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最新专利技术
  • 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法
    光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480030776.X
    提出一种光电子半导体器件(1)，其包括半导体层序列(10)，所述半导体层序列包括：缓冲层(11)，其具有三维结构，所述三维结构具有部分合并区域(111)，其中部分合并区域(111)具有凹陷部(113)；第一导电类型的第一半导体层(13)，其...
    2025-12-20
  • 制造太阳能电池装置以减少活性层损坏
    制造太阳能电池装置以减少活性层损坏_应用材料公司_202480027340.5
    一种方法包括获得串联太阳能电池装置的基础结构，以及使用低损坏溅射沉积(LDSD)工艺在基础结构上形成透明导电氧化物(TCO)层。LDSD工艺包括旋转面向溅射沉积工艺。
    2025-12-20
  • 具有可在光伏模式下操作的光电二极管的电磁辐射传感器器件
    具有可在光伏模式下操作的光电二极管的电磁辐射传感器器件_爱视近红外公司_202480030010.1
    描述了一种电磁辐射传感器器件(10)，包括：第一光电二极管(PD1)，包括具有第一禁带的第一半导体并具有连接到地(GND)的第一端子(A1)、和第二端子(C1)；第二光电二极管(PD2)，包括具有第二禁带的第二半导体并具有连接到读出端子(S...
    2025-12-20
  • 三维(3D)双互补电路结构和相关制造方法
    三维(3D)双互补电路结构和相关制造方法_高通股份有限公司_202480029282.X
    一种3D双互补电路结构包括第一叉片结构，该第一叉片结构在第一方向上堆叠在第二叉片结构的第一侧上以在单个叉片结构的空间中提供两个互补电路。分隔墙将第一叉片结构中的至少一个半导体板二等分为具有第一半导体类型的第一板部分和具有第二半导体类型的第二...
    2025-12-20
  • 用于背侧功率输送的隔离模组
    用于背侧功率输送的隔离模组_应用材料公司_202480026955.6
    一种形成全环绕栅极场效应晶体管(GAA FET)的一部分的方法包括在基板的被浅沟槽隔离(STI)隔离的部分中形成的凹槽中形成预留位置，每个预留位置经由帽层与延伸区域介接，所述凹槽延伸到在基板上形成的层间电介质(ILD)中；相对于基板、帽层和...
    2025-12-20
  • 在非有源栅极区中采用应变材料施加沟道应变以增加载流子迁移率的全环栅(GAA)场效应晶体管(FET)器件和相关制造方法
    在非有源栅极区中采用应变材料施加沟道应变以增加载流子迁移率的全环栅(GAA)场效应晶体管(FET)器件和相关制造方法_高通股份有限公司_202480026367.2
    一种全环栅(GAA)场效应晶体管(FET)器件在栅极的非有源栅极区中采用应变材料结构向GAA FET的沟道施加沟道应变以增加载流子迁移率。GAA FET器件包括由栅极供应的GAA P型FET(PFET)和GAA N型FET(NFET)，其中...
    2025-12-20
  • 氮化物半导体器件
    氮化物半导体器件_松下控股株式会社_202480031057.X
    氮化物半导体器件(1)具备基板(10)、漂移层(12)、p型的阻挡层(14)、基底层(16)、纵导通开口部(20)、电子渡越层(22)及电子供给层(24)、在电子供给层(24)的上方设置于在基板(10)的俯视时与纵导通开口部(20)的底面(...
    2025-12-20
  • 显示装置
    显示装置_夏普显示科技株式会社_202380098031.2
    TFT层(30a)中，每个子像素设置有具有多晶硅构成的第一半导体层(12a)的第一TFT(9A)、具有氧化物半导体构成的第二半导体层(17a)的第二TFT(9B)、以及具有氧化物半导体构成的第三半导体层(17b)的第三TFT(9C)，在第二...
    2025-12-20
  • 具有导电势垒结构的集成装置
    具有导电势垒结构的集成装置_德州仪器公司_202480027694.X
    本说明书大体上涉及具有导电势垒结构的集成装置。在实例中，半导体装置(200)包含衬底(202)、导电势垒结构(206)、沟道层(208)、势垒层(210)和栅极(222)。所述衬底具有第一半导体材料。所述导电势垒结构在所述衬底上。所述沟道层...
    2025-12-20
  • 用于NAND设备的字线触点形成
    用于NAND设备的字线触点形成_应用材料公司_202480020772.3
    所公开的是用于形成3D NAND设备的字线触点的方法。方法可以包括：提供交替的第一层和第二层的薄膜叠层；在所述薄膜叠层上形成第一平板印刷掩模；以及执行交替的平板印刷和蚀刻过程的第一系列，以在所述薄膜叠层中形成触点开口对阵列，其中在每个蚀刻过...
