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最新专利技术
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510850074.2
    一种制造半导体器件的方法包括：形成被配置为第一基层、包括硅锗的第一蚀刻停止层、第二基层、包括硅锗的第二蚀刻停止层和第三基层的衬底叠层。通过蚀刻所述衬底叠层中的部分区域在所述衬底叠层中形成开口。在所述开口内生长单晶硅。形成在所述衬底叠层上并被...
    2026-03-19
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_王佩如_202510810396.4
    本申请涉及一种功率组件及其制造方法。本申请涉及的功率组件，包含一沟槽结构、一凸型(mesa)部、一栅极介电层、一栅极、一氧化层、以及一载子浮置层。所述沟槽结构位于一半导体层上。所述凸型(mesa)部配置于所述沟槽结构中，具有一上部电极、一中...
    2026-03-19
  • 石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法
    石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法_南开大学_202411162670.3
    本发明为一种石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法。结构包括Si/SiO2衬底、半导体功能层、石墨炔介电层和金属电极；衬底上设有金属电极。具有底电极的衬底上设有二维半导体功能层，功能层覆盖底电极间沟道。所述功能层上设有新型石墨炔薄膜，该薄膜...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质
    一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610130109.X
    本发明提供的一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质，所述控制方法包括：制作栅介质层，测量并获取所述栅介质层的第一厚度；在所述栅介质层的基础上形成栅极多晶硅层，并对所述栅极多晶硅层表面进行氧化，得到离子阻挡层，测量并获取所述多晶硅层...
    2026-03-19
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511848053.3
    本申请提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括：提供表面形成有栅极氧化层和栅电极的半导体基底；在半导体基底上形成第一侧墙材料层，第一侧墙材料层共形地覆盖半导体基底、栅电极和栅极氧化层；在第一侧墙材料层上形成第二侧墙，第二侧墙位于栅电极的...
    2026-03-19
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511810110.9
    本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法和半导体器件，包括：提供半导体结构，包括衬底及衬底上的待刻蚀层；在待刻蚀层上形成硬掩模层；进行图案化处理，以形成暴露出待刻蚀层部分表面的开口；执行第一沉积步骤，形成第一材料层，包括覆盖硬掩模层上表面的...
    2026-03-19
  • 金属栅的制造方法
    金属栅的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767507.4
    本发明公开了一种金属栅的制造方法，包括：在半导体衬底的顶部表面依次形成栅介质层和TSN层。采用臭氧对TSN层的顶部表面进行氧化处理。在TSN层的顶部表面形成P型功函数金属层。将第一区域打开并在常温条件下进行湿法刻蚀以去除第一区域中的P型功函...
    2026-03-19
  • HKMG的阈值电压调节方法
    HKMG的阈值电压调节方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767470.5
    本发明公开了一种HKMG的阈值电压调节方法，包括：步骤一、完成P型金属栅的工艺环以在形成有TaN阻挡层的半导体衬底上形成图案化的功函数TiN层；半导体衬底上包括多级阈值电压区域，各级阈值电压区域的功函数TiN层的厚度不同，根据CPP不同各阈...
    2026-03-19
  • 一种图形化金属电极的制备工艺
    一种图形化金属电极的制备工艺_安徽量芯光电科技有限公司_202511519956.7
    本发明属于半导体芯片制造领域，公开了一种图形化金属电极的制备工艺，包括：制备掩蔽层、涂覆光刻胶、显影出光刻图案、刻蚀出钨柱、沉积金属层、再次填充光刻胶包覆金属层、酸浸去除光刻孔外的金属层、剥离光刻胶，即可制得图形化金属电极。通过上述工艺制得...
    2026-03-19
  • 用于Ni前侧SiC欧姆接触的制造方法
    用于Ni前侧SiC欧姆接触的制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511152611.2
    本描述涉及一种制造碳化硅晶片的方法，该方法包括：形成在表面或其表面的至少特定部分处包括SiC的半导体衬底；通过氢等离子体气氛清洁衬底的表面区域；在清洁的表面区域上施加镍金属接触材料，以在SiC衬底的表面或SiC衬底的至少部分处形成SiC/N...
