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  • 本申请提供一种镀镍镁锂合金及镁锂合金表面处理方法。镁锂合金表面处理方法,包括:提供镁锂合金;镁锂合金由以下质量百分比的物质组成:9.5‑10.5%的Li;2.5‑3.5%的Al;2.5‑3.5%或0.8‑1.8%的Zn;0.50%以内的Si...
  • 本发明属于导电微球制备技术领域,具体涉及一种表面粗化的镀镍导电微球及其制备方法和应用。制备过程包括前处理使聚合物微球表面含镍离子、镍离子还原为镍纳米颗粒、微球活化以及化学镀步骤。本发明采用在微球表面还原镍纳米颗粒的方式增大导电微球的比表面积...
  • 本发明提供一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法。利用立式卷对卷技术,将铜丝紧固于下方放卷腔室的放卷转轴,使其始端自下而上穿过管式炉体并固定于上方收卷腔室的收卷转轴,在收卷端施加特定范围的张力,以10 mm/min‑100 mm/min的卷绕速度...
  • 本发明公开了一种VCSEL芯片附带变容积功能的干式真空系统,本发明涉及干式真空设备技术领域,该干式真空系统包括地台、机箱、柔性金属管、真空机构和辅助机构,真空机构包括箱体和底脚,机箱、底脚、辅助机构均与地台固定连接,箱体上设有气孔,辅助机构...
  • 本申请涉及一种光伏用连续镀膜系统。涉及光伏领域,特别涉及进舟腔、预热腔、本征腔、掺杂腔、冷却腔,进舟腔、冷却腔一端均设有大气门阀;分别设于进舟腔、预热腔、本征腔、掺杂腔、冷却腔之间的隔离阀;分别开设于进舟腔、本征腔、掺杂腔、冷却腔上的排气口...
  • 本申请涉及半导体技术领域,提供一种薄膜沉积设备,至少有利于在晶圆上形成质量较高且厚度较厚的膜层。薄膜沉积设备包括:腔体,腔体包括相互连接的上腔体和下腔体;载台,载台设置于腔体内,载台的表面用于放置晶圆;隔离部件,隔离部件设置于腔体内,隔离部...
  • 本发明提供一种射频控制装置和方法、半导体工艺设备,该装置包括射频连接单元,用于将射频源的射频端和接地端与半导体工艺设备的工艺腔室中的晶舟电连接,且使晶舟中各相邻的两个舟片的极性相反;阻抗控制单元,连接在射频连接单元与射频源的接地端之间,且能...
  • 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供能抑制成膜中的规定元素的脱离、将膜中的规定元素维持在所希望组成比率的技术。将包含下述(a)(b)(c)(d)并且在(a)及(b)之后且(d)之前执行(c)的循环执行规...
  • 本发明公开了一种化学气相沉积法制备TaC涂层用前驱体进料系统及方法。该系统包括内壁均设有保温层且串联连接的前驱体罐、一级缓冲罐和二级缓冲罐,其中,前驱体罐内通过添加导热惰性材料改善前驱体TaCl5粉末的导热均匀性,实现稳定升华;一级缓冲罐内...
  • 本发明公开了一种晶圆薄膜沉积工艺及设备,利用ALD技术生长一个超薄、均匀的底层,为后续沉积提供理想的成核表面,然后利用PECVD技术快速沉积主体薄膜,最终通过一个原位等离子体处理步骤来进一步增强薄膜性能。该方法兼具ALD的优异覆盖性和PEC...
  • 公开了喷淋头组件和包括喷淋头组件的半导体处理系统。所公开的喷淋头组件包括盖、喷淋头板和设置在盖和喷淋头板之间的环形流动环。公开了用于在执行过程时调节进出反应室的气体流的方法。所公开的方法包括将环形流动环定位在第一位置和第二位置处。
  • 本发明公开一种气体分配装置和半导体工艺腔室,所述气体分配装置包括输气组件和装置本体,所述装置本体为环状结构,所述装置本体的第一端口的内径大于所述装置本体的第二端口的内径,所述第一端口与所述第二端口相背,在所述第二端口的中心至所述第一端口的中...
  • 本申请公开了一种进气结构、温度控制方法及半导体,涉及半导体领域。一种进气结构,包括:进气块、顶盘、加热组件和冷却组件,顶盘设在工艺腔室的上盖上,顶盘具有进气通道,且顶盘内设有第一冷却通道;进气块设于顶盘上,且进气块内设有第二冷却通道,进气块...
  • 本申请公开了一种进气系统及炉管设备,涉及半导体设备技术领域,一种进气系统,包括:第一进气管路;预流管路;第二进气管路,与所述第一进气管路和所述预流管路通过第一管路切换装置连接,所述第一管路切换装置配置为使得所述第二进气管路能够与所述第一进气...
  • 本发明涉及半导体材料技术领域,具体涉及一种提升12寸LTO背封膜厚均一性的方法,包括以下步骤:(1)加工前将已完成双面抛光加工的硅晶片洗净备用;(2)将硅晶片送入机台进行SiO2成膜反应,反应过程中保证O2充分甚至过量,使SiH4完全反应;...
  • 本发明公开了一种连续纤维增强陶瓷基复合材料的激光化学气相增材制造设备及其制造方法;制造方法中,前驱体原料经蒸发与气体混合后送入气相反应腔体,连续激光聚焦于腔体内纤维衬底,实现陶瓷基体的原位沉积;工作台通过多轴移动实现分层构建,逐层沉积制得三...
  • 本发明涉及化学气相沉积设备技术领域,公开了一种新型碳化铬涂层设备及方法,其设备包括加热系统、反应沉积系统、气体控制系统、压力控制系统、气体搅拌分散系统和氯化反应罐;所述反应沉积系统包括带压力检测组件与温度检测组件的反应沉积室;所述反应沉积室...
  • 本发明公开了一种石墨烯‑金刚石复合涂层及其制备方法,该石墨烯‑金刚石复合涂层的制备方法,包括:对衬底表面进行研磨粗化处理,在粗化后的衬底上超声植晶,然后通过CVD方法形成金刚石涂层;通过磁控溅射方法在金刚石涂层表面沉积一层过渡金属层,所述过...
  • 本发明公开了新能源汽车电动压缩机核心部件表面梯度强化制备工艺,涉及新能源汽车制造领域,该工艺包括以下组成部分:活塞基体预处理、过渡层制备、工作层制备和激光微织构加工;本发明通过多维度的创新技术手段,全面提升了新能源汽车电动压缩机核心部件的性...
  • 提供了一种沉积掩模以及电子装置或电气装置。沉积掩模包括:基底,包括多个单元区域、将多个单元区域分隔的掩模唇缘区域和在多个单元区域外部的外框区域;掩模膜,包括与多个单元区域对应地在基底上的第一无机膜;以及翘曲补偿图案,包括与外框区域对应地在基...
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