    2025-12-20
  • 用于4F2的双功函数字线
    用于4F2的双功函数字线_应用材料公司_202480027580.5
    本技术一般涉及垂直单元阵列晶体管(VCAT)和形成这种VCAT的方法。VCAT包括在第一水平方向上布置的一条或多条位线、在第二水平方向上布置的一条或多条字线、以及一个或多个沟道，所述一个或多个沟道在与第一方向和第二水平方向大体上正交的垂直方...
    2025-12-20
  • 用于三维动态随机存取存储器(DRAM)的储存节点接触(SNC)接合面形成
    用于三维动态随机存取存储器(DRAM)的储存节点接触(SNC)接合面形成_应用材料公司_202480026985.7
    本文的实例系关于三维(3D)动态随机存取记忆体(DRAM)及对应的方法。在一实例中，提供了堆叠半导体结构，其中此堆叠半导体结构包括形成在基板上的复数个单元堆叠。每个单元堆叠具有半导体层、第一介电层、第一闸电极，及电容器部分的第二介电层。此电...
    2025-12-20
  • 显示器和热管理系统
    显示器和热管理系统_库奥里公司_202480031331.3
    公开了一种显示器(100, 600)，显示器包括：壳体(102, 602)，壳体具有框架(106)和附接到框架的第一窗口(104, 604)；第一显示元件(108, 608)，第一显示元件布置在壳体中，面向第一窗口，平行于第一窗口并且通过第...
    2025-12-20
  • 包括热界面材料的电子装置
    包括热界面材料的电子装置_三星电子株式会社_202480031079.6
    提供了一种电子装置。该电子装置包括：包括通孔的印刷电路板；电子部件，设置在印刷电路板上；屏蔽罩，覆盖电子部件；以及热界面材料(TIM)，被包含在印刷电路板和屏蔽罩之间的空间中。热界面材料占据电子部件的表面与屏蔽罩之间的空间，并且与第一电子部...
    2025-12-20
  • 电气设备
    电气设备_索尤若驱动有限及两合公司_202480023092.7
    一种电气设备，其具有功率电子装置和电网滤波器，其中，电网滤波器具有壳体，其中，功率电子装置具有板材壳体，其中，借助于角形保持件建立在板材壳体与壳体之间的电保护接地连接或接地连接，其中，角形保持件具有第一侧边区域、第二侧边区域和轭区域以及接片...
    2025-12-20
  • 电路图案的制造方法、电路基板的制造方法、及电路图案
    电路图案的制造方法、电路基板的制造方法、及电路图案_日本发条株式会社_202480016645.6
    本发明提供一种电路图案的制造方法，其可对贴附在剥离片的电路图案良好地施加镀敷，而且可将施加了镀敷的电路图案从剥离片良好地剥离。电路图案的制造方法包括：对金属板(11)的表面上的规定部分施加镀敷的工序、在施加了镀敷的金属板(11)的背面贴附剥...
    2025-12-20
  • 检测系统和检测方法
    检测系统和检测方法_松下知识产权经营株式会社_202480030823.0
    本公开的目的是提供能够检测与环境控制装置的附接位置相关的附接位置信息的检测系统。检测系统(1)包括环境控制装置(10)、能量释放单元(20)、获取部(32)和检测器(33)。环境控制装置(10)将安装在房间(100)的天花板面上并且被配置为...
    2025-12-20
  • 用于经由发光二极管(LED)控制器来接收下游信息的装置
    用于经由发光二极管(LED)控制器来接收下游信息的装置_微芯片技术股份有限公司_202480030739.9
    提供了一种装置，该装置包括一个或多个引线和处理电路。该一个或多个引线用于将装置连接到发光二极管(LED)控制器的一个或多个LED引线。该处理电路用于从LED控制器接收脉冲宽度调制(PWM)信号。该处理电路对PWM信号进行解码以从PWM信号中...
    2025-12-20
  • 一种LED驱动电路
    一种LED驱动电路_昕诺飞控股有限公司_202480030923.3
    一种用于为管状LED供电的LED驱动电路。该LED驱动电路包括电压倍增电路，该电压倍增电路仅在该LED驱动电路的输入接口从高频镇流器接收AC功率信号时才被启用。当LED驱动电路从电磁镇流器或市电电源接收AC功率信号时，电压倍增电路被禁用或被...
    2025-12-20
  • 当辅小区处于网络节能模式时的用户装备操作
    当辅小区处于网络节能模式时的用户装备操作_苹果公司_202380097997.4
    一种用户装备(UE)在载波聚合(CA)模式下操作，其中第一分量载波(CC)由服务小区服务并且第二CC由辅小区(SCell)服务，并且其中SCell正在网络节能(NES)模式下操作，其中SCell不发送同步信号块(SSB)。UE被配置为：确定...
    2025-12-20
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