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最新专利技术
  • 用于TiN硬掩模去除而同时与钨相容的组合物
    用于TiN硬掩模去除而同时与钨相容的组合物_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480031593.X
    本文公开了用于从电子电路器件如先进图案晶片去除TiN硬掩模的组合物，方法和系统。蚀刻制剂包含(a) 至少一种含磷的酸或其盐、(b) 至少一种氧化剂、(c)至少一种阳离子聚合物腐蚀抑制剂和(d) 至少一种溶剂，基本上由其组成或由其组成。
    2025-12-21
  • 用于氮化硅的降低的粗糙度的离子注入
    用于氮化硅的降低的粗糙度的离子注入_应用材料公司_202480029149.4
    半导体处理的示例性方法可包括在半导体基板上形成氮化硅层。所述氮化硅层可由第一粗糙度表征。所述方法可包括在所述氮化硅层上执行沉积后处置。所述方法可包括降低所述氮化硅层的粗糙度，使得所述氮化硅层可由小于所述第一粗糙度的第二粗糙度表征。
    2025-12-21
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480032715.7
    基片处理装置包括：保持基片并使其旋转的基片旋转部；向基片的周缘部供给处理液的处理液供给部；和控制基片旋转部和处理液供给部的控制部，控制部以调节蚀刻模式控制基片旋转部和处理液供给部，在调节蚀刻模式中，一边使基片旋转，一边从处理液供给部向周缘部...
    2025-12-21
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480029512.2
    本发明的基板处理方法包含：基板旋转工序，使具有为了基板薄化而被研削或研磨的主表面的基板绕与所述主表面垂直的旋转轴线旋转；第一蚀刻工序，在所述基板旋转工序的执行期间，对所述主表面供给包含氢氟酸和硝酸的第一蚀刻液；以及第二蚀刻工序，在所述第一蚀...
    2025-12-21
  • 基板处理方法和基板处理系统
    基板处理方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480033074.7
    一种基板处理方法，用于对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，所述基板处理方法包括：沿着所述第一基板中的作为去除对象的周缘部与中央部的边界，在所述第一基板的内部形成第一周缘改性区域；至少从所述第一周缘改性区域起在径向外侧，在所述第一...
    2025-12-21
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社JET_202480027057.2
    本发明提供一种能够以适合于正确的温度测定的方式来加热基板的基板处理装置。加热部(18)通过将来自光源部(34)的LED(37a)的光照射于基板(11)来加热基板(11)。LED(37a)输出在不透过基板(11)的波长范围具有峰值波长的单一波...
    2025-12-21
  • 形成钛氮化物薄膜的方法以及形成电极的方法
    形成钛氮化物薄膜的方法以及形成电极的方法_周星工程股份有限公司_202480031465.5
    根据本发明的实施例的形成钛氮化物薄膜的方法包括如下步骤：准备基板；朝向基板喷射含钛(Ti)的前体，以形成含钛(Ti)层；以及朝向基板喷射含氮(N)的反应气体，以形成钛氮化物薄膜，其中，含钛(Ti)的前体不含氯(Cl)。因此，根据本发明的实施...
    2025-12-21
  • 形成在绝缘体上硅衬底上的存储器器件及其制造方法
    形成在绝缘体上硅衬底上的存储器器件及其制造方法_硅存储技术股份有限公司_202380097572.3
    一种存储器器件包括SOI衬底，该SOI衬底包括体硅(12)、竖直地位于体硅上方的绝缘层(14)和竖直地位于绝缘层上方的硅层(16)。存储器单元(20)包括：源极区(30)和漏极区(32)，该源极区和该漏极区形成在体硅中，体硅的沟道区(34)...
    2025-12-21
  • 使用可逆外涂料形成亚光刻芯轴图案
    使用可逆外涂料形成亚光刻芯轴图案_东京毅力科创株式会社_202480031769.1
    一种方法包括：在衬底之上形成多个第一芯轴，在该多个第一芯轴之上形成外涂料层，以及在该外涂料层内诱导交联反应并且形成交联的外涂料层。该方法进一步包括：将该衬底暴露于辐射以在该多个第一芯轴内产生多个酸分子，使该多个酸分子中的一部分从该多个第一芯...
    2025-12-21
  • 接合修复方法
    接合修复方法_龙云株式会社_202480032738.8
    一种接合修复方法，是在将两个接合对象于其相对面内设定的接合目标部进行接合的接合工艺中，当该接合目标部的至少一部分产生未接合部时，通过向该未接合部照射激光来修复该未接合部的接合状态。
    2025-12-21
  • 双重单离子监测质谱
    双重单离子监测质谱_豪夫迈·罗氏有限公司_202480032739.2
    本发明涉及一种用于在包括第一质量过滤器和第二质量过滤器的质谱 (MS) 装置中确定分析物的方法，所述方法包括：(i) 在所述第一质量过滤器中针对分析物离子种类进行过滤；(ii) 任选地在碰撞池中使通过步骤 (i) 中的所述过滤获得的离子的至...
