的模具被安装在所述电极片材的移动路径...
    2025-12-21
  • 当生产线停止时能够使浆料循环的用于电极涂覆的浆料循环系统以及使用其的用于电极涂覆的浆料循环方法
    当生产线停止时能够使浆料循环的用于电极涂覆的浆料循环系统以及使用其的用于电极涂覆的浆料循环方法_株式会社LG新能源_202480029007.8
    本发明涉及一种用于电极涂覆的浆料循环系统以及使用该浆料循环系统的用于电极涂覆的浆料循环方法，该浆料循环系统包括：将电极活性材料浆料涂覆到集流体上的电极顶层(Top)和电极底层(Bottom)的双层狭缝涂覆模具(Double Layer Sl...
    2025-12-21
  • 电池单体、电池以及用电装置
    电池单体、电池以及用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202480027145.2
    一种电池单体、电池以及用电装置。电池单体包括电极组件；所述电极组件包括正极极片、负极极片以及位于所述正极极片和所述负极极片之间的隔离膜；所述负极极片包括负极复合集流体和位于所述负极复合集流体至少一个表面的负极活性层，所述负极复合集流体包括高...
    2025-12-21
  • 二次电池制造系统和二次电池制造方法
    二次电池制造系统和二次电池制造方法_株式会社LG新能源_202480026555.5
    根据示例性实施方式，提供了一种二次电池制造系统。该系统可以包括：第一电极切割器，用于切割从第一电极卷展开的第一电极片，从而提供多个第一电极；第二电极切割器，用于切割从第二电极卷展开的第二电极片，从而提供多个第二电极；第三电极切割器，用于切割...
    2025-12-21
  • 一种用于制造钠离子电池单元或钾离子电池单元的方法
    一种用于制造钠离子电池单元或钾离子电池单元的方法_阿尔特里斯股份制有限公司_202480026530.5
    本公开总体上涉及一种用于制造钠离子电池单元或钾离子电池单元的方法，该钠离子电池单元或钾离子电池单元包括作为活性阴极材料的普鲁士蓝类似物(PBA)。本公开还涉及通过该方法生产的钠离子电池单元或钾离子电池单元。
    2025-12-21
  • 驱动包含可变波长LED的显示设备的方法
    驱动包含可变波长LED的显示设备的方法_波拉科技有限公司_202480024304.3
    本发明提供一种驱动显示设备的方法，该显示设备包含可变波长LED，其中该可变波长LED为该设备的像素，或设备像素的多个子像素中的一者。该显示设备经规划以使用N个可用原色发射波长λP的调色盘来操作，其中该N个可用原色中的各者是可由该可变波长LE...
    2025-12-21
  • 电子模块
    电子模块_新电元工业株式会社_202480028655.1
    本发明中的电子模块100包括：电路120、第一端子130、用于通过螺栓260将外部连接部件250固定在第一端子130上的第一嵌件螺母230、以及密封电路120和第一端子130的一部分的密封树脂170。当将第一端子130从密封树脂170中露出...
    2025-12-21
  • 电子模块的固定结构及电子模块
    电子模块的固定结构及电子模块_新电元工业株式会社_202480028654.7
    本发明所涉及的电子模块的固定结构10，是一种用于将具有第一端子130的电子模块100与第一外部连接构件250通过第一螺栓260A固定在散热构件300上的固定结构，其特征在于：第一端子130配置在电子模块100中与和散热构件300相接触的面相...
    2025-12-21
  • 电路板和包括电路板的半导体封装基板
    电路板和包括电路板的半导体封装基板_LG伊诺特有限公司_202480028647.7
    一种根据实施方式的电路板包括：具有腔体的第一绝缘层；连接构件，所述连接构件设置在所述第一绝缘层的所述腔体中；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上并且嵌入有所述连接构件，其中所述连接构件的下表面具有台阶，并且所述第二绝缘层与所...
    2025-12-21
  • 电路板和包括该电路板的半导体封装基板
    电路板和包括该电路板的半导体封装基板_LG伊诺特有限公司_202480028962.X
    根据实施例的电路板包括：包括上表面和下表面的芯绝缘层；设置在芯绝缘层上的上绝缘层；设置在芯绝缘层下方的下绝缘层；以及贯穿芯绝缘层的上表面和下表面的贯通电极，其中贯通电极包括与芯绝缘层的上表面相邻设置并且具有第一倾斜的第一贯通部，所述第一倾斜...
    2025-12-21
  • 导电结构及其制备方法、集成器件及其制备方法
    导电结构及其制备方法、集成器件及其制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202480000602.9
    导电结构及其制备方法、集成器件及其制备方法；涉及半导体技术领域；导电结构包括玻璃基板本体(1)；玻璃基板本体(1)具有相对设置的第一表面和第二表面，玻璃基板本体(1)具有连通第一表面和第二表面的通孔结构；通孔结构包括从第一表面延伸至玻璃基板...
