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  • 本申请涉及一种loadport料盒充氮装置,该装置通过模块化设计集成机体、气路控制模块、气路执行单元、动态密封组件、环境监控系统及气路控制阀组,可直接加装于现有loadport设备,气路执行单元采用独立双承载块结构,分别设置对称分布的进气孔...
  • 本申请提供一种晶圆盒、PECVD机台,包括:用于容置晶圆的盒体,所述盒体具有相对的第一侧壁和第二侧壁;第一侧壁正面设有多个第一卡槽,第二侧壁正面设有多个第二卡槽,第一卡槽与第二卡槽一一对应,以插置晶圆;所述卡槽底部具有一定的晶圆上下移动空间...
  • 本发明提供了一种半导体刻蚀装置,包括:用于保持晶圆并驱动晶圆旋转的承托机构,沿第一方向设置于承托机构上方的刻蚀机构,以及升降机构;刻蚀机构包括:壳体,配置于壳体内的刻蚀管组,以及用于对刻蚀管组内的刻蚀液进行保温的加热组件;刻蚀管组具有贯穿壳...
  • 本发明公开了一种用于芯片的加工设备,包括:工作台;第一加工单元,包括:第一承载座;传送底座,与第一承载座连接,限定有沿第一方向延伸的传送流道,以用于沿第一方向输送料带,料带上设有若干第一芯片;折弯机构,与第一承载座连接,沿第二方向对应于传送...
  • 本发明公开了一种固态前驱体供给系统和方法,其中,固态前驱体供给系统适用于半导体制程设备,所述固态前驱体供给系统包括设于半导体制程设备的应用瓶、与所述应用瓶配合设置的补给罐、连接所述应用瓶和所述补给罐的输送管道、以及用于称量所述应用瓶重量的称...
  • 本发明属于芯片加工技术领域,具体的说是一种芯片蚀刻清洗设备;包括清洗仓;所述清洗仓两侧固定有螺栓;所述清理内设有清洗机构;所述清洗机构包括矩形筒;所述矩形筒朝向螺栓的一侧固定有侧板;所述矩形筒内固定有均匀布置的隔板;多个所述隔板底部设有一个...
  • 本发明涉及晶圆检测加温仓技术领域,公开了一种晶圆检测加温仓及集成式晶圆检测用加温方法,包括检测台,所述检测台的顶部安装有晶圆移动机构,所述检测台的顶部安装有检测升降机构,所述升降机构上连接有检测加温仓。本发明在晶圆放置板移动到检测加温仓的下...
  • 本发明提供一种双芯片固晶贴片机,涉及半导体封装技术领域,包括:贴片机主体,所述左方悬挂有引线框架上料机构,所述贴片机主体右方悬挂有引线框架收料机构;引线框架输送机构,所述引线框架输送机构安装在贴片机主体内部工作区域中,引线框架输送机构的左端...
  • 本申请涉及一种分析系统、方法及存储介质,该分析系统包括:数据采集模块、存储模块、数据分析模块以及用户终端;数据采集模块与至少一个半导体工艺设备连接,用于采集每个待评价工艺腔室加工过程中的多类型数据;存储模块用于存储数据采集模块采集到的每个待...
  • 本发明涉及电路封装设备技术领域,并具体公开了一种集成电路制造用封装设备,包括工作台,所述工作台顶部转动连接有转动柱,所述转动柱顶部固定连接有多工位转盘,所述转动柱上套设并固定连接有从动齿轮,所述从动齿轮侧面啮合有主动齿轮,所述主动齿轮底部固...
  • 本发明公开了一种内外圈同步旋转的晶圆扩摸装置,属于晶圆制程技术领域,包括基板、顶环、升降底板、中空上板、中空下板、第一传动机构和第二传动机构;升降底板、顶环设置在基板上,中空上板、中空下板设置在升降底板上,中空下板用于放置晶圆框架,中空上板...
  • 本发明公开了一种晶圆扩膜装置,属于晶圆制程技术领域,本发明的晶圆扩膜装置包括基板、顶环、升降底板、中空上板、中空下板、第一传动机构和第二传动机构;升降底板、顶环和第一传动机构设置在基板上,中空上板、中空下板和第二传动机构设置在升降底板上;中...
  • 本发明提供一种半导体设备运行参数监控方法,涉及半导体设备的技术领域;所述运行参数监控方法通过获取每一晶片在工艺处理过程中的运行参数值,形成按生产顺序排列的运行参数值序列;针对运行参数值序列中的每一运行参数值,计算其与紧邻的前一运行参数值之间...
  • 本申请涉及半导体制造装备技术领域,公开了一种半导体元件的自动化加工设备,用于加工半导体元件,包括轨道系统,所述轨道系统被设计为具有受控真空环境的密封通道,其包括环形主干道,所述环形主干道四周设置有多个工艺模块,多个所述工艺模块呈放射状围绕环...
  • 本发明涉及一种基于槽式清洗消除PIN印的硅片加工方法,所属半导体加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:完成APCVD工序的硅片进行表面状态监测,确认其表面存在二氧化硅粉末。第二步:将所述硅片传送至槽式清洗机中进行沉浸式预清洗。第三步:将经...
  • 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种固晶装置及固晶方法,上述固晶装置包括邦头机构与邦头驱动机构。邦头机构包括邦头固定座、固定架组、吸附结构、驱动结构以及压力检测单元,驱动结构用于驱动吸附结构沿第一方向往复运动。邦头驱动机构用于驱动邦头机构...
  • 提供一种无等离子干式蚀刻方法。将包括形成于基体上的介电质层的半导体结构置放在蚀刻腔室中,以执行该无等离子干式蚀刻方法。主要蚀刻剂气体、第一气体及前驱物被引进该腔室中。在该蚀刻程序期间,钝化源被产生以阻碍该主要蚀刻剂气体及该第一气体与该介电质...
  • 本发明公开了一种基板处理装置,该基板处理装置能够在通过将温度和浓度受控的处理溶液供应到基板来处理该基板时,防止在基板处理过程中出现缺陷。根据示例性实施例,该基板处理装置包括混合歧管,并且在该混合歧管中,第一入口管线至第四入口管线与出口管线并...
  • 本发明提供一种温度测量用晶圆及使用该温度测量用晶圆的基板处理系统,能够提高运转效率并在更高的温度条件下使用。温度测量用晶圆(1)具备温度传感器(3)、发送部(8)和电池基板(7)。发送部将温度传感器测量出的温度测量对象的温度数据以无线方式发...
  • 本发明的目的是提供一种能在不依赖于半导体晶圆成膜状态的情况下检测半导体晶圆是否存在的技术。晶圆检测单元包括:基座;多个支承销,其竖立设置在基座上并能够支承半导体晶圆;树脂部,其以能够与半导体晶圆接触的方式配置在各个支承销的前端并在中心部设置...
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