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最新专利技术
  • 一种兼具耐磨与耐蚀性能的CoCrFeNi中熵合金涂层及其制备方法
    一种兼具耐磨与耐蚀性能的CoCrFeNi中熵合金涂层及其制备方法_中国机械总院集团武汉材料保护研究所有限公司_202511982908.1
    本发明公开了一种兼具耐磨与耐蚀性能的CoCrFeNi中熵合金涂层及其制备方法，属于材料科学与表面工程技术领域。本方法首次提出通过能量输入窗口调控形成“梯度孔隙‑自然氧化‑致密膜”连续演化机制，通过中等能量输入实现涂层致密化及残余压应力引入，...
    2026-04-18
  • 一种溅射装置及薄膜沉积方法
    一种溅射装置及薄膜沉积方法_苏州迈为科技股份有限公司_202511908386.0
    本申请涉及一种溅射装置及薄膜沉积方法，包括：载板、圆柱状可旋转阴极靶材及阳极结构，其中，载板用于放置待沉积基片；圆柱状可旋转阴极靶材设于载板上方；阳极结构包括多个调节单元，多个调节单元沿圆柱状可旋转阴极靶材的轴向方向依次排布，调节单元沿圆柱...
    2026-04-18
  • 一种特殊形貌AZO薄膜的制备方法
    一种特殊形貌AZO薄膜的制备方法_中建材玻璃新材料研究院集团有限公司_202511744858.3
    本发明涉及一种特殊形貌AZO薄膜的制备方法，其特征在于：(1)采用特殊形貌的玻璃或不锈钢材料作为衬底材料，对衬底材料进行清洗处理；(2)采用磁控溅射法直接在衬底上制备出具有特殊形貌的AZO薄膜。本发明具有如下优点：本发明以特殊形貌的材料为衬...
    2026-04-18
  • 一种关节置换全阶段自适应Ag-DLC涂层及其制备方法
    一种关节置换全阶段自适应Ag-DLC涂层及其制备方法_中国矿业大学_202511729352.5
    本发明公开了一种关节置换全阶段自适应Ag‑DLC涂层及其制备方法，该涂层包括生物友好型基底、钛粘结层和掺杂Ag元素的Ag‑DLC功能层，功能层中Ag元素以Ag纳米颗粒形式镶嵌于DLC的碳骨架中，且Ag纳米颗粒的尺寸为1~35 nm，掺杂量为...
    2026-04-18
  • 工艺腔室及半导体工艺设备
    工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411320327.7
    本发明提供一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括：腔室本体，其顶部具有进气孔，进气孔用于向腔室本体内部输出工艺气体；第一转盘，绕第一轴线可转动地设置在腔室本体内，并位于进气孔的下方，进气孔的轴线方向与第一轴线平行；第二转盘，用于承载晶圆...
    2026-04-18
  • 一种旋转式靶材座
    一种旋转式靶材座_浙江同越光学科技有限公司_202511990842.0
    本发明公开了一种旋转式靶材座，属于靶材座技术领域，包括靶材座主体，靶材座主体上连接有驱动机构，驱动机构上连接有靶材板，靶材板与靶材座主体之间设置有冷却机构，靶材座主体顶端连接有钼支架，钼支架上连接有钼片。本发明采用上述的一种旋转式靶材座，通...
    2026-04-18
  • 一种带熔池稳定机构的多电子枪真空镀膜装置
    一种带熔池稳定机构的多电子枪真空镀膜装置_广东振华科技股份有限公司_202511935371.3
    本发明属于真空镀膜装置技术领域，特别涉及一种带熔池稳定机构的多电子枪真空镀膜装置，包括底架；所述底架的顶部一侧安装有坩埚组件，且所述坩埚组件的顶部一侧安装有基片支架，所述底架的一侧设置有机械泵，所述坩埚组件的外壁且靠近机械泵的一侧安装有分子...
    2026-04-18
  • 一种抽屉式自动开闭的下沉腔结构
    一种抽屉式自动开闭的下沉腔结构_苏州佑伦真空设备科技有限公司_202610220790.7
    本发明涉及下沉腔技术领域，具体为一种抽屉式自动开闭的下沉腔结构，包括下沉腔本体以及固定在其底部的底板，且底板的前侧内部由左向右依次贯穿连接有第二转动杆和第一转动杆，所述第二转动杆的顶端连接有钨舟，所述底板的上表面中部位置固定有滑轨机构。该抽...
    2026-04-18
  • 一种大尺寸基板真空蒸镀腔室及真空蒸镀装置
    一种大尺寸基板真空蒸镀腔室及真空蒸镀装置_合肥欣奕华智能机器股份有限公司_202610129152.4
    本发明公开了一种大尺寸基板真空蒸镀腔室，包括蒸镀腔室以及设置于所述蒸镀腔室内的线源装置，所述蒸镀腔室内至少设置有一个用于放置基板的基板架，所述基板架位于所述线源装置上方，所述蒸镀腔室一侧设置用于基板进出蒸镀腔室的基板上料口；所述线源装置下方...
    2026-04-18
  • 一种非接触真空传输机构及蒸镀系统
    一种非接触真空传输机构及蒸镀系统_合肥欣奕华智能机器股份有限公司_202610128938.4
    本发明公开了一种非接触真空传输机构，包括传输承载组件、驱动组件；所述传输承载组件包括下传输轨道、上传输轨道，所述下传输轨道上滑动连接有滑动承载部，所述滑动承载部与所述下传输轨道非接触配合，所述上传输轨道下方滑动连接有减重承载部，所述减重承载...
