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  • 本发明涉及一种基于垂直堆叠的LED显示器件及其制备方法,该显示器件包括驱动背板和母像素,母像素包括多个子像素,驱动背板上的第一类和第二类电极触点中的一者为共极触点,另一者为非共极触点;电连接件包括共极导电件和非共极导电件,非共极导电件被配置...
  • 提供了一种显示装置、一种用于制造该显示装置的方法和一种包括该显示装置的可穿戴装置。所述显示装置包括:基底,第一有机膜设置在基底上;多个像素电极,在第一有机膜上,并且在第一方向和第二方向上排列;共电极,在第一有机膜上,在第一方向上延伸,并且在...
  • 本发明公开了一种高光效COB光源及其封装方法,所述高光效COB光源包括基板、LED芯片及荧光胶层;所述基板上设有围坝,所述LED芯片设于所述围坝内且与所述基板电性连接,所述荧光胶层覆盖所述LED芯片,所述荧光胶层中掺杂有荧光粉颗粒;所述荧光...
  • 本发明公开了一种3D显示屏的成型工艺及3D显示屏,工艺上通过在LED芯片表面直接形成线栅偏振层或贴覆耐压耐高温偏光层,随晶圆切割成芯片级偏光结构,省去传统二次对位,避免热胀冷缩导致的偏差;采用微纳加工或国产材料,降低成本和供应链风险。结构上...
  • 本发明涉及微电子制造技术领域,一种面向显示应用的Mini LED芯片修复装置,包括:确认出芯片修复装置,基于芯片修复装置对预构建的参考芯片模组进行烧蚀测试,得到烧蚀抵抗指数、温度扩散系数及温度扩散广度,利用目标修复装置中的光学检测机构对固定...
  • 一种制造隔离结构的方法,该方法包含:制备基材,其上具有底部导电垫,具有顶部电极以及底部电极的至少一个微型二极管接合于底部导电垫上,其中钝化层覆盖顶部电极与该至少一个微型二极管的侧壁;形成光阻层以覆盖基材与该至少一个微型二极管,其中光阻层在该...
  • 一种制造隔离结构的方法包含:制备基材,其上具有金属电极图案;设置至少一双端微型组件于基材上,使得在双端微型组件的底侧上的底部电极与金属电极图案接触,其中双端微型组件具有小于100μm的横向尺寸以及小于50μm的组件高度;形成光阻层以覆盖基材...
  • 本申请提供了显示装置及其制造方法。制造显示装置的方法包括:设置衬底;在衬底上形成电极层;将发光元件接合到电极层;形成光阻挡层以覆盖发光元件的至少部分;对光阻挡层进行灰化;以及在发光元件上形成滤色器。
  • 本发明提供的光电半导体器件及其制作方法,包括:外延叠层,所述外延叠层包含依次堆叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层,且具有相对的第一表面和第二表面,其中所述第一表面为出光面;导电基板,通过键合层键合设置于所述第二表面;其中,所述键...
  • 本发明涉及光半导体元件封装用片和光半导体装置。本发明提供一种对光半导体元件进行封装时的光提取效率优异的光半导体元件封装用片。光半导体元件封装用片(1)是用于对配置在基板(5)上的一个以上的光半导体元件(6)进行封装的片。光半导体元件封装用片...
  • 本申请公开了一种新型全方位磁吸Micro‑LED成品结构,包括封装散热、光学装配、线路导通三大功能模块,各模块分别设有相互匹配的磁吸部件,磁吸部件由磁性载体与磁性单元组成,通过磁性吸附实现模块可拆卸连接,且位置与磁性参数适配以保障自动对位、...
  • 本发明公开了一种集成电路封装结构,属于封装结构加工技术领域,包括基板、发光芯片,所述基板的上表面开设有框板定位槽,所述基板上方安装有限位挡板,所述限位挡板上设有第二定位机构、散热机构,所述基板与限位挡板之间设有第一定位机构,所述限位挡板的上...
  • 本发明公开了一种LED及其制备方法,方法包括:提供第一衬底和第二衬底;第一衬底一侧设置有阵列排布的微结构;在微结构一侧表面形成缓冲层;在缓冲层背离第一衬底一侧表面制备外延层;剥离第一衬底,以使微结构的互补结构处于外延层背离缓冲层一侧表面;将...
  • 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括:外延结构、介质层、透明导电结构和反射层;介质层具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,介质层还具有多个间隔排列的介质孔;外延结构位于介质层的第一表面,透明导电结构位于介质孔的底面和侧...
  • 本公开提供了一种改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层,所述外延层的顶面具有多个间隔排布的载流子通道区,以及各所述载流子通道区之间的钝化区,所述载流子通道区的载流子浓度高于所述钝化区的...
  • 本申请提供一种LED芯片及其制作方法、显示装置。LED芯片的外延叠层生长于基板,外延叠层形成若干由间隙分隔的发光单元;间隙从外延叠层背离基板的表面朝向基板延伸。绝缘填充层填充间隙。各发光单元背离基板的表面和绝缘填充层背离基板的表面二者之一为...
  • 本发明提供一种氮极性的外延基层及其制备方法、外延片、发光二极管,涉及半导体技术领域,该氮极性的外延基层包括衬底、氮极性底层以及层叠设置在氮极性底层上的氮极性N型层,氮极性N型层包括依次层叠设置在衬底上的第一氮极性N型层、插入层以及第二氮极性...
  • 本发明公开了一种COB封装方法以及COB封装结构,涉及LED封装,所述封装方法包括以下步骤:制备包括酸化碳纳米管的改性胶体,并通过点胶机将涂覆在PCB板上的已完成引线键合的芯片及线弧区域;将涂胶完成后的PCB板放置在电极治具并进行固定待后续...
  • 本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括:将衬底放置在反应腔的托盘上;向所述反应腔内通入反应气,控制所述托盘旋转以在所述衬底上生长缓冲层,生长所述缓冲层的过程中,控制所述托盘的中央...
  • 本公开提供了一种发光二极管及其表面处理方法,属于光电子制造技术领域。该表面处理方法包括:制作制品,所述制品包括驱动衬底和层叠在所述驱动衬底上的外延片,所述外延片包括依次层叠的第一衬底和外延层,所述外延层位于所述驱动衬底的表面上;在所述驱动衬...
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