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最新专利技术
  • 提高材料表面亲水性的方法、HKMG结构的制备工艺
    提高材料表面亲水性的方法、HKMG结构的制备工艺_重庆芯联微电子有限公司_202511887897.9
    本发明公开了一种提高材料表面亲水性的方法、HKMG结构的制备工艺，所述提高材料表面亲水性的方法，包括提供一氧化硅层或氮氧化硅层，在所述氧化硅层或氮氧化硅层表面进行以下两步处理：第一步、在所述氧化硅层或氮氧化硅层表面施加第一处理液，所述第一处...
    2026-04-23
  • 一种提升砷化镓器件栅极击穿电压的制备方法
    一种提升砷化镓器件栅极击穿电压的制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202511845406.4
    本发明涉及砷化镓半导体器件制造技术领域，具体涉及一种提升砷化镓器件栅极击穿电压的制备方法，制备方法为：在源极的金属和漏极的金属上涂布第一光阻层，所述第一光阻层的材质为LOR剥离胶；涂布第二光阻层，所述第二光阻层为正光阻，经i‑line或电子...
    2026-04-23
  • 一种栅极硬掩模层的去除方法及半导体结构
    一种栅极硬掩模层的去除方法及半导体结构_重庆芯联微电子有限公司_202511738462.8
    本发明提供一种栅极硬掩模层的去除方法及半导体结构，包括以下步骤，S1：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧形成有栅极侧墙、顶部覆盖有厚度为H的第一硬掩模层；所述第一硬掩模层为氧化硅层，所述栅极侧墙包括有氧化硅层；S2：在所...
    2026-04-23
  • SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法及SiC器件
    SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法及SiC器件_株式会社力森诺科_202511387609.3
    提供一种能够估计载流子寿命、且具有深度方向上的Z1/2中心密度的偏差得到了抑制的SiC外延层的SiC外延晶片及SiC器件。SiC外延晶片具备基板和形成于所述基板的第1面的SiC外延层，所述SiC外延层的Z1/2中心密度的深度方向均匀性小于0...
    2026-04-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202512056184.4
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：半导体主体，所述半导体主体包括衬底、外延层和埋层；第一导电结构及第二导电结构，所述第一导电结构和所述第二导电结构的顶部接触形成有金属硅化物层；MOS器件，形成于所述器件区域中；氧化...
    2026-04-23
  • 一种表面复合调控的高可靠性超结短终端及制备方法
    一种表面复合调控的高可靠性超结短终端及制备方法_西安电子科技大学_202511753695.5
    本发明公开了一种表面复合调控的高可靠性超结短终端及制备方法，超结短终端包括衬底层；设置于衬底层上的第一外延层；沿宽度方向间隔设置在第一外延层内的N个重掺杂区；设置于第一外延层上的第二外延层；沿宽度方向间隔设置在第二外延层内的N个重掺杂柱；设...
    2026-04-23
  • 功率半导体器件及其制备方法
    功率半导体器件及其制备方法_苏州惟清半导体有限公司_202512046969.3
    本发明涉及半导体器件技术领域，公开了功率半导体器件及其制备方法。方法包括：在基板的第一表面内深入形成第一掺杂区，第一掺杂区表面与第一表面具有第一间隔距离；在第一掺杂区的内深入形成第二掺杂区，第二掺杂区的表面与第一表面平齐，第二掺杂区与第一掺...
    2026-04-23
  • 一种降低关断损耗的芯片制备方法
    一种降低关断损耗的芯片制备方法_临沂大学_202511974481.0
    本发明提供一种降低关断损耗的芯片制备方法，属于芯片制备技术领域，本发明通过在硅衬底上进行多能量分段离子注入并采用蒙特卡洛预测模型确定各能量档剂量，随后进行脉冲式快速热退火处理控制扩散距离，通过二次离子质谱仪检测掺杂浓度分布并利用载流子输运修...
    2026-04-23
  • 晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法
    晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202512043389.9
    公开了晶体管器件和制备晶体管器件的栅极的方法。在实施例中，晶体管器件包括具有主表面的半导体衬底、包括多个晶体管单元的单元场、以及在横向上围绕单元场的边缘终止区。单元场包括在半导体衬底的主表面中的栅极沟槽、衬垫栅极沟槽的栅极电介质、被布置在栅...
    2026-04-23
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_飞锃半导体(上海)有限公司_202511972951.X
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有漂移层和源极掺杂区；若干沟槽，沿x方向延伸且贯穿所述源极掺杂区延伸至所述漂移层中；若干栅极连接区，分别包覆所述若干沟槽底部和部分侧壁；若干栅极...