    2026-04-18
  • 一种钛合金表面(TiZrNbHfTa)C高熵合金碳化物陶瓷涂层及其制备方法和应用
    一种钛合金表面(TiZrNbHfTa)C高熵合金碳化物陶瓷涂层及其制备方法和应用_江苏集萃表面工程技术研究所有限公司_202610099890.9
    本发明公开了一种钛合金表面(TiZrNbHfTa)C高熵合金碳化物陶瓷涂层及其制备方法和应用，属于合金涂层材料技术领域。本涂层由连续致密的(TiZrNbHfTa)C高熵合金碳化物陶瓷层，TiZrNbHfTa高熵合金中间层和Ti‑Zr‑Nb‑...
    2026-04-18
  • 复合涂层及其制备方法、卫浴制品
    复合涂层及其制备方法、卫浴制品_九牧厨卫股份有限公司_202511720590.X
    本申请涉及复合涂层及其制备方法、卫浴制品。上述复合涂层包括至少一层第一涂层，按质量百分比计，制备第一涂层的材料包括稀土金属氧化物2%~10%、Al单质50%~60%及Ti单质30%~40%。上述复合涂层具有较好的抗菌性的同时，具有较高的硬度...
    2026-04-18
  • 基于多元非晶前驱体的原位自强化双相涂层及其制备方法和应用
    基于多元非晶前驱体的原位自强化双相涂层及其制备方法和应用_郑州大学_202512029366.2
    本发明属于防护涂层领域，涉及基于多元非晶前驱体的原位自强化双相涂层及其制备方法和应用。通过高功率脉冲磁控溅射和射频磁控溅射技术共溅射多组元难熔合金靶、石墨靶和Si‑Al复合靶，制备的涂层表面光滑致密，表现为非晶结构。难熔高熵合金元素中引入C...
    2026-04-18
  • 具有硬涂层的基板
    具有硬涂层的基板_苹果公司_202511328269.7
    本公开涉及具有硬涂层的基板。一种装置诸如电子设备可具有聚合物基板或层，以及位于聚合物基板/层上的涂层。该涂层可包括界面层和位于界面层上的陶瓷多层硬涂层。该界面层可以是施加到聚合物基板/层的非氮化物材料，诸如氧化物材料。该陶瓷多层硬涂层可被溅...
    2026-04-18
  • 公共金属掩膜板组件
    公共金属掩膜板组件_浙江众凌科技有限公司_202610210590.3
    本申请提供了一种公共金属掩膜板组件，属于显示设备制造技术领域。该公共金属掩膜板组件包括：公共金属掩膜板，具有多个用于蒸镀的第一开口；公共金属掩膜板一侧用于朝向蒸镀源，另一侧用于朝向待蒸镀基板；应力阻断网，设置于公共金属掩膜板朝向蒸镀源的一侧...
    2026-04-18
  • 掩模组件及其制造方法
    掩模组件及其制造方法_三星显示有限公司_202511973821.8
    提供了一种掩模组件和该掩模组件的制造方法。所述掩模组件包括：框架和掩模片。掩模片包括：第一掩模，包括第一主体部分和第一结合部分，第一主体部分具有至少一个第一沉积开口，第一结合部分中的每个从第一主体部分的至少一个第一侧突出；以及第二掩模，包括...
    2026-04-18
  • 掩膜板及显示面板
    掩膜板及显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202411328357.2
    一种掩膜板及显示面板。掩膜板包括掩膜条。掩膜条沿第一方向延伸，且包括至少两个掩膜图案结构，至少两个掩膜图案结构沿第一方向排列；其中，掩膜条包括在厚度方向上相对设置的第一表面和第二表面，厚度方向与第一方向相交；掩膜条还包括凸起结构，凸起结构的...
    2026-04-18
  • 具有反应相涂层的带槽的陶瓷涂层及形成其的方法
    具有反应相涂层的带槽的陶瓷涂层及形成其的方法_通用电气公司_202511927939.7
    提供一种涂覆的构件连同其形成的方法，该涂覆的构件包括带槽的陶瓷涂层，该陶瓷涂层具有设置在其上的反应相涂层，用于改进对环境污染物组合物的抵抗性。涂覆的构件可包括限定表面的基底、设置在基底的表面上的陶瓷涂层以及设置在环境污染物组合物层上的反应相...
    2026-04-18
  • 一种有机发光显示面板的基板清洗装置及蒸镀机
    一种有机发光显示面板的基板清洗装置及蒸镀机_南京昀光科技有限公司_202511918563.3
    本发明公开了一种有机发光显示面板的基板清洗装置及蒸镀机。所述基板清洗装置包括多个静电棒；所述静电棒用于将粘附在基板上的颗粒吸附在所述静电棒上，以实现对所述基板的清洗。本发明利用静电棒就可将粘附在基板上的颗粒吸附下来，进而实现对基板的清洗，相...
    2026-04-18
  • 一种制备离子源灯丝保护性热适配氧化钍涂层的方法
    一种制备离子源灯丝保护性热适配氧化钍涂层的方法_苏州极阱科仪器有限公司_202511904672.X
    本发明公开了一种制备离子源灯丝保护性热适配氧化钍涂层的方法，具体包括以下步骤：S1、基材预处理，S2、预溅射处理，S3、铬过渡层沉积，S4、Cr‑ThO2梯度共溅射层沉积，S5、纯氧化钍功能层沉积，S6、真空退火处理，本发明涉及无机膜材料技...
    2026-04-18
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