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最新专利技术
  • 一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法
    一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法_中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所_202511965734.8
    本申请提供一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法, 包括进气口、第一气相前驱体储罐、反应腔等；进气口将惰性气体依次通过第一进气活塞、第二进气活塞、第三进气活塞送入气室玻璃管路；第一气相前驱体储罐用于储存水蒸气，通过控制系统精确控制第一进气...
    2026-05-07
  • APCVD背面污迹工艺的优化方法
    APCVD背面污迹工艺的优化方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511730212.X
    本发明涉及一种APCVD背面污迹工艺的优化方法，所属半导体硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：使用去离子水、清洗剂，同时采用超声波清洗或IPA擦拭对硅片进行表面洁净。第二步：温度参数的精确控制。第三步：压力参数的优化调整。第四步：气...
    2026-05-07
  • 一种基于超疏水非晶碳/碳纳米管防除冰涂层及其应用
    一种基于超疏水非晶碳/碳纳米管防除冰涂层及其应用_兰州理工大学_202511697744.8
    本申请公开了一种基于超疏水非晶碳/碳纳米管防除冰涂层及其应用，涉及防除冰技术领域，包括耐高温基底以及形成于所述基底上的复合功能层；所述复合功能层为包含非晶碳、碳纳米管和石墨烯的三元复合结构；所述三元复合结构具有微纳米级粗糙表面；所述涂层兼具...
    2026-05-07
  • 化学气相沉积方法
    化学气相沉积方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610131972.7
    本申请公开了一种化学气相沉积方法，包括：通过CVD工艺在工艺腔室的上极板和下极板表面形成保护层，该保护层包括硅氧化物，在形成保护层的过程中通入的反应气体包括含硅有机物和氧气；通入氧气，在上极板和下极板之间通入射频电压，消耗工艺腔室中残留的含...
    2026-05-07
  • 连续碳化硅纤维碳化钛硅界面沉积设备及方法
    连续碳化硅纤维碳化钛硅界面沉积设备及方法_太行国家实验室_202610208927.7
    本发明的连续碳化硅纤维碳化钛硅界面沉积设备及方法，属于界面沉积装置领域，其包括密闭放丝区，其内设置有输送组件，所述输送组件用于碳化硅纤维的应力释放和持续输送；第一热处理区、第一化学气相沉积区、第二化学气相沉积区、第二热处理区和密闭收丝区，其...
    2026-05-07
  • 一种石墨烯表面生长碳纳米管的复合材料的制备方法
    一种石墨烯表面生长碳纳米管的复合材料的制备方法_电子科技大学长三角研究院(湖州)_202511915645.2
    本发明公开了一种石墨烯表面生长碳纳米管复合材料的制备方法，步骤如下：首先对石墨烯进行氧化改性并形成均匀浆料，在其中添加EDTA‑Fe和乙酰丙酮钼进行配位耦合，通过微波辅助加热还原技术形成纳米化分散的催化剂颗粒，而后在850℃‑1000℃的条...
    2026-05-07
  • 一种用于消除手术烟雾的电外科器械及其制备方法
    一种用于消除手术烟雾的电外科器械及其制备方法_大连理工大学_202511735533.9
    本发明提供一种用于消除手术烟雾的电外科器械及其制备方法，属于医疗器材领域，在传统电外科器械的刀头和侧面涂覆设计的涂层材料。第一步，对接受涂层的金属电极的刀头表面进行清洁处理，改善涂层和金属电极刀头表面的界面结合；第二步，通过材料生长工艺制备...
    2026-05-07
  • 一种激光器芯片外延片的组分控制方法及相关设备
    一种激光器芯片外延片的组分控制方法及相关设备_桂林雷光科技有限公司_202511859169.7
    本发明提供一种激光器芯片外延片的组分控制方法及相关设备，该方法包括：在外延生长前，确定晶圆表面沿径向的基准监控位置和多个待测监控位置；在外延生长过程中，对基准监控位置和各待测监控位置同步施加光学激发，分别采集基准峰值波长和被测峰值波长；计算...
    2026-05-07
  • 一种先进图形化薄膜的气相沉积方法及设备
    一种先进图形化薄膜的气相沉积方法及设备_重庆芯联微电子有限公司_202511728870.5
    本发明提供一种先进图形化薄膜的气相沉积方法及设备，方法包括如下步骤：提供衬底并安置在基座上，基座环绕设置有遮蔽环，遮蔽环具有延伸至衬底的第一表面上方的遮挡部；向衬底的第一表面引入第一气体，并向位于遮挡部下方的衬底引入第二气体，通过气相沉积工...
    2026-05-07
  • 一种实现铜表面平整化的连续化处理方法及处理装置
    一种实现铜表面平整化的连续化处理方法及处理装置_上海交通大学_202511815974.X
    本发明提供一种实现铜表面平整化的连续化处理方法及处理装置，该方法在同一腔室内进行，包括：在真空氛围下对铜基材进行退火处理；在铜基材表面沉积镀层，在沉积过程中腔室的温度为950‑1050℃，该温度持续设定时间，铜基材表面高温熔融形成熔融层，镀...