    2026-04-23
  • 改进的功率器件的设计和制造
    改进的功率器件的设计和制造_GENESIC半导体公司_202511843612.1
    本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种器件，包括至少部分形成于碳化硅(SiC)基板内的单位单元，所述单位单元包括：垂直轴，其限定于所述单位单元的区域处；第一下沉区，其形成于所述SiC基板中且具有第二导电...
    2026-04-23
  • 沟槽型场效应晶体管FET
    沟槽型场效应晶体管FET_半导体元件工业有限责任公司_202511437618.9
    公开了一种沟槽型场效应晶体管FET。沟槽型FET包括台面，该台面具有源极区和在源极区下方垂直地延伸的沟道区。沟槽型FET还包括栅极材料，与台面相比，栅极材料由不同的材料形成，且与沟道区的侧面接触。此外，沟槽型FET包括形成在栅极材料之下的屏...
    2026-04-23
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510953923.7
    提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1‑第3电极、第1导电部件、半导体部件以及第1绝缘部件。第1导电部件包含第1导电部分以及第2导电部分。第1导电部分包含第1导电区域。第2导电部分包含第2导电区域。第1导电区域的第1...
    2026-04-23
  • 具有浮置电极结构的半导体器件
    具有浮置电极结构的半导体器件_三星电子株式会社_202511401499.1
    提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；漂移区和主体区，在衬底的上部；场氧化层，在衬底的漂移区上；栅电极，与漂移区的一部分和主体区的一部分竖直地重叠，栅电极包括场氧化层上的第一延伸部；在栅电极的在衬底的主体区中的第一侧上的源区；在场氧...
    2026-04-23
  • 一种半导体结构、其制备方法和集成电路
    一种半导体结构、其制备方法和集成电路_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411367355.4
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构、其制备方法和集成电路，半导体结构包括衬底和至少一个晶体管结构，晶体管结构包括：体区，设于衬底中且为第一导电类型；漂移区，设于衬底中且为第二导电类型，漂移区与体区相邻设置；漏极区，设于漂移区且...
    2026-04-23
  • 低导通电阻的沟槽型MOSFET器件
    低导通电阻的沟槽型MOSFET器件_无锡锡产微芯半导体有限公司_202511964252.0
    本发明涉及一种低导通电阻的沟槽型MOSFET器件。其包括：半导体基板；有源区，包括若干沟槽型元胞，其中，所述沟槽型元胞包括元胞沟槽，所述元胞沟槽内设置槽内导电多晶硅单元，且所述槽内导电多晶硅单元与位于第一导电类型外延层上方的栅极金属欧姆接触...
    2026-04-23
  • 具备双向导通能力的功率半导体器件
    具备双向导通能力的功率半导体器件_无锡锡产微芯半导体有限公司_202511964249.9
    本发明涉及一种具备双向导通能力的功率半导体器件。按照本发明提供的技术方案，一种具备双向导通能力的功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：半导体基板；有源区，分布于所述半导体基板的中心区，所述有源区内包括若干并列分布的SGT元胞，每个SGT元...
    2026-04-23
  • 一种浮结电荷自调控的超结MOSFET及制备方法
    一种浮结电荷自调控的超结MOSFET及制备方法_西安电子科技大学_202511733418.8
    本发明公开了一种浮结电荷自调控的超结MOSFET及制备方法，超结MOSFET包括：衬底层；至少M层第一漂移层，在每层第一漂移层的两端内设置第一超结柱，在第一超结柱内设置第二超结柱，在第二超结柱内设置浮结；第二漂移层，设置在第M层第一漂移层上...
    2026-04-23
  • 一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制备方法
    一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制备方法_安建科技(深圳)有限公司_202511696826.0
    一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制备方法，本发明涉及功率半导体器件，针对现有技术超级结碳化硅MOSFET存在的问题，本发明的提供的超级结碳化硅MOSFET器件内设有一条以上的周期性排列的第一导电类型柱状沟槽，第一导电类型柱状沟槽壁上生长...
    2026-04-23
  • 一种具有L形电子积累效应层的鳍式MOSFET器件
    一种具有L形电子积累效应层的鳍式MOSFET器件_重庆邮电大学_202610013785.9
    本发明涉及一种具有L形电子积累层的鳍式MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件包括源极P+区、源极N+区、源极P‑well区、漂移N‑drift1区、漂移N‑drift2区、辅助栅P+1区、辅助栅P+2区、扩展辅助栅P‑Pillar1、...
    2026-04-23
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