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最新专利技术
  • 一种多孔介电常数材料的制备方法
    一种多孔介电常数材料的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511728990.5
    本发明公开了一种多孔介电常数材料的制备方法，所述方法包括，将有机硅前体以及双官能有机致孔剂混合后，通过PECVD技术沉积在衬底上，以形成SiOCH介电薄膜；使用微波处理去除致孔剂，所述微波处理包括预处理阶段、主处理阶段以及后固化阶段；所述预...
    2026-04-21
  • NiSi层的形成方法
    NiSi层的形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511841272.9
    本发明提供一种NiSi层的形成方法，通过在Si衬底上依次形成Ti层及Ni层，退火使Ni层中的Ni穿过Ti层并与Si衬底反应形成NiSi层。Ti层作为扩散延缓层有效抑制了Ni在Si中的扩散速率，避免横向扩散导致的均匀性及短路问题。通过AP‑M...
    2026-04-21
  • 晶圆及其制作方法以及吸附固定方法
    晶圆及其制作方法以及吸附固定方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511670902.0
    本公开提供了一种晶圆及其制作方法以及吸附固定方法，属于半导体制造技术领域。所述晶圆包括绝缘衬底以及位于所述绝缘衬底背面上的导电层。本公开可以使得晶圆能够通过库仑力吸附固定在设备上，以提高芯片的加工效率。
    2026-04-21
  • 一种基于选择性外延生长的半导体器件及其制备方法
    一种基于选择性外延生长的半导体器件及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202512030686.X
    本发明公开了一种基于选择性外延生长的半导体器件及其制备方法，制备方法，包括：提供Si衬底层；在Si衬底层上生长掩膜层，并刻蚀中间目标区域的掩膜层；步骤3、利用等离子体对剩余的掩膜层进行界面改性处理，以在掩膜层的表面形成羟基化界面；步骤4、对...
    2026-04-21
  • 氧化镓半导体结构及其制备方法
    氧化镓半导体结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511932555.4
    本发明提供了一种氧化镓半导体结构及其制备方法，获取预处理后的衬底；在预处理后的衬底上预铺包含预设元素的原子层，得到第一结构体；其中，预设元素为：铝元素或镓元素或铟元素；在第一结构体上生长复合阻挡层，得到第二结构体；在第二结构体上生长氧化镓外...
    2026-04-21
  • 一种基于二维七原子层范德华材料的忆阻器件及其制备方法
    一种基于二维七原子层范德华材料的忆阻器件及其制备方法_华中科技大学_202512024390.7
    本发明公开了一种基于二维七原子层范德华材料的忆阻器件，其特征在于，所述忆阻器自上而下依次为顶电极、活性金属层、功能层及底电极；所述功能层的材料为二维七原子层范德华材料；所述二维七原子层范德华材料的通式为MA2Z4，其中M选自Mo、W、V、N...
    2026-04-21
  • 阈值开关器件材料和存储器
    阈值开关器件材料和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202512032740.4
    本申请实施例公开了一种阈值开关器件材料和存储器，所述阈值开关器件材料包括硫族元素粒子、Sn元素粒子和掺杂元素粒子，所述硫族元素粒子包括S元素粒子，所述掺杂元素粒子包括Ga元素粒子；其中，所述硫族元素粒子和所述Sn元素粒子的原子个数之和与所述...
    2026-04-21
  • 选通材料和存储器
    选通材料和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511996292.3
    本申请实施例公开了一种选通材料和一种存储器。选通材料包括Ge元素、As元素、Se元素、Sb元素以及第一元素D，所述第一元素D的原子与所述Ge元素的原子或所述Se元素的原子之间具有第一化学键，所述As元素的原子与所述Ge元素的原子或所述Se元...
    2026-04-21
  • 薄膜堆叠结构的形成方法及薄膜堆叠结构
    薄膜堆叠结构的形成方法及薄膜堆叠结构_新存科技(武汉)有限责任公司_202511909969.5
    本申请公开了薄膜堆叠结构的形成方法及薄膜堆叠结构，该方法包括：形成第一材料层；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层的形成方法包括：采用第一沉积处理在所述第一材料层上形成初始种子层，所述第一沉积处理具有第一偏置电压，所述第一偏置电...
    2026-04-21
  • 一种零磁场的YBCO超导二极管及其制备方法
    一种零磁场的YBCO超导二极管及其制备方法_电子科技大学_202512043606.4
    本发明的目的在于提供一种零磁场的YBCO超导二极管及其的制备方法，属于超导二极管技术领域。该超导二极管通过对二极管的主体超导微米线进行部分辐照来调控微米线的表面涡旋势垒，通过这种方式实现正负临界电流的不对称，无需外加磁场便可实现整流；同时，...
    2026-04-21
  • 基于表面等离激元热致应变实现反铁磁奈尔矢量可逆翻转的光控器件及光控磁阵列存储方法
    基于表面等离激元热致应变实现反铁磁奈尔矢量可逆翻转的光控器件及光控磁阵列存储方法_浙江大学_202610001156.4
    本发明提供了一种基于表面等离激元热致应变实现反铁磁奈尔矢量可逆翻转的光控器件及光控磁阵列存储方法，属于自旋电子学、磁学、纳米光子学及信息存储技术的交叉领域，通过不同偏振方向的激光照射光控器件，激发金属纳米方框表面等离激元模式，利用表面等离激...