    2026-05-07
  • 一种基于双蒸发源原位反应除水的高真空镀膜设备及方法
    一种基于双蒸发源原位反应除水的高真空镀膜设备及方法_安徽飞拓新材料科技有限公司_202610060780.1
    本发明公开了一种基于双蒸发源原位反应除水的高真空镀膜设备，包括真空腔体、基材承载与传输单元、第一蒸发源、第二蒸发源；真空腔体内设有挡板，挡板中间设有通道，基材承载与传输单元位于挡板上方的真空腔体内，第一蒸发源和第二蒸发源位于挡板下方的真空腔...
    2026-05-07
  • 一种低吸收可变折射率薄膜及其制备方法
    一种低吸收可变折射率薄膜及其制备方法_斐力科技创新(广东)有限公司_202511996163.4
    本申请涉及折射薄膜技术领域，主要涉及一种低吸收可变折射率薄膜及其制备方法。制备方法包括以下步骤：配置衬底预处理；将衬底置于多靶磁控溅射设备中，抽真空，通入氩气和氧气，预热衬底，启动等离子体源；启动钽靶与硅靶的溅射电源进行共溅射，沉积形成钽硅...
    2026-05-07
  • 一种磁控溅射制备的CoCrFeNi中熵合金涂层及其结构调控方法
    一种磁控溅射制备的CoCrFeNi中熵合金涂层及其结构调控方法_中国机械总院集团武汉材料保护研究所有限公司_202511982906.2
    本发明公开了一种磁控溅射制备的CoCrFeNi中熵合金涂层及其结构调控方法，属于材料科学与表面工程技术领域。本发明通过气压、功率与偏压三参数的协同控制，首次实现了CoCrFeNi中熵涂层中FCC至BCC/B2的定向可控相转变，解决了非平衡沉...
    2026-05-07
  • 一种磁控溅射中磁场与靶材协同运动的控制方法
    一种磁控溅射中磁场与靶材协同运动的控制方法_绍兴芯链半导体科技有限公司_202511963517.5
    本发明涉及磁控溅射工艺的技术领域，公开了一种磁控溅射中磁场与靶材协同运动的控制方法，步骤为：基于仿真和理论模型，结合靶材的尺寸和材料，确定协同运动的磁场移动速度范围、靶材旋转速度范围、速度比例系数，筛选若干速度比例系数获得预设速度比例系数；...
    2026-05-07
  • 镀膜室以及磁控溅射镀膜设备
    镀膜室以及磁控溅射镀膜设备_深圳市捷佳芯创科技有限责任公司_202511957559.8
    本发明公开了一种镀膜室以及磁控溅射镀膜设备，其中镀膜室包括腔室；运输装置，设置于腔室的内部，运输装置用于沿X轴方向运输工件架；旋转装置，设置于腔室，旋转装置用于带动工件架绕Z轴线转动；阴极装置，设置于腔室的侧部，阴极装置在Y轴方向面向工件架...
    2026-05-07
  • 一种薄型红外高反射镜及其制备方法
    一种薄型红外高反射镜及其制备方法_扬州霞光光电有限公司_202511950298.7
    本发明公开了一种薄型红外高反射镜及其制备方法，属于光学器件技术领域。该制备方法包括：采用射频磁控共溅射工艺，以Ti靶和Ni靶为源，在通入Ar气和少量NH3气的沉积气氛中，于加热的Ti合金基底上沉积Ni‑Ti合金膜；通过阶梯式提高Ni靶溅射功...
    2026-05-07
  • 一种基于ITO微结构的低离型力DLP 3D打印离型膜
    一种基于ITO微结构的低离型力DLP 3D打印离型膜_厦门大学_202511908882.6
    本发明涉及一种基于ITO微结构的低离型力DLP 3D打印离型膜的制备方法，该离型膜包括透明柔性基底层，其表面构建有周期性纳米柱状微结构，所述微结构由氧化铟锡(ITO)材料形成，具备优异的透光性和稳定性。所述柱状结构参数包括：柱高10‑200...
    2026-05-07
  • 镀膜方法和镀膜系统
    镀膜方法和镀膜系统_富联裕展科技(深圳)有限公司_202511859719.5
    本发明公开了一种镀膜方法和镀膜系统，镀膜方法用于镀膜系统，镀膜系统包括镀膜机和镀膜设备，所述镀膜方法包括：步骤S1、将工件放置于镀膜机上；步骤S2、在工件表面镀覆基底膜层，基底膜层包括多层；步骤S3、将工件由镀膜机转移至镀膜设备；步骤S4、...
    2026-05-07
  • 一种靶材表面防氧化的处理方法
    一种靶材表面防氧化的处理方法_宁波江丰电子材料股份有限公司_202610054540.0
    本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种靶材表面防氧化的处理方法，所述处理方法包括如下步骤：(1)对靶材表面依次进行抛光处理、超声清洗以及干燥，得到预处理靶材；(2)对步骤(1)所得预处理靶材的表面喷涂防氧化液，烘烤后得到表面防氧化的靶材；步...
    2026-05-07
  • 适用于绝缘靶材溅射的挡板结构及溅射镀膜装置
    适用于绝缘靶材溅射的挡板结构及溅射镀膜装置_昇澜半导体(常州)有限公司_202511875664.7
    本发明涉及一种适用于绝缘靶材溅射的挡板结构及溅射镀膜装置。所述适用于绝缘靶材溅射的挡板结构包括：竖板，沿第一方向延伸，所述竖板包括相对分布的内侧壁和外侧壁，所述外侧壁用于朝向溅射腔体的内壁；多片挡板，均凸出设置于所述竖板的所述内侧壁上，且多...
    2026-05-07
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