    2026-03-19
  • 半导体元件制造方法以及半导体元件制造装置
    半导体元件制造方法以及半导体元件制造装置_细美事有限公司_202510784457.4
    本发明公开了一种半导体元件制造方法以及半导体元件制造装置。根据本发明的实施例的半导体元件制造方法的特征在于，包括：提供半导体结构物的步骤，所述半导体结构物包括在表面形成有界面层的一个以上沟道层；界面层表面激活步骤，对所述半导体结构物进行氢等...
    2026-03-19
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411219730.0
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一栅极结构、二凹槽以及二外延层。栅极结构设置于一基底上。二凹槽设置于栅极结构二侧的基底中，各凹槽包含由下而上依序相连的一第一倾斜面、一第二倾斜面以及一第三倾斜面，第一倾斜面与第二倾斜...
    2026-03-19
  • 晶体管结构及其制备方法
    晶体管结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202511714985.9
    本申请提供了一种晶体管结构及其制备方法，所述晶体管结构包括：衬底；阱区，位于所述衬底内，所述阱区内包括第一导电类型的掺杂离子；埋入式沟道区，位于所述阱区内，所述沟道区内包括第二导电类型的掺杂离子；隔离层，位于所述埋入式沟道区背离所述衬底的表...
    2026-03-19
  • 沟槽栅超结器件
    沟槽栅超结器件_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511865855.5
    本发明公开了沟槽栅超结器件，有源区的结构包括：超结结构，第一阱区，沟槽栅和源区，在源区的顶部形成有穿过层间膜的源极接触孔，源极接触孔底部穿过源区并和第一阱区接触。源极接触孔和相邻的沟槽栅的侧面之间的第一间距缩小到0.5微米～0.6微米，在器...
    2026-03-19
  • 沟槽栅超结器件及其制造方法
    沟槽栅超结器件及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511865851.7
    本发明公开了沟槽栅超结器件，有源区的结构包括：超结结构，第一阱区，沟槽栅和源区，在源区的顶部形成有穿过层间膜的源极接触孔，源极接触孔和相邻的沟槽栅的侧面之间的第一间距缩小到0.5微米～0.6微米。在源接触孔的底部还形成有阱接触注入区。阱接触...
    2026-03-19
  • 超结器件的制造方法
    超结器件的制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511865849.X
    本发明公开了一种超结器件的制造方法，多级降低比导通电阻的步骤包括：步骤一、提供第一外延层，通过增加第一外延层的掺杂浓度来使器件的击穿电压满足要求的同时降低比导通电阻。步骤二、形成超结结构。步骤三、生长场氧化层，采用热氧化工艺加CVD工艺形成...
    2026-03-19
  • 沟槽栅超结器件的制造方法
    沟槽栅超结器件的制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511865847.0
    本发明公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法，包括：提供加浓的第一外延层，使器件的击穿电压满足要求的同时降低比导通电阻。形成超结结构。采用热氧化工艺加CVD工艺生长场氧化层，CVD工艺降低热过程并使比导通电阻降低。对场氧化层进行图形化刻蚀。形成...
    2026-03-19
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202411154401.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层包括栅极区域、以及位于栅极区域两侧的源极区域和漏极区域；P型半导体层，P型半导体层至少位于栅极区域并位于势垒层远离衬底的一侧；其中，P型...
    2026-03-19
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_苏州晶湛半导体有限公司_202411147068.2
    本公开提供了一种半导体结构，包括层叠设置的衬底、缓冲层和多沟道异质结层，多沟道异质结层远离衬底的方向上为第1, 2，…，n层异质结层，n≥2，每层异质结层包括沟道层和势垒层；N型重掺杂层，位于多沟道异质结层的侧壁，N型重掺杂层为多层结构。本...
    2026-03-19
  • 一种功率半导体器件及其制造方法
    一种功率半导体器件及其制造方法_安建科技有限公司_202411126056.1
    一种功率半导体器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明设计上下两层P型盖层，下层的第一P型盖层的高掺杂浓度保证了器件的阈值电压可达到较高的数值，减低增强型器件被误开启的机会；上层的第二P型盖层的掺杂浓度沿垂直方向由下往上递减及沿...
    2026-03-19
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