    2026-04-21
  • 一种自保护多层复合压电陶瓷元件及其制备方法
    一种自保护多层复合压电陶瓷元件及其制备方法_中国矿业大学_202610210565.5
    本发明提供一种自保护多层复合压电陶瓷元件及其制备方法，该元件包括：压电功能层，为钙钛矿结构；热敏电阻保护层，由钛酸钡基陶瓷构成，具有点阵状功能单元阵列；热敏电阻保护层的功能单元以离散点阵形式嵌入压电功能层上下两侧，且上下两侧功能单元的平面投...
    2026-04-21
  • 一种基于压电薄膜的触觉感知反馈器件及方法
    一种基于压电薄膜的触觉感知反馈器件及方法_上海仙材技术有限公司_202610033370.8
    本发明涉及人机交互与智能传感技术领域，且公开了一种基于压电薄膜的触觉感知反馈器件及方法，一种基于压电薄膜的触觉感知反馈器件，包括：具有弹性的金属条，金属条的两端固定形成简支梁或悬臂梁结构；压电单元，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片...
    2026-04-21
  • 一种分子级网络增强的碳毡气凝胶压电传感器及其制备方法
    一种分子级网络增强的碳毡气凝胶压电传感器及其制备方法_北京理工大学_202511915781.1
    本申请涉及柔性压电传感器技术领域，公开了一种分子级网络增强的碳毡气凝胶压电传感器及其制备方法。该传感器包括：压电传感层、双网络气凝胶层、电极层和引出导线；双网络气凝胶层设置有两层，两层双网络气凝胶层分别层叠设置于压电传感层的上下两侧，以构成...
    2026-04-21
  • 一种碳毡-水凝胶复合压电传感器及其制备方法
    一种碳毡-水凝胶复合压电传感器及其制备方法_北京理工大学_202511914731.1
    本申请属于柔性压电传感器技术领域，涉及一种碳毡‑水凝胶复合压电传感器及其制备方法。该传感器包括：压电传感层、跨尺度双网络水凝胶层、电极层、引出导线和封装层；跨尺度双网络水凝胶层设置有两层，分别层叠设置于压电传感层的上下两侧，以构成三明治结构...
    2026-04-21
  • 一种无表面损伤层压电材料的减薄方法及压电材料
    一种无表面损伤层压电材料的减薄方法及压电材料_西安交通大学_202511954427.X
    本发明属于材料表面加工处理技术领域，涉及一种无损伤层压电材料的减薄方法及压电材料，减薄方法包括将待处理的压电材料在空气气氛下进行一次退火；对一次退火处理后的压电材料进行粗磨；使用氯化钾、氢氧化钾或苯乙胺碘化物溶液对粗磨后的压电材料表面进行化...
    2026-04-21
  • 提升高居里温度PZT压电陶瓷性能的高温交流极化方法
    提升高居里温度PZT压电陶瓷性能的高温交流极化方法_江瓷电子(苏州)有限公司_202511943028.3
    本发明属于压电陶瓷技术领域，涉及一种提升高居里温度PZT压电陶瓷性能的高温交流极化方法。包括：获取高居里温度PZT压电陶瓷样品，将其加热至100℃~180℃范围内，保温至受热均匀；高居里温度PZT压电陶瓷样品受热均匀后，保温状态下，对其在交...
    2026-04-21
  • 复合衬底及其制备方法
    复合衬底及其制备方法_济南晶正电子科技有限公司_202511919171.9
    本申请提供一种复合衬底及其制备方法，所述复合衬底包括：衬底层；低氧氧硅层，设置在衬底层上，低氧氧硅层由氧硅原子比小于2的硅氧化物构成，低氧氧硅层中具有本征氧空位；压电单晶薄膜层，设置在低氧氧硅层上；其中，压电单晶薄膜层为通过离子注入形成有分...
    2026-04-21
  • 一种六氮杂三亚萘基有机小分子在光热电转换中的应用
    一种六氮杂三亚萘基有机小分子在光热电转换中的应用_聊城大学_202512041315.1
    本发明涉及光热电转换技术领域，尤其涉及一种六氮杂三亚萘基有机小分子在光热电转换中的应用。本发明将六氮杂三亚萘基有机小分子应用于光热电转换器件中，光热电转换器件包括热电发生器和光热转换层；所述热电发生器具有一个热面端和一个冷面端；所述光热转换...
    2026-04-21
  • 双(三氟甲磺酰)亚胺铜(II)(Cu(TFSI)2)直接掺杂spiro-OMeTAD的空穴传输层的制备方法
    双(三氟甲磺酰)亚胺铜(II)(Cu(TFSI)2)直接掺杂spiro-OMeTAD的空穴传输层的制备方法_上海第二工业大学_202512007591.6
    本发明公开双(三氟甲磺酰)亚胺铜(II)(Cu(TFSI)2)直接掺杂spiro‑OMeTAD的空穴传输层的制备方法，涉及太阳能电池。所述空穴传输层仅包含spiro‑OMeTAD材料和Cu(TFSI)2掺杂剂，无需传统的Li‑TFSI/tB...
    2026-04-21
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