    2025-12-21
  • 冷却器
    冷却器_三菱电机株式会社_202380097307.5
    冷却器(10)具有：基底层(1)，其与元件接合；鳍片形成层(2)，其具有鳍片配置区域(R20)，在该鳍片配置区域(R20)配置与基底层(1)连接的多个鳍片(21)；以及开口部形成层(3)，其与鳍片形成层(2)连接，该开口部形成层(3)具有使...
    2025-12-21
  • 导热片、散热装置、导热片的制造方法及黏合层形成用组合物
    导热片、散热装置、导热片的制造方法及黏合层形成用组合物_株式会社力森诺科_202480028821.8
    一种导热片，其具备：导热层，其含有选自由鳞片状粒子、椭圆体状粒子及棒状粒子组成的组中的至少一种石墨粒子(A)，在所述鳞片状粒子的情况下面方向沿厚度方向取向，在所述椭圆体状粒子的情况下长轴方向沿厚度方向取向，在所述棒状粒子的情况下长轴方向沿厚...
    2025-12-21
  • 铝-金刚石复合体、铝-金刚石复合体的制造方法、以及半导体封装体
    铝-金刚石复合体、铝-金刚石复合体的制造方法、以及半导体封装体_电化株式会社_202480026818.2
    一种铝‑金刚石复合体，所述铝‑金刚石复合体具备层压结构，所述层压结构具有：含有铝相与大小各异的多个金刚石颗粒的复合层，以及夹着所述复合层的一对铝层；其中，在沿着层压方向切断所得的切断面上，所述多个金刚石颗粒包含具有2000μm²以上的面积的...
    2025-12-21
  • 半导体装置的制造方法、半导体装置及半导体部件
    半导体装置的制造方法、半导体装置及半导体部件_株式会社力森诺科_202480028819.0
    本发明公开一种通过热压接(TCB)将设置有TSV(23)的桥接晶粒(20)接合于再配线层的方法。在该方法中，用热固性的树脂膜(例如DAF)覆盖桥接晶粒(20)上的端子电极(22)及TSV(23)的上端(23a)来形成树脂层(24)并将其固化...
    2025-12-21
  • 用于半导体装置组合件的混合接合
    用于半导体装置组合件的混合接合_美光科技公司_202480019408.5
    本发明涉及一种半导体装置组合件，其包含：半导体裸片，其具有前侧表面、所述前侧表面处的第一多个接合垫及所述前侧表面处的第一介电层；及接口裸片，其具有前侧表面及背侧表面，所述接口裸片包含：第二多个接合垫及第二介电层，其安置在所述接口裸片的所述背...
    2025-12-21
  • 基板支撑器、基板处理装置和电力的供给方法
    基板支撑器、基板处理装置和电力的供给方法_国立大学法人东京大学_202480029361.0
    一种具有旋转侧构件和固定侧构件的基板支撑器，上述旋转侧构件具备：具有用于支撑基板的支撑面的第一工作台、以及配置于上述第一工作台内的至少一个电极，上述固定侧构件具备：在上述第一工作台的下方以与该第一工作台之间形成间隙的方式配置的第二工作台、以...
    2025-12-21
  • 用于半导体晶片的非接触式处理的系统和方法
    用于半导体晶片的非接触式处理的系统和方法_新加坡商平鼎半导体设备股份有限公司_202480024549.6
    本公开总体上涉及一种用于半导体晶片(200)的非接触处理的系统(100)和方法(400)。该系统(100)包括：晶片台(300)，其用于支撑半导体晶片(200)而在它们之间没有物理接触，晶片台(300)包括用于排放气体的流体出口；气动管线(...
    2025-12-21
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380097633.6
    本发明提供的基板收纳容器(1)具备容器主体(2)和盖体(3)。盖体(3)具有密封构件(4)，其通过介于开口周缘部(28)与周缘部相对部(331)之间并紧密抵接于开口周缘部(28)和周缘部相对部(331)，将容器主体开口部(21)以气密状态封...
    2025-12-21
  • 吹扫喷嘴、基板处理装置、基板收容器的吹扫方法、半导体装置的制造方法及程序
    吹扫喷嘴、基板处理装置、基板收容器的吹扫方法、半导体装置的制造方法及程序_株式会社国际电气_202380095991.3
    具备：(a)紧密接触部，其在中央具有开口，并构成为能够与基板收容器的吹扫接口紧密接触；(b)套筒，其与上述紧密接触部的与上述吹扫接口紧密接触的面的相反面连接，并且具有与上述开口连通的筒部；(c)气体管，其与上述筒部的内圆周伴有第1间隙地间隙...
    2025-12-21
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