    2025-12-21
  • 高效的微波等离子体施用器
    高效的微波等离子体施用器_应用材料公司_202480031342.1
    本文所公开的实施方式包括远程等离子体源。在实施方式中，所述远程等离子体源包括外壳，其中流体通道自所述外壳的第一端通到第二端。在实施方式中，施用器与所述流体通道相交。在实施方式中，所述施用器包括介电主体，及插入所述介电主体中的孔中的销。
    2025-12-21
  • 离子植入系统及相关方法
    离子植入系统及相关方法_恩特格里斯公司_202480029056.1
    本文提供一种离子植入系统及相关方法。离子植入系统包括具有与电弧室流体连通的至少一个气体供应容器的气体供应组合件。所述气体供应组合件经配置以供应包括GeF4、GeH4、H2、含氟气体中的至少一者或其任何组合的气体组分。当所述气体组分从所述至少...
    2025-12-21
  • 高压真空管
    高压真空管_摩根先进陶瓷有限公司_202480033141.5
    本发明涉及一种高压真空管，包括：真空管外壳，其包括内部；阳极组件，其设置在所述真空管外壳的内部；以及阴极组件，其设置在所述真空管外壳的内部，发射电极束以撞击所述阳极组件的靶表面并形成电磁辐射。所述高压真空管包括钎焊组件，所述钎焊组件包括通过...
    2025-12-21
  • 热保护器
    热保护器_打矢恒温器株式会社_202480032648.9
    提供一种自保持型的热保护器，其是热响应元件不被固接的非固定型，热响应元件的反转工作前的触点压力高，且反转工作后的状态被高效地保持。热保护器(100)具备：固定板(10)，其具有固定触点(12)；基体构件(20)；导电性的可动板(40)，其在...
    2025-12-21
  • 缩短固有时间的断路器系统：故障保护
    缩短固有时间的断路器系统：故障保护_ABB瑞士股份有限公司_202480031569.6
    本发明涉及一种断路器系统，包括：‑太阳能电池(10)；‑断路器(30)；‑至少一个能量存储单元(60)；和‑机电式致动器(70)；其中，断路器配置成在低压、中压或高压开关设备内操作；机电式致动器在被驱动时配置成激活断路器；断路器在被激活时配...
    2025-12-21
  • 控制装置
    控制装置_路创技术有限责任公司_202480032910.X
    一种控制装置可以包括第一开关构件和第二开关构件，该控制装置被配置为在负载控制系统中使用以控制该控制装置外部的一个或多个电负载。该控制装置可以包括致动构件，该致动构件具有上部和下部。该致动构件可以被配置为响应于上部和下部的触觉致动而致动第一开...
    2025-12-21
  • 电容器、电路、电路基板、设备以及电容器的制造方法
    电容器、电路、电路基板、设备以及电容器的制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480029090.9
    一种电容器，其具备：具有导电性的基材；配置在基材上的第一电介质层；配置在第一电介质层上且具有层形状的第一导电体；配置在第一导电体上的第二电介质层；以及配置在第二电介质层上的第二导电体。第一导电体包含未被第二电介质层以及第二导电体覆盖的露出部...
    2025-12-21
  • 具有高幂指数N的PEDOT分散体
    具有高幂指数N的PEDOT分散体_贺利氏电子化学材料有限公司_202480030307.8
    本发明涉及一种分散体，该分散体包含i)分散剂；ii)分散在该分散剂i)中的至少一种聚噻吩；其中对于该分散体，Ostwald de l/l/ae/e关系T=K yn中的幂律指数n在0.62至0.92的范围内，其中T是剪切应力，K是流动稠度系数...
    2025-12-21
  • 用于在存在爆炸危险的环境中感应式传输能量和/或信号的插接连接部件、连接装置及测量系统
    用于在存在爆炸危险的环境中感应式传输能量和/或信号的插接连接部件、连接装置及测量系统_科伲可电子测量仪器有限公司_202480032740.5
    一种用于在存在爆炸危险的环境中感应式传输能量和/或信号的插接连接部件(4)，其特别是用于测量系统(1)，所述插接连接部件包括电气电路(28)、电路(28)中的初级线圈(23)以及电路(28)中的防引燃装置(39)，其中，所述电气电路具有所述...
    2025-